安森美推出了一款全新M3S 1200V EliteSiC功率集成模塊
作為提高效率和優(yōu)化熱管理的理想解決方案，SiC技術(shù)在應(yīng)用端需求的刺激下快速迭代。
為適用不同需求的高能效供電應(yīng)用，安森美(onsemi)推出了全新M3S1200V EliteSiC功率集成模塊。
全新SiC模塊，豐富產(chǎn)品組合
針對(duì)關(guān)鍵拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，安森美推出全新M3S1200V EliteSiC功率集成模塊。
該方案擁有全面、豐富的產(chǎn)品組合，輸出功率范圍由25kW可靈活擴(kuò)展至100kW，非常適用于電動(dòng)汽車直流超快速充電樁及電池儲(chǔ)能系統(tǒng)（BESS）的應(yīng)用場(chǎng)景，以滿足不同需求的高能效供電解決方案。
審核編輯：劉清
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
電動(dòng)汽車
+關(guān)注
關(guān)注
156文章
12704瀏覽量
237318 -
安森美
+關(guān)注
關(guān)注
33文章
2201瀏覽量
95873 -
充電樁
+關(guān)注
關(guān)注
156文章
3120瀏覽量
90183 -
電池儲(chǔ)能
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
125瀏覽量
11318 -
SiC模塊
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
83瀏覽量
6362
原文標(biāo)題：輸出功率可擴(kuò)展至100kW，安森美新型SiC模塊為高能效應(yīng)用提供助力
文章出處：【微信號(hào)：onsemi-china，微信公眾號(hào)：安森美】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
安森美1200V碳化硅MOSFET：NTHL040N120M3S的技術(shù)剖析
安森美1200V碳化硅MOSFET：NTHL040N120M3S的技術(shù)剖析 在電子工程領(lǐng)域，功率器件的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們來(lái)深入探討
安森美1200V碳化硅MOSFET NTHL030N120M3S技術(shù)剖析
安森美1200V碳化硅MOSFET NTHL030N120M3S技術(shù)剖析 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其優(yōu)越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選器件。今天，我們就來(lái)深入剖
安森美（onsemi）1200V碳化硅MOSFET NTHL070N120M3S深度解析
了解安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTHL070N120M3S。 文件下載： NTHL070N120
安森美NTT2012N065M3S碳化硅MOSFET：高效與可靠的完美結(jié)合
： NTT2012N065M3S-D.PDF 一、產(chǎn)品概述 NTT2012N065M3S是一款650V的N溝道碳化硅MOSFET，采用T2P
安森美NVBG022N120M3S碳化硅MOSFET深度解析
）的NVBG022N120M3S碳化硅MOSFET。 文件下載： NVBG022N120M3S-D.PDF 產(chǎn)品概述 NVBG022N120M3S是安森美
安森美1200V碳化硅MOSFET：NVBG040N120M3S的技術(shù)剖析
安森美1200V碳化硅MOSFET：NVBG040N120M3S的技術(shù)剖析 在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)效率起著關(guān)鍵作用。安
安森美1200V碳化硅MOSFET：NVBG070N120M3S的特性與應(yīng)用解析
安森美1200V碳化硅MOSFET：NVBG070N120M3S的特性與應(yīng)用解析 在電子工程領(lǐng)域，功率器件的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性起著關(guān)鍵作用。今天，我們來(lái)深入了解
安森美與蔚來(lái)深化戰(zhàn)略合作：EliteSiC M3e技術(shù)驅(qū)動(dòng)900V電動(dòng)汽車平臺(tái)革新
近期，安森美（onsemi）與蔚來(lái)汽車正式宣布擴(kuò)大戰(zhàn)略合作，聚焦下一代900V電動(dòng)汽車平臺(tái)演進(jìn)。此次合作基于雙方多年技術(shù)協(xié)同基礎(chǔ)，安森美將提供其最新研發(fā)的 **
安森美SiC功率模塊NVXR22S90M2SPC：助力牽引逆變器新突破
）推出的一款極具創(chuàng)新性的產(chǎn)品——NVXR22S90M2SPC碳化硅（SiC）功率模塊。 文件下載： NVXR22
安森美 NXH003P120M3F2PTHG SiC 模塊深度解析
采用 F2 封裝、集成了 HPS DBC 的功率模塊，內(nèi)部包含 3 mΩ/1200
安森美SiC功率模塊NXH022S120M3F1PTG深度解析
F1PTG是一款采用F1封裝的功率模塊，內(nèi)部集成了22 mΩ/1200
安森美EliteSiC功率MOSFET模塊NXVF6532M3TG01：技術(shù)剖析與應(yīng)用洞察
安森美EliteSiC功率MOSFET模塊NXVF6532M3TG01：技術(shù)剖析與應(yīng)用洞察 在當(dāng)今電子科技飛速發(fā)展的時(shí)代，
安森美1200V碳化硅MOSFET：NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天，我們就來(lái)深入探討安森美（onsemi）推出的一款
安森美PCIM Asia 2025汽車領(lǐng)域展品搶先看
安森美OBC方案采用創(chuàng)新的M3S EliteSiC技術(shù)，通過(guò)DAB結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)交流到直流的轉(zhuǎn)換，可提供電氣隔離，且具備雙向傳輸能力，完美契合未來(lái)電動(dòng)汽車的發(fā)展需求。
安森美EliteSiC SPM31智能功率模塊有哪些亮點(diǎn)
隨著電氣化浪潮席卷全球，人工智能應(yīng)用持續(xù)爆發(fā)式增長(zhǎng)，使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化
評(píng)論