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QDPAK TSC頂部散熱封裝

工業(yè)和汽車級(jí)CoolSiC MOSFET

G18-140mΩ 750V

新推出的CoolSiC MOSFET 750V G1是一個(gè)高度可靠的SiC MOSFET系列，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。CoolSiC MOSFET 750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和魯棒性方面都具有優(yōu)勢(shì)，并具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性，從而簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提高了成本效益，實(shí)現(xiàn)了最高的效率和功率密度。

創(chuàng)新的頂部散熱封裝進(jìn)一步增強(qiáng)了CoolSiC 750V的性能，可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計(jì)以及更低的系統(tǒng)和裝配成本。

產(chǎn)品型號(hào)：

■IMDQ75R008M1H

■ IMDQ75R016M1H

■ IMDQ75R040M1H

■ IMDQ75R140M1H

■ AIMDQ75R008M1H

■ AIMDQ75R016M1H

■ AIMDQ75R040M1H

■ AIMDQ75R140M1H

■ AIMBG75R016M1H

■ AIMBG75R040M1H

■ AIMBG75R140M1H

產(chǎn)品特點(diǎn)

高度可靠的750V技術(shù)

同類最佳RDS(on)x Qfr

優(yōu)秀的Ronx Qoss和Ronx QG

低Crss/ Ciss和高Vgsth

100%通過(guò)雪崩測(cè)試

英飛凌芯片貼裝技術(shù)

最先進(jìn)的頂部散熱封裝

應(yīng)用價(jià)值

出色的硬開(kāi)關(guān)效率

更高的開(kāi)關(guān)頻率

更高的可靠性

可承受超過(guò)500V的直流母線電壓

抵御寄生導(dǎo)通能力

單電源驅(qū)動(dòng)

一流的散熱性能

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

CoolSiC MOSFET 750V是最均衡的技術(shù)，集易用性、開(kāi)關(guān)效率和卓越的散熱性能于一身

更強(qiáng)的魯棒性，可承受超過(guò)500V的母線電壓

同類最佳FoM

獨(dú)特的擴(kuò)散焊接技術(shù)

超低RON

TSC-頂部散熱

應(yīng)用領(lǐng)域

工業(yè)

■ 固態(tài)繼電器(SSR)

■ 固態(tài)斷路器（SSCB）

■ 電動(dòng)汽車充電

■ 光伏逆變器

■ 儲(chǔ)能系統(tǒng)

汽車

■ 電動(dòng)汽車車載電池充電器

■ 用于電動(dòng)汽車的高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器

■ 高壓電子壓縮機(jī)

■ 高壓PTC加熱器模塊

■ 斷路器（高壓電池隔離開(kāi)關(guān)、直流和交流低頻開(kāi)關(guān)、高壓電子熔斷）