近日，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）發(fā)布了最新的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，為全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)的發(fā)展勾勒出清晰的藍(lán)圖。數(shù)據(jù)顯示，2025年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額將實(shí)現(xiàn)同比7.4%的增長(zhǎng)，達(dá)到1255億美元，創(chuàng)下歷史新高。而在先進(jìn)邏輯、存儲(chǔ)以及技術(shù)轉(zhuǎn)型等多重因素的積極帶動(dòng)下，2026年半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額有望進(jìn)一步攀升至1381億美元，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha對(duì)此表示：“在2024年實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)之后，預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額將再次擴(kuò)大，并且在2026年創(chuàng)下新的紀(jì)錄。盡管半導(dǎo)體行業(yè)始終在密切關(guān)注宏觀經(jīng)濟(jì)所存在的不確定性，但人工智能推動(dòng)下的芯片創(chuàng)新需求，正不斷驅(qū)動(dòng)著對(duì)產(chǎn)能擴(kuò)張和領(lǐng)先生產(chǎn)的投資。”

SEMI預(yù)測(cè)，雖然晶圓廠設(shè)備的增速保持穩(wěn)健，但后端設(shè)備需求將迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。其中，測(cè)試設(shè)備銷售額同比增長(zhǎng)23.2%，達(dá)到93億美元；封裝設(shè)備銷售額同比增長(zhǎng)7.7%，至54億美元。

之所以會(huì)出現(xiàn)這樣的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，主要原因在于HBM產(chǎn)能擴(kuò)張，對(duì)更先進(jìn)的沉積和刻蝕設(shè)備提出了迫切需求；同時(shí)，AI芯片多芯片集成及HBM復(fù)雜堆疊架構(gòu)，推動(dòng)了CoWoS、硅中介層等先進(jìn)封裝技術(shù)的快速發(fā)展；而HBM和AI芯片性能驗(yàn)證復(fù)雜度的提升，又顯著提高了對(duì)測(cè)試時(shí)長(zhǎng)與精度的要求。

這種增長(zhǎng)趨勢(shì)在2026年還將延續(xù)，封裝設(shè)備增速將進(jìn)一步升至15%，測(cè)試設(shè)備則維持5%的增長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年擴(kuò)張。

在存儲(chǔ)領(lǐng)域，各廠商相關(guān)的資本支出預(yù)計(jì)將在2025年有所增加，并在2026年持續(xù)增長(zhǎng)。具體來(lái)看，NAND相關(guān)設(shè)備銷售正逐步從2023年的大幅萎縮中恢復(fù)。2024年，NAND設(shè)備銷售已實(shí)現(xiàn)4.1%的小幅增長(zhǎng)，而在3D NAND堆疊技術(shù)的發(fā)展以及產(chǎn)能擴(kuò)張的推動(dòng)下，NAND設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)在2025年實(shí)現(xiàn)42.5%的增長(zhǎng)，銷售額達(dá)到137億美元，到2026年將繼續(xù)增長(zhǎng)9.7%，達(dá)到150億美元；DRAM設(shè)備銷售額在2024年飆升40.2%，達(dá)到195億美元，預(yù)計(jì)2025年和2026年將分別增長(zhǎng)6.4%和12.1%，這一增長(zhǎng)將為對(duì)HBM和人工智能部署的投資提供有力支持。而3D NAND閃存技術(shù)、扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）以及3nm、5nm制程技術(shù)的革新，同樣是促進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出貨量增長(zhǎng)的關(guān)鍵推動(dòng)力。

根據(jù)2025年中期財(cái)報(bào)及行業(yè)調(diào)研數(shù)據(jù)，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備頭部企業(yè)從成熟制程（28nm）向先進(jìn)制程突破，HBM專用設(shè)備及AI需求成新增長(zhǎng)點(diǎn)，上半年表現(xiàn)呈現(xiàn)“強(qiáng)者恒強(qiáng)、國(guó)產(chǎn)替代加速、新興技術(shù)突破”三大特征。

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審核編輯 黃宇