FDMS86104 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET：優(yōu)秀性能與廣泛應(yīng)用

一、引言

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為一種重要的功率器件，其性能直接影響著各類電子設(shè)備的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。今天我們要介紹的FDMS86104 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET，是一款具有出色性能和廣泛應(yīng)用前景的產(chǎn)品。

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二、產(chǎn)品背景與變更說(shuō)明

Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購(gòu)的零件編號(hào)需要更改，F(xiàn)airchild零件編號(hào)中的下劃線（_）將改為破折號(hào)（-），大家可通過ON Semiconductor網(wǎng)站核實(shí)更新后的設(shè)備編號(hào)。

三、產(chǎn)品概述

（一）關(guān)鍵參數(shù)

FDMS86104是一款N溝道屏蔽柵功率溝槽MOSFET，具有100V、16A、24mΩ的特性。

（二）產(chǎn)品特性

1. 屏蔽柵MOSFET技術(shù)：在(V{GS}=10V)，(I{D}=7A)時(shí)，最大(r{DS(on)} = 24mΩ)；在(V{GS}=6V)，(I{D}=5.5A)時(shí)，最大(r{DS(on)} = 39mΩ)。
2. 先進(jìn)的封裝與硅片組合：實(shí)現(xiàn)低(r_{DS(on)})和高效率。
3. MSL1堅(jiān)固封裝設(shè)計(jì)：具有良好的可靠性。
4. 100% UIL測(cè)試：確保產(chǎn)品質(zhì)量。
5. RoHS合規(guī)：符合環(huán)保要求。

（三）工作原理

該MOSFET采用Fairchild Semiconductor先進(jìn)的PowerTrench?工藝，融入屏蔽柵技術(shù)，優(yōu)化了導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持了卓越的開關(guān)性能。

四、產(chǎn)品參數(shù)

（一）最大額定值

（二）熱特性

（三）電氣特性

1. 關(guān)斷特性：如(BV{DSS})（漏源擊穿電壓）、(Delta BV{DSS}/Delta T_{J})（擊穿電壓溫度系數(shù)）等。
2. 導(dǎo)通特性：包括(V{GS(th)})（柵源閾值電壓）、(r{DS(on)})（靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻）等。
3. 動(dòng)態(tài)特性：如(C{iss})（輸入電容）、(C{oss})（輸出電容）等。
4. 開關(guān)特性：包含(t{d(on)})（導(dǎo)通延遲時(shí)間）、(t{r})（上升時(shí)間）等。
5. 漏源二極管特性：如(V{SD})（源漏二極管正向電壓）、(t{rr})（反向恢復(fù)時(shí)間）等。

五、典型特性曲線分析

（一）導(dǎo)通區(qū)域特性

不同(V{GS})下，漏極電流(I{D})隨漏源電壓(V_{DS})的變化曲線，反映了MOSFET在導(dǎo)通區(qū)域的性能。

（二）歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系

展示了不同(V_{GS})下，歸一化導(dǎo)通電阻隨漏極電流的變化情況，有助于工程師選擇合適的工作點(diǎn)。

（三）歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫關(guān)系

體現(xiàn)了結(jié)溫對(duì)導(dǎo)通電阻的影響，在實(shí)際應(yīng)用中需要考慮結(jié)溫變化對(duì)性能的影響。

（四）導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系

明確了導(dǎo)通電阻隨柵源電壓的變化規(guī)律，為設(shè)計(jì)提供參考。

（五）轉(zhuǎn)移特性

不同結(jié)溫下，漏極電流(I{D})隨柵源電壓(V{GS})的變化曲線，反映了MOSFET的放大特性。

（六）源漏二極管正向電壓與源電流關(guān)系

展示了源漏二極管正向電壓隨源電流的變化情況，對(duì)于二極管的使用有指導(dǎo)意義。

（七）柵極電荷特性

不同(V{DD})下，柵極電荷(Q{g})與柵源電壓(V_{GS})的關(guān)系，影響開關(guān)速度。

（八）電容與漏源電壓關(guān)系

電容隨漏源電壓的變化曲線，對(duì)電路的高頻性能有影響。

（九）非鉗位電感開關(guān)能力

不同結(jié)溫下，雪崩電流(I{AS})隨雪崩時(shí)間(t{AV})的變化曲線，體現(xiàn)了MOSFET的抗雪崩能力。

（十）最大連續(xù)漏極電流與環(huán)境溫度關(guān)系

明確了在不同環(huán)境溫度下，MOSFET能夠承受的最大連續(xù)漏極電流，有助于散熱設(shè)計(jì)。

（十一）正向偏置安全工作區(qū)

展示了MOSFET在不同脈沖寬度和漏源電壓下的安全工作范圍，避免器件損壞。

（十二）單脈沖最大功率耗散

體現(xiàn)了MOSFET在單脈沖情況下的功率耗散能力。

（十三）結(jié)到環(huán)境瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線

反映了MOSFET在不同占空比和脈沖持續(xù)時(shí)間下的熱響應(yīng)情況。

（十四）功率與殼溫關(guān)系

明確了功率耗散與殼溫的關(guān)系，對(duì)于散熱設(shè)計(jì)至關(guān)重要。

六、封裝與訂購(gòu)信息

七、應(yīng)用領(lǐng)域

FDMS86104適用于DC - DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的電路要求和性能指標(biāo)，合理選擇和使用該MOSFET。

八、注意事項(xiàng)

1. ON Semiconductor保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行更改的權(quán)利，且不做進(jìn)一步通知。
2. 產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備等關(guān)鍵應(yīng)用。
3. 買家需負(fù)責(zé)其使用ON Semiconductor產(chǎn)品的產(chǎn)品和應(yīng)用，包括遵守所有法律法規(guī)和安全要求。

大家在使用FDMS86104 MOSFET時(shí)，是否遇到過一些特殊的問題或者有獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)兀繗g迎在評(píng)論區(qū)分享交流。