深入剖析FDMS86183 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET

一、引言

在電子工程師的日常設計中，MOSFET是不可或缺的重要元件。今天我們要詳細探討的是ON Semiconductor旗下的FDMS86183 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET。它具有一系列出色的特性，適用于多種應用場景，下面我們就來深入了解一下。

文件下載：FDMS86183-D.pdf

二、產(chǎn)品背景與系統(tǒng)要求

Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改，F(xiàn)airchild零件編號中的下劃線（_）將改為破折號（-）。大家可通過ON Semiconductor網(wǎng)站（www.onsemi.com）核實更新后的設備編號。

三、FDMS86183 MOSFET特性

（一）技術(shù)優(yōu)勢

1. 屏蔽柵MOSFET技術(shù)：采用先進的PowerTrench?工藝并結(jié)合屏蔽柵技術(shù)，優(yōu)化了導通電阻，同時保持了卓越的開關(guān)性能和出色的軟體二極管特性。
2. 低導通電阻：在(V{GS}=10V)，(I{D}=16A)時，最大(r{DS(on)}=12.8mΩ)；在(V{GS}=6V)，(I{D}=8A)時，最大(r{DS(on)}=34.6mΩ)。
3. 低反向恢復電荷：Qrr比其他MOSFET供應商低50%，有效降低了開關(guān)噪聲和EMI。
4. 穩(wěn)健的封裝設計：MSL1穩(wěn)健封裝設計，經(jīng)過100% UIL測試，且符合RoHS標準。

（二）電氣特性

1. 最大額定值
   • 漏源電壓(V{DS})最大為100V，柵源電壓(V{GS})為±20V。
   • 不同溫度下的連續(xù)漏極電流有所不同，(T{C}=25^{circ}C)時為51A，(T{C}=100^{circ}C)時為32A，(T_{A}=25^{circ}C)時為10A，脈沖電流可達187A。
   • 單脈沖雪崩能量(E{AS})為96mJ，功率耗散(P{D})在(T{C}=25^{circ}C)時為63W，(T{A}=25^{circ}C)時為2.5W。
   • 工作和存儲結(jié)溫范圍為 -55到 +150°C。
2. 熱特性
   • 結(jié)到外殼的熱阻(R{θJC})為2.0°C/W，結(jié)到環(huán)境的熱阻(R{θJA})（在特定條件下）為50°C/W。

（三）典型特性

1. 導通區(qū)域特性：不同柵源電壓下，漏極電流隨漏源電壓變化的曲線展示了其導通性能。
2. 歸一化導通電阻特性：與漏極電流、柵源電壓和結(jié)溫的關(guān)系曲線，幫助工程師了解其在不同條件下的電阻變化。
3. 開關(guān)特性：包括開啟延遲時間、上升時間、關(guān)斷延遲時間、下降時間等參數(shù)，以及總柵極電荷等，這些特性對于開關(guān)電路的設計至關(guān)重要。
4. 電容特性：輸入電容(C{iss})、輸出電容(C{oss})和反向傳輸電容(C_{rss})等，影響著MOSFET的高頻性能。
5. 二極管特性：源漏二極管的正向電壓、反向恢復時間和反向恢復電荷等參數(shù)，對于整流應用有重要意義。

四、應用場景

1. 初級DC - DC MOSFET：在DC - DC轉(zhuǎn)換電路中，F(xiàn)DMS86183的低導通電阻和良好的開關(guān)性能有助于提高轉(zhuǎn)換效率。
2. DC - DC和AC - DC中的同步整流器：其低Qrr特性可以降低開關(guān)損耗，提高整流效率。
3. 電機驅(qū)動：能夠提供足夠的電流和快速的開關(guān)速度，滿足電機驅(qū)動的需求。
4. 太陽能應用：在太陽能系統(tǒng)中，可用于功率轉(zhuǎn)換和控制，提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

五、注意事項

1. ON Semiconductor保留對產(chǎn)品進行更改的權(quán)利，且不承擔產(chǎn)品在特定應用中的適用性保證和相關(guān)責任。
2. 產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設備或類似分類的醫(yī)療設備以及人體植入設備。如果買方將產(chǎn)品用于非授權(quán)應用，需承擔相關(guān)責任。
3. “典型”參數(shù)在不同應用中可能會有所變化，實際性能也會隨時間變化，用戶需由技術(shù)專家對所有操作參數(shù)進行驗證。

六、總結(jié)

FDMS86183 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET憑借其先進的技術(shù)、出色的電氣特性和廣泛的應用場景，為電子工程師提供了一個優(yōu)秀的選擇。在設計過程中，工程師需要充分考慮其特性和注意事項，以確保產(chǎn)品在實際應用中能夠發(fā)揮最佳性能。大家在實際使用中是否遇到過類似MOSFET的特殊問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。