onsemi FDMS7682：高效N溝道MOSFET的卓越性能與應(yīng)用

在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討onsemi推出的FDMS7682和FDMS7682 - NC這兩款N溝道MOSFET，了解它們的特點、性能參數(shù)以及應(yīng)用場景。

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一、產(chǎn)品概述

FDMS7682和FDMS7682 - NC專為提高DC - DC轉(zhuǎn)換器的整體效率而設(shè)計，能夠有效減少開關(guān)節(jié)點的振鈴現(xiàn)象。無論是同步還是傳統(tǒng)的開關(guān)PWM控制器，這兩款MOSFET都能發(fā)揮出色的性能。它們在低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻（(R_{DS (on) })）、快速開關(guān)速度和體二極管反向恢復(fù)性能方面進行了優(yōu)化。

二、產(chǎn)品特點

1. 低導(dǎo)通電阻

• 在(V{GS}=10 V)，(I{D}=14 A)時，最大(R{DS(on)}=6.3 mΩ)；在(V{GS}=4.5 V)，(I{D}=11 A)時，最大(R{DS(on)}=10.4 mΩ)。低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高電路效率。

  2. 先進的封裝與硅技術(shù)結(jié)合

  采用先進的封裝和硅技術(shù)組合，實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻和高效率，為電路設(shè)計提供了更好的性能。

  3. 下一代增強體二極管技術(shù)

  具備下一代增強體二極管技術(shù)，經(jīng)過精心設(shè)計，實現(xiàn)了軟恢復(fù)特性，減少了反向恢復(fù)過程中的噪聲和損耗。

  4. 穩(wěn)健的封裝設(shè)計

  MSL1穩(wěn)健封裝設(shè)計，提高了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

  5. 全面測試

  經(jīng)過100% UIL測試，確保產(chǎn)品質(zhì)量。

  6. 環(huán)保特性

  該器件無鹵化物，符合RoHS指令豁免7a，二級互連采用無鉛2LI技術(shù)。

三、應(yīng)用場景

1. 筆記本電腦IMVP Vcore開關(guān)

在筆記本電腦的電源管理中，F(xiàn)DMS7682能夠提供高效的電壓轉(zhuǎn)換，滿足筆記本電腦對電源效率和穩(wěn)定性的要求。

2. 桌面和服務(wù)器VRM Vcore開關(guān)

對于桌面電腦和服務(wù)器的電源模塊，該MOSFET可以有效提高電源轉(zhuǎn)換效率，降低功耗。

3. OringFET / 負(fù)載開關(guān)

在電源切換和負(fù)載控制方面，F(xiàn)DMS7682能夠快速、可靠地實現(xiàn)開關(guān)功能。

4. DC - DC轉(zhuǎn)換

廣泛應(yīng)用于各種DC - DC轉(zhuǎn)換器中，為電路提供穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換。

四、性能參數(shù)

1. 最大額定值

• 漏源電壓（(V_{DS})）：30 V
• 漏源瞬態(tài)電壓（(V{DSt})，(t{Transient}<100 ns)）：33 V
• 柵源電壓（(V_{GS})）：±20 V
• 連續(xù)漏極電流（(I{D})）：根據(jù)不同條件有所不同，如(T{C}=25 °C)時，封裝限制為22 A，硅限制為59 A，(T_{A}=25 °C)時為16 A；脈沖電流為80 A
• 單脈沖雪崩能量（(E_{AS})）：29 mJ
• 功率耗散（(P{D})）：(T{C}=25 °C)時為33 W，(T_{A}=25 °C)時為2.5 W
• 工作和存儲結(jié)溫范圍（(T{J})，(T{STG})）：?55 to +150 °C

2. 熱特性

• 結(jié)到外殼熱阻（(R_{JC})）：3.7 °C/W
• 結(jié)到環(huán)境熱阻（(R_{JA})）：根據(jù)不同的安裝條件有所不同，如安裝在(1 in^{2}) 2 oz銅焊盤上時為50 °C/W

3. 電氣特性

• 關(guān)斷特性：漏源擊穿電壓（(B{V DSS})）在(I{D}=250 μA)，(V{GS}=0 V)時為30 V；擊穿電壓溫度系數(shù)為15 mV/°C；零柵壓漏極電流（(I{DSS})）在不同條件下有不同值。
• 導(dǎo)通特性：柵源閾值電壓（(V{GS(th)})）在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250 μA)時，典型值為1.9 V，范圍為1.25 - 3.0 V；閾值電壓溫度系數(shù)為?6 mV/°C；靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（(R{DS(on)})）在不同的(V{GS})和(I_{D})條件下有不同值。
• 動態(tài)特性：輸入電容（(C{iss})）、輸出電容（(C{oss})）、反向傳輸電容（(C{rss})）等參數(shù)在特定測試條件下有相應(yīng)的值；開關(guān)特性包括開通延遲時間、上升時間、關(guān)斷延遲時間等；總柵極電荷（(Q{g})）、柵源電荷（(Q{gs})）、柵漏“米勒”電荷（(Q{gd})）等也有明確的參數(shù)。
• 漏源二極管特性：源漏二極管正向電壓（(V{SD})）在不同的(I{S})條件下有不同值；反向恢復(fù)時間（(t{rr})）、反向恢復(fù)電荷（(Q{rr})）等參數(shù)也在數(shù)據(jù)手冊中有詳細說明。

五、典型特性曲線

數(shù)據(jù)手冊中提供了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關(guān)系、非鉗位電感開關(guān)能力、最大連續(xù)漏極電流與外殼溫度的關(guān)系、正向偏置安全工作區(qū)、單脈沖最大功率耗散以及結(jié)到環(huán)境瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線有助于工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)，從而進行合理的電路設(shè)計。

六、封裝與訂購信息

1. 封裝形式

FDMS7682采用PQFN8 5X6，1.27P封裝，而FDMS7682 - NC采用Power 56封裝。

2. 訂購信息

具體的訂購和運輸信息可參考數(shù)據(jù)手冊第6頁。同時，對于卷帶和卷軸規(guī)格的詳細信息，可參考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure，BRD8011/D。

七、總結(jié)

onsemi的FDMS7682和FDMS7682 - NC N溝道MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、先進的封裝和硅技術(shù)、增強的體二極管技術(shù)以及良好的熱特性和電氣性能，在DC - DC轉(zhuǎn)換、筆記本電腦和服務(wù)器電源管理等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。電子工程師在設(shè)計相關(guān)電路時，可以充分考慮這些特性，以實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計。你在使用類似MOSFET時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。