FDD86110 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET：技術(shù)特性與應(yīng)用解析
FDD86110 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET：技術(shù)特性與應(yīng)用解析
在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們就來深入探討一款性能卓越的N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET——FDD86110。
文件下載：FDD86110-D.pdf
一、公司背景與產(chǎn)品編號變更
Fairchild現(xiàn)已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)集成的需求，部分Fairchild可訂購的產(chǎn)品編號需要更改，以符合ON Semiconductor的系統(tǒng)要求。具體來說，F(xiàn)airchild產(chǎn)品編號中的下劃線（_）將改為破折號（-）。大家可通過ON Semiconductor的官網(wǎng)（www.onsemi.com）核實更新后的設(shè)備編號。
二、FDD86110 MOSFET特性
（一）基本特性
FDD86110是一款100V、50A、10.2mΩ的N-Channel MOSFET，采用了Fairchild Semiconductor先進的PowerTrench?工藝，并融入了Shielded Gate技術(shù)。該工藝在優(yōu)化導(dǎo)通電阻的同時，還能保持出色的開關(guān)性能。
（二）具體參數(shù)
- 最大導(dǎo)通電阻：在(V{GS}=10V)、(I{D}=12.5A)時，最大(r{DS(on)}=10.2mΩ)；在(V{GS}=6V)、(I{D}=9.8A)時，最大(r{DS(on)}=16mΩ)。
- 測試情況：經(jīng)過100% UIL測試，并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
FDD86110適用于DC - DC轉(zhuǎn)換，在該應(yīng)用場景中，其出色的性能能夠為電路提供高效穩(wěn)定的支持。
四、產(chǎn)品參數(shù)詳解
（一）最大額定值
| 符號 | 參數(shù) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DS}) | 漏源電壓 | 100 | V |
| (V_{GS}) | 柵源電壓 | ±20 | V |
| (I_{D}) | 連續(xù)漏極電流（(T_{C}=25^{circ}C)） | 50 | A |
| (I_{D}) | 連續(xù)漏極電流（(T_{A}=25^{circ}C)，注1a） | 12.5 | A |
| (I_{D}) | 脈沖漏極電流（注4） | 150 | A |
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量（注3） | 135 | mJ |
| (P_{D}) | 功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)） | 127 | W |
| (P_{D}) | 功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)，注1a） | 3.1 | W |
| (T{J},T{STG}) | 工作和存儲結(jié)溫范圍 | -55 至 +150 | °C |
（二）熱特性
| 符號 | 參數(shù) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (R_{θJC}) | 結(jié)到外殼的熱阻 | 0.98 | °C/W |
| (R_{θJA}) | 結(jié)到環(huán)境的熱阻（注1a） | 40 | °C/W |
（三）封裝標(biāo)記與訂購信息
| 設(shè)備標(biāo)記 | 設(shè)備 | 封裝 | 卷軸尺寸 | 膠帶寬度 | 數(shù)量 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD86110 | FDD86110 | D-PAK(TO - 252) | 13’’ | 16mm | 2500單位 |
（四）電氣特性
- 關(guān)斷特性
- (BV{DSS})（漏源擊穿電壓）：在(I{D}=250μA)、(V_{GS}=0V)時為100V。
- (Delta BV{DSS}/Delta T{J})（擊穿電壓溫度系數(shù)）：在(I_{D}=250μA)，參考25°C時為72mV/°C。
- (I{DSS})（零柵壓漏極電流）：在(V{DS}=80V)、(V_{GS}=0V)時為1μA。
- (I{GSS})（柵源泄漏電流）：在(V{GS}=±20V)、(V_{DS}=0V)時為±100nA。
- 導(dǎo)通特性
- (V{GS(th)})（柵源閾值電壓）：在(V{GS}=V{DS})、(I{D}=250μA)時，范圍為2 - 4V。
- (Delta V{GS(th)}/Delta T{J})（柵源閾值電壓溫度系數(shù)）：在(I_{D}=250μA)，參考25°C時為 - 10mV/°C。
- (r{DS(on)})（靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻）：在不同的(V{GS})和(I{D})條件下有不同的值，例如在(V{GS}=10V)、(I_{D}=12.5A)時為8.5 - 10.2mΩ。
- (g{FS})（正向跨導(dǎo)）：在(V{DS}=10V)、(I_{D}=12.5A)時為38S。
- 動態(tài)特性
- 開關(guān)特性
- (t_{d(on)})（導(dǎo)通延遲時間）：為12 - 20ns。
- (t{r})（上升時間）：在(V{DD}=50V)、(I_{D}=12.5A)時為5.4 - 10ns。
- (t{d(off)})（關(guān)斷延遲時間）：在(V{GS}=10V)、(R_{GEN}=6Ω)時為19 - 35ns。
- (t_{f})（下降時間）：為3.9 - 10ns。
- (Q{g})（總柵極電荷）：在(V{GS}=0V)到10V時為25 - 35nC。
- (Q{gs})（柵源電荷）：在(V{DD}=50V)、(I_{D}=12.5A)時為7.1nC。
- (Q_{gd})（柵漏“米勒”電荷）：為5.2nC。
- 漏源二極管特性
- (V{SD})（源漏二極管正向電壓）：在不同的(I{S})條件下有不同的值，例如在(V{GS}=0V)、(I{S}=12.5A)（注2）時為0.80 - 1.3V。
- (t{rr})（反向恢復(fù)時間）：在(I{F}=12.5A)、(di/dt = 100A/μs)時為52 - 83ns。
- (Q_{rr})（反向恢復(fù)電荷）：為60 - 96nC。
五、典型特性曲線分析
文檔中給出了多個典型特性曲線，這些曲線直觀地展示了FDD86110在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如，通過“On Region Characteristics”曲線，我們可以看到不同(V_{GS})下漏極電流與漏源電壓的關(guān)系；“Normalized On - Resistance vs Drain Current and Gate Voltage”曲線則反映了歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系。大家在實際設(shè)計中，可以根據(jù)這些曲線來選擇合適的工作點。
六、注意事項
ON Semiconductor對產(chǎn)品有一些重要說明。產(chǎn)品參數(shù)可能會在不同應(yīng)用中有所變化，所有工作參數(shù)都需要由客戶的技術(shù)專家針對每個應(yīng)用進行驗證。此外，ON Semiconductor的產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備等關(guān)鍵應(yīng)用場景。如果買家將產(chǎn)品用于非預(yù)期或未授權(quán)的應(yīng)用，需要承擔(dān)相應(yīng)的責(zé)任。
在電子設(shè)計中，選擇合適的MOSFET對于電路的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。FDD86110憑借其出色的特性和性能，在DC - DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢。大家在實際使用時，一定要仔細研究其參數(shù)和特性，確保設(shè)計的可靠性。你在使用MOSFET時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。
發(fā)布評論請先 登錄
評論