FDB86135 N - Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET 深度解析
FDB86135 N - Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET 深度解析
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，MOSFET 的選擇至關(guān)重要，它直接影響到電路的性能和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入探討一款熱門的 MOSFET——FDB86135 N - Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET。
文件下載：FDB86135-D.pdf
產(chǎn)品背景與系統(tǒng)變更
Fairchild Semiconductor 已與 ON Semiconductor 完成整合。整合過程中，部分 Fairchild 可訂購的零件編號(hào)需更改，以滿足 ON Semiconductor 的系統(tǒng)要求。由于 ON Semiconductor 產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理包含下劃線（）的零件命名，F(xiàn)airchild 零件編號(hào)中的下劃線（）將改為短橫線（-）。所以，在使用相關(guān)器件時(shí)，務(wù)必前往 ON Semiconductor 網(wǎng)站核實(shí)更新后的器件編號(hào)。
FDB86135 MOSFET 特性亮點(diǎn)
先進(jìn)技術(shù)集成
FDB86135 采用了 Fairchild Semiconductor 的先進(jìn) PowerTrench? 工藝，并融入了 Shielded Gate 技術(shù)。這種工藝在優(yōu)化導(dǎo)通電阻的同時(shí)，還能保持卓越的開關(guān)性能。
性能參數(shù)出色
- 低導(dǎo)通電阻：在 (V{GS}=10 V)、(I{D}=75 A) 時(shí)，最大 (R_{DS(on)} = 3.5 mΩ)，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET 的功率損耗更低，能有效提高電路效率。
- 快速開關(guān)速度：具備快速的開關(guān)特性，有助于減少開關(guān)過程中的能量損耗，提高電路的響應(yīng)速度。
- 低柵極電荷：低柵極電荷特性使得 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)更加容易，降低了驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)難度和功耗。
- 高功率和電流處理能力：連續(xù)漏極電流（硅限制）在 (T_{C}=25^{circ}C) 時(shí)可達(dá) 176A，脈沖漏極電流更是高達(dá) 704A，能夠滿足高功率應(yīng)用的需求。
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)：環(huán)保特性符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì)，減少對(duì)環(huán)境的影響。
應(yīng)用領(lǐng)域廣泛
DC - DC 初級(jí)橋
在 DC - DC 初級(jí)橋電路中，F(xiàn)DB86135 的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度能夠有效提高電源轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗。
DC - DC 同步整流
同步整流應(yīng)用中，它的高性能能夠確保整流過程的高效進(jìn)行，提高電源的輸出質(zhì)量。
熱插拔
在熱插拔應(yīng)用場(chǎng)景下，F(xiàn)DB86135 能夠快速響應(yīng)，保障系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
關(guān)鍵參數(shù)詳解
最大額定值
| 符號(hào) | 參數(shù) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DSS}) | 漏源電壓 | 100 | V |
| (V_{GSS}) | 柵源電壓 | ±20 | V |
| (I_{D}) | 漏極電流 - 連續(xù)（硅限制） (T_{C}=25^{circ}C) | 176 | A |
| (I_{D}) | 漏極電流 - 連續(xù)（封裝限制） (T_{C}=25^{circ}C) | 120 | A |
| (I_{D}) | 漏極電流 - 連續(xù) (T_{C}=25^{circ}C)（注 1a） | 75 | A |
| (I_{D}) | 漏極電流 - 脈沖 | 704 | A |
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量（注 3） | 658 | mJ |
| (P_{D}) | 功率耗散 - (T_{C}=25^{circ}C)（注 1a） | 227 | W |
| (P_{D}) | 功率耗散 - (T_{A}=25^{circ}C)（注 1b） | 2.4 | (W/^{circ}C) |
| (T{J}, T{STG}) | 工作和儲(chǔ)存溫度范圍 | -55 至 +175 | (^{circ}C) |
電氣特性
關(guān)斷特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (BV_{DSS}) | 漏源擊穿電壓 | (I{D}=250 μA)，(V{GS}=0V)，(T_{C}=25^{circ}C) | - | - | 100 | V |
| (frac{Delta BV{DSS}}{Delta T{J}}) | 擊穿電壓溫度系數(shù) | (I_{D}=250 μA)，參考 (25^{circ}C) | - | 0.07 | - | (V/^{circ}C) |
| (I_{DSS}) | 零柵壓漏極電流 | (V{DS}=80V)，(V{GS}=0V) | - | - | 1 | μA |
| (I_{GSS}) | 柵體泄漏電流 | (V{GS}=±20V)，(V{DS}=0V) | - | - | ±100 | nA |
導(dǎo)通特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (V_{GS(th)}) | 柵極閾值電壓 | (V{GS}=V{DS})，(I_{D}=250 μA) | 2.0 | - | 4.0 | V |
| (R_{DS(on)}) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | (V{GS}=10V)，(I{D}=75A) | - | 3.0 | 3.5 | mΩ |
| (g_{FS}) | 正向跨導(dǎo) | (V{DS}=10V)，(I{D}=75A) | - | 167 | - | S |
動(dòng)態(tài)特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (C_{iss}) | 輸入電容 | - | - | 5485 | 7295 | pF |
| (C_{oss}) | 輸出電容 | (V{DS}=25V)，(V{GS}=0V)，(f = 1MHz) | - | 2430 | 3230 | pF |
| (C_{rss}) | 反向傳輸電容 | - | - | 210 | - | pF |
| (Q_{g(tot)}) | 10V 時(shí)的總柵極電荷 | (V{DS}=80V)，(I{D}=75A)，(V_{GS}=10V) | - | 89 | 116 | nC |
| (Q_{gs}) | 柵源柵極電荷 | - | 24 | - | nC | |
| (Q_{gs2}) | 柵極電荷閾值到平臺(tái) | - | 8 | - | nC | |
| (Q_{gd}) | 柵漏“米勒”電荷 | - | 25 | - | nC |
開關(guān)特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (t_{d(on)}) | 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | - | - | 22 | 54 | ns |
| (t_{r}) | 導(dǎo)通上升時(shí)間 | (V{DD}=50V)，(I{D}=75A) | - | 54 | 118 | ns |
| (t_{d(off)}) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | (V{GS}=10V)，(R{GEN}=4.7) | - | 37 | 84 | ns |
| (t_{f}) | 關(guān)斷下降時(shí)間 | - | - | 11 | 32 | ns |
漏源二極管特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (V_{SD}) | 漏源二極管正向電壓 | (V{GS}=0V)，(I{SD}=75A)（注 2） | - | - | 1.25 | V |
| (t_{rr}) | 反向恢復(fù)時(shí)間 | (V{GS}=0V)，(I{SD}=75A)，(V_{DD}=80V) | - | 72 | - | ns |
| (Q_{rr}) | 反向恢復(fù)電荷 | (dI_{F}/dt = 100A/μs) | - | 129 | - | nC |
熱特性與封裝信息
熱特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (R_{θJC}) | 結(jié)到殼熱阻（注 1） | 0.66 | (^{circ}C/W) |
| (R_{θJA}) | 結(jié)到環(huán)境熱阻（注 1a） | 62.5 | (^{circ}C/W) |
封裝標(biāo)記與訂購信息
| 器件標(biāo)記 | 器件 | 封裝 | 卷盤尺寸 | 膠帶寬度 | 數(shù)量 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB86135 | FDB86135 | D2 - PAK | 330mm | 24mm | 800 |
注意事項(xiàng)與其他信息
系統(tǒng)整合注意
在使用過程中，要注意零件編號(hào)的變更，及時(shí)核實(shí)更新后的器件編號(hào)，以免影響設(shè)計(jì)和采購。
產(chǎn)品使用限制
ON Semiconductor 產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3 類醫(yī)療設(shè)備或具有相同或類似分類的外國(guó)醫(yī)療設(shè)備，以及任何用于人體植入的設(shè)備。如果購買或使用這些產(chǎn)品用于非預(yù)期或未授權(quán)的應(yīng)用，買方需承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任。
產(chǎn)品狀態(tài)定義
不同的數(shù)據(jù)表標(biāo)識(shí)對(duì)應(yīng)不同的產(chǎn)品狀態(tài)，如“Advance Information”表示產(chǎn)品處于設(shè)計(jì)階段，規(guī)格可能隨時(shí)更改；“Preliminary”表示首次生產(chǎn)，數(shù)據(jù)可能后續(xù)補(bǔ)充；“No Identification Needed”表示全面生產(chǎn)，但設(shè)計(jì)仍可能改進(jìn)；“Obsolete”表示產(chǎn)品已停產(chǎn)，數(shù)據(jù)表僅作參考。
總之，F(xiàn)DB86135 N - Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET 憑借其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，是電子工程師在設(shè)計(jì)中值得考慮的優(yōu)秀選擇。但在實(shí)際應(yīng)用中，一定要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求和條件，合理選擇和使用該器件。大家在使用這款 MOSFET 時(shí)，有沒有遇到過什么特別的問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
-
應(yīng)用領(lǐng)域
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
534瀏覽量
8400 -
性能參數(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
50瀏覽量
6947
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
評(píng)論