Apacer 2GB DDR3 SDRAM 72bit SO - DIMM 內存模塊技術解析

一、產品概述

Apacer 為研華股份有限公司提供的這款 2GB DDR3 SDRAM 72bit SO - DIMM 內存模塊，型號為 78.A2GCF.AF10C，于 2010 年 12 月 23 日獲得批準（批準號 90002 - T0066）。其核心 IC 品牌為 Hynix，具體描述為 DDR3 SO - CDIMM 10600 - 9 256x8 2GB HYN G。

文件下載：96SD3-2G1333E-AP.pdf

二、規(guī)格參數(shù)

基本參數(shù)

• 帶寬與速度：帶寬達 10.6GB/sec，速度等級為 1333Mbps（666MHz），CAS 延遲為 CL9。
• 容量與組織：容量 2GB，組織形式為 256 Mx72，由 9 片 2G 位 DDR3 SDRAM 密封 FBGA 組成，為 1 個 Rank。
• 封裝形式：采用 204 - 引腳的小外形雙列直插式內存模塊（SO - DIMM）封裝，PCB 高度 30.0mm，引腳間距 0.6mm，且符合無鉛（RoHS）標準。

電氣特性

• 電源供應：電源電壓 (VDD = 1.5V pm 0.075V)，串行存在檢測（SPD）電源 (VDDSPD = 3.0V) 至 (3.6V)。
• 接口標準：接口為 SSTL_15。
• 突發(fā)長度：支持突發(fā)長度 8 和 4 以及突發(fā)截斷（BC）。
• 延遲參數(shù)：CAS 延遲（CL）可選 6、7、8、9；CAS 寫延遲（CWL）可選 5、6、7。
• 預充電與刷新：支持自動預充電，刷新方式包括自動刷新和自刷新。在不同溫度下，平均刷新周期不同，(0^{circ}C leq TC leq +85^{circ}C) 時為 (7.8mu s)，(+85^{circ}C < TC < +95^{circ}C) 時為 (3.9mu s)。
• 工作溫度范圍：工作外殼溫度范圍為 (0^{circ}C) 至 (+95^{circ}C)。

三、產品特性

數(shù)據傳輸架構

采用雙數(shù)據速率架構，每個時鐘周期進行兩次數(shù)據傳輸。通過 8 位預取流水線架構實現(xiàn)高速數(shù)據傳輸。

數(shù)據同步機制

雙向差分數(shù)據選通（DQS 和 /DQS）與數(shù)據一起傳輸/接收，用于在接收器處捕獲數(shù)據。讀操作時 DQS 與數(shù)據邊緣對齊，寫操作時與數(shù)據中心對齊。

時鐘與命令機制

采用差分時鐘輸入（CK 和 /CK），DLL 使 DQ 和 DQS 轉換與 CK 轉換對齊。命令在每個正 CK 邊緣輸入，數(shù)據和數(shù)據掩碼參考 DQS 的兩個邊緣。

其他特性

• 數(shù)據掩碼：用于寫數(shù)據。
• Posted /CAS：通過可編程附加延遲提高命令和數(shù)據總線效率。
• ODT 技術：包括同步 ODT、動態(tài) ODT 和異步 ODT，用于改善信號質量。
• MPR 寄存器：用于溫度讀取。
• ZQ 校準：用于 DQ 驅動和 ODT 校準。
• PASR 功能：可編程部分陣列自刷新。
• /RESET 引腳：用于上電序列和復位功能。
• SRT 范圍：支持正常/擴展、自動/手動自刷新。
• 可編程輸出驅動器阻抗控制。

四、產品描述

該 78.A2GCB.AF10C 模塊是 256MX72 DDR3 SDRAM 高密度 SO - UDIMM，由 18 個 CMOS 256MX8 位、8 個銀行的 DDR3 同步 DRAM（BGA 封裝）和一個 2K EEPROM（8 引腳 MLF 封裝）組成。模塊為 204 引腳，用于安裝到連接器插座中，每個 DDR3 SDRAM 在印刷電路板上都安裝有去耦電容。

五、引腳配置與描述

引腳配置

詳細列出了 204 引腳 DDR3 SO - UDIMM 前后兩面的引腳名稱和編號，部分引腳在本模塊中未使用。

引腳描述

對各個引腳的功能進行了說明，如地址輸入（A0 - A14）、數(shù)據輸入/輸出（DQ0 - DQ63）、控制命令引腳（/RAS、/CAS、/WE 等）、時鐘相關引腳（CK0、CK1 等）以及電源和接地引腳等。

六、功能框圖與尺寸

功能框圖

圖 2 展示了功能框圖，每個 DDR3 組件上的 ZQ 球連接到一個外部 240Ω ±1% 電阻并接地，用于組件的 ODT 和輸出驅動器校準。

尺寸

文檔未詳細給出具體尺寸，但強調了 PCB 高度為 30.0mm 等關鍵信息。

在實際設計中，電子工程師需要綜合考慮這些參數(shù)和特性，確保該內存模塊能與系統(tǒng)其他部分良好配合。你在使用這款內存模塊進行設計時，是否也遇到過一些特殊的挑戰(zhàn)呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經驗。