Apacer 4GB DDR3 SODIMM 內(nèi)存模塊技術(shù)解析
在電子設(shè)備的運行中,內(nèi)存模塊起著至關(guān)重要的作用。今天,我們來深入剖析 Apacer 推出的這款 4GB DDR3 SODIMM 內(nèi)存模塊,它專為研華股份有限公司定制,型號為 78.B2GC9.AF1,有著諸多值得關(guān)注的特性。
產(chǎn)品基本信息
這款內(nèi)存模塊的批準編號為 90003 - T0024,發(fā)布于 2011 年 4 月 15 日。PCB 編號是 48.18220.091,IC 品牌為 Hynix,具體描述為 DDR3 SODIMM 10600 - 9 256x8 4GB HYN G。
訂購信息
| 部件編號 | 帶寬速度等級 | 最大頻率 | CAS 延遲 | 密度組織 | 組件組成 | 列數(shù) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 78.B2GC9.AF1 | 10.6GB/sec 1333Mbps 666MHz CL9 | 4GB 512Mx64 256Mx8*16EA 2 |
從這些數(shù)據(jù)中,我們可以看出該內(nèi)存模塊具備較高的數(shù)據(jù)傳輸速度,能夠滿足一定的性能需求。大家可以思考一下,這樣的速度在實際應(yīng)用中能為設(shè)備帶來怎樣的提升呢?
規(guī)格參數(shù)
物理特性
- 封裝與尺寸:采用 204 - 引腳插座式小外形雙列直插式內(nèi)存模塊(SO - DIMM)封裝,PCB 高度為 30.0mm,引腳間距為 0.6mm(引腳),并且符合無鉛(RoHS 標(biāo)準)要求。
- 電源供應(yīng):電源電壓 (VDD = 1.5 ~V pm 0.075 ~V),穩(wěn)定的電源供應(yīng)是內(nèi)存模塊正常工作的基礎(chǔ)。
內(nèi)部結(jié)構(gòu)與功能
- 密度與組織:容量為 4GB,組織形式為 512M 字 × 64 位,2 列,安裝了 16 個 2G 位的 DDR3 SDRAM 并密封在 FBGA 中。
- 內(nèi)部銀行:具有八個內(nèi)部銀行,可實現(xiàn)并發(fā)操作。
- 接口:采用 SSTL_15 接口。
- 突發(fā)長度:支持突發(fā)長度為 8 和 4 并帶有突發(fā)斬波(BC)功能。
- 延遲參數(shù):/CAS 延遲(CL)支持 6、7、8、9;/CAS 寫延遲(CWL)支持 5、6、7。
- 預(yù)充電與刷新:支持每個突發(fā)訪問的自動預(yù)充電選項,具備自動刷新和自刷新功能。
- 刷新周期:在 (0°C ≤ TC ≤ +85°C) 時,平均刷新周期為 7.8μs;在 (+85°C < TC ≤ +95°C) 時,平均刷新周期為 3.9μs。
- 工作溫度范圍:工作外殼溫度范圍為 (TC = 0°C) 到 (+95°C),這使得該內(nèi)存模塊能夠適應(yīng)較為廣泛的工作環(huán)境。
特性亮點
數(shù)據(jù)傳輸架構(gòu)
- 雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu):每個時鐘周期進行兩次數(shù)據(jù)傳輸,大大提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。
- 8 位預(yù)取流水線架構(gòu):實現(xiàn)了高速數(shù)據(jù)傳輸。
信號傳輸與控制
- 雙向差分數(shù)據(jù)選通:通過 DQS 和 /DQS 與數(shù)據(jù)一起傳輸/接收,在接收器處捕獲數(shù)據(jù)。DQS 在讀取時與數(shù)據(jù)邊緣對齊,在寫入時與數(shù)據(jù)中心對齊。
- 差分時鐘輸入:采用 CK 和 /CK 差分時鐘輸入。
- DLL 對齊:DLL 使 DQ 和 DQS 轉(zhuǎn)換與 CK 轉(zhuǎn)換對齊。
- 命令與數(shù)據(jù)控制:命令在每個正 CK 邊緣輸入,數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)掩碼參考 DQS 的兩個邊緣。
- 數(shù)據(jù)掩碼:用于寫入數(shù)據(jù)。
- Posted /CAS:通過可編程附加延遲提高命令和數(shù)據(jù)總線效率。
信號質(zhì)量優(yōu)化
- 片上終端(ODT):包括同步 ODT、動態(tài) ODT 和異步 ODT,可提高信號質(zhì)量。
- ZQ 校準:用于 DQ 驅(qū)動和 ODT 校準。
其他特性
- 多用途寄存器(MPR):用于溫度讀出。
- 可編程部分陣列自刷新(PASR):可根據(jù)需求進行設(shè)置。
- /RESET 引腳:用于上電序列和復(fù)位功能。
- SRT 范圍:支持正常/擴展、自動/手動自刷新。
- 可編程輸出驅(qū)動器阻抗控制:可靈活調(diào)整輸出驅(qū)動器的阻抗。
引腳配置與描述
引腳配置
| 該內(nèi)存模塊的引腳分布在正面和背面,詳細的引腳編號和名稱如下: | 正面 | 背面 | ||
|---|---|---|---|---|
| 引腳編號 | 引腳名稱 | 引腳編號 | 引腳名稱 | |
| 1 | VREFDQ | 103 | /CK0 | |
| 2 | VSS | 104 | /CK1 | |
| 3 | VSS | 105 | VDD | |
| …… | …… | …… | …… |
引腳描述
| 引腳名稱 | 功能 |
|---|---|
| A0 到 A14 | 地址輸入(行地址 A0 到 A14,列地址 A0 到 A9) |
| A10 (AP) | 自動預(yù)充電 |
| A12 (/BC) | 突發(fā)斬波 |
| BA0, BA1, BA2 | 銀行選擇地址 |
| DQ0 到 DQ63 | 數(shù)據(jù)輸入/輸出 |
| /RAS | 行地址選通命令 |
| /CAS | 列地址選通命令 |
| /WE | 寫使能 |
| /CS0, /CS1 | 芯片選擇 |
| CKE0, CKE1 | 時鐘使能 |
| CK0, CK1 | 時鐘輸入 |
| /CK0, /CK1 | 差分時鐘輸入 |
| DQS0 到 DQS7, /DQS0 到 /DQS7 | 輸入和輸出數(shù)據(jù)選通 |
| DM0 到 DM7 | 輸入掩碼 |
| SCL | 串行 PD 的時鐘輸入 |
| SDA | 串行 PD 的數(shù)據(jù)輸入/輸出 |
| VDD | 內(nèi)部電路電源 |
| VDDSPD | 串行 EEPROM 電源 |
| VREFCA | CA 參考電壓 |
| VREFDQ | DQ 參考電壓 |
| VSS | 接地 |
| VTT | SDRAM 的 I/O 終端電源 |
| /RESET | 將 DRAM 設(shè)置為已知狀態(tài) |
| ODT0, ODT1 | ODT 控制 |
| /EVENT | 溫度事件引腳 |
| NC | 無連接 |
了解這些引腳的功能,對于我們在設(shè)計電路時正確連接和使用該內(nèi)存模塊至關(guān)重要。在實際應(yīng)用中,大家是否遇到過因為引腳連接錯誤而導(dǎo)致的問題呢?
總結(jié)
Apacer 的這款 4GB DDR3 SODIMM 內(nèi)存模塊在性能、功能和特性方面都有著出色的表現(xiàn)。它不僅具備高速的數(shù)據(jù)傳輸能力,還擁有豐富的功能和良好的信號質(zhì)量優(yōu)化措施。在設(shè)計電子設(shè)備時,我們可以根據(jù)其規(guī)格參數(shù)和特性,合理地將其應(yīng)用到合適的場景中,以提升設(shè)備的整體性能。希望通過本文的介紹,能讓大家對這款內(nèi)存模塊有更深入的了解。
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