Apacer 4GB Unbuffered VLP DDR3 SDRAM DIMM 技術(shù)解析
在電子設(shè)備的運(yùn)行中,內(nèi)存扮演著至關(guān)重要的角色。今天我們來詳細(xì)解析 Apacer 的 4GB Unbuffered VLP DDR3 SDRAM DIMM 這款產(chǎn)品,看看它有哪些獨(dú)特的設(shè)計(jì)和性能特點(diǎn)。
一、訂購(gòu)信息
| Apacer 這款內(nèi)存產(chǎn)品的部分訂購(gòu)信息如下: | Part Number | Bandwidth Speed Grade | Max Frequency | CAS Latency | Density Organization | Component Composition | Number of Rank |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 78.B1GE3.AFF0C | 12.8GB/sec 1600Mbps 800MHz | CL11 | 4GB 512Mx64 256Mx8*16EA 2 |
從這些信息中我們可以推測(cè)出,該產(chǎn)品的最大頻率為 800MHz,帶寬速度達(dá)到 12.8GB/sec,CAS 延遲為 CL11,這些參數(shù)對(duì)于內(nèi)存的性能有著重要影響。大家在選擇內(nèi)存時(shí),這些參數(shù)是否是你最關(guān)注的呢?
二、規(guī)格參數(shù)
1. 基本參數(shù)
- 密度與組織:內(nèi)存密度為 4GB,組織形式是 512M 字 × 64 位,有 2 個(gè) rank。
- 封裝與安裝:采用 240 - 引腳的雙列直插內(nèi)存模塊(DIMM)封裝,PCB 高度為 18.75mm,引腳間距為 1.0mm,并且符合無鉛(RoHS 標(biāo)準(zhǔn))要求。
- 電源供應(yīng):電源電壓 (VDD = 1.5 ~V pm 0.075 ~V)。
2. 內(nèi)部結(jié)構(gòu)與功能
- 內(nèi)部銀行:具有 8 個(gè)內(nèi)部銀行,可實(shí)現(xiàn)并發(fā)操作。
- 接口類型:接口為 SSTL_15。
- 突發(fā)長(zhǎng)度:突發(fā)長(zhǎng)度(BL)有 8 和 4 兩種,并且支持突發(fā)截?cái)啵˙C)。
- 延遲參數(shù):/CAS 延遲(CL)支持 6、7、8、9、10、11;/CAS 寫延遲(CWL)支持 5、6、7。
- 預(yù)充電與刷新:支持每個(gè)突發(fā)訪問的自動(dòng)預(yù)充電選項(xiàng),具備自動(dòng)刷新和自刷新功能。刷新周期方面,在 (0°C ≤ TC ≤ +85°C) 時(shí)平均刷新周期為 7.8μs,在 (+85°C < TC ≤ +95°C) 時(shí)為 3.9μs。
- 工作溫度范圍:工作外殼溫度范圍為 (TC = 0°C) 到 (+95°C)。
這些規(guī)格參數(shù)決定了內(nèi)存的基本性能和適用場(chǎng)景,大家在設(shè)計(jì)電路時(shí),是否會(huì)根據(jù)這些參數(shù)來選擇合適的內(nèi)存呢?
三、產(chǎn)品特性
1. 數(shù)據(jù)傳輸架構(gòu)
- 雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu):采用雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu),每個(gè)時(shí)鐘周期可進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸,大大提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。
- 8 位預(yù)取流水線架構(gòu):通過 8 位預(yù)取流水線架構(gòu)實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸。
2. 數(shù)據(jù)同步與控制
- 雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通:雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通(DQS 和 /DQS)與數(shù)據(jù)一起傳輸/接收,用于在接收器處捕獲數(shù)據(jù)。DQS 在讀取時(shí)與數(shù)據(jù)邊緣對(duì)齊,在寫入時(shí)與數(shù)據(jù)中心對(duì)齊。
- 差分時(shí)鐘輸入:采用差分時(shí)鐘輸入(CK 和 /CK)。
- DLL 對(duì)齊:DLL 使 DQ 和 DQS 轉(zhuǎn)換與 CK 轉(zhuǎn)換對(duì)齊。
- 命令與數(shù)據(jù)控制:命令在每個(gè)正 CK 邊緣輸入,數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)掩碼參考 DQS 的兩個(gè)邊緣。
- 數(shù)據(jù)掩碼:用于寫入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)掩碼(DM)。
- Posted /CAS:通過可編程附加延遲的 Posted /CAS 提高命令和數(shù)據(jù)總線效率。
3. 信號(hào)質(zhì)量與校準(zhǔn)
- 片上終端(ODT):采用片上終端(ODT)技術(shù),包括同步 ODT、動(dòng)態(tài) ODT 和異步 ODT,以提高信號(hào)質(zhì)量。
- 多用途寄存器(MPR):用于溫度讀取的多用途寄存器(MPR)。
- ZQ 校準(zhǔn):用于 DQ 驅(qū)動(dòng)和 ODT 的 ZQ 校準(zhǔn)。
4. 其他特性
- 可編程部分陣列自刷新(PASR):支持可編程部分陣列自刷新(PASR)。
- /RESET 引腳:用于上電序列和復(fù)位功能的 /RESET 引腳。
- SRT 范圍:支持正常/擴(kuò)展的自動(dòng)/手動(dòng)自刷新。
- 可編程輸出驅(qū)動(dòng)器阻抗控制:具備可編程輸出驅(qū)動(dòng)器阻抗控制功能。
這些特性使得該內(nèi)存產(chǎn)品在數(shù)據(jù)傳輸、信號(hào)質(zhì)量和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色,大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過因?yàn)閮?nèi)存特性不足而導(dǎo)致的問題呢?
四、引腳配置與描述
1. 引腳配置
| 該內(nèi)存模塊共有 240 個(gè)引腳,每個(gè)引腳都有其特定的名稱和功能,詳細(xì)的引腳配置信息如下(部分展示): | Pin No. | Pin name | Pin No. | Pin name | Pin No. | Pin name | Pin No. | Pin name |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | VREFDQ | 61 | A2 | 121 | VSS | 181 | A1 | |
| 2 | VSS | 62 | VDD | 122 | DQ4 | 182 | VDD | |
| 3 | DQ0 | 63 | CK1 | 123 | DQ5 | 183 | VDD | |
| ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... |
2. 引腳描述
| Pin name | Function |
|---|---|
| A0 to A14 | Address input Row address A0 to A14,Column address A0 to A9 |
| A10 (AP) | Auto precharge |
| A12 (/BC) | Burst chop |
| BA0, BA1, BA2 | Bank select address |
| DQ0 to DQ63 | Data input/output |
| ... | ... |
了解引腳配置和描述對(duì)于電子工程師進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和調(diào)試至關(guān)重要,大家在處理引腳相關(guān)問題時(shí),有沒有什么獨(dú)特的經(jīng)驗(yàn)?zāi)兀?/p>
五、總結(jié)
Apacer 的 4GB Unbuffered VLP DDR3 SDRAM DIMM 是一款性能優(yōu)良、功能豐富的內(nèi)存產(chǎn)品。它具有較高的數(shù)據(jù)傳輸速度、良好的信號(hào)質(zhì)量和穩(wěn)定性,適用于多種電子設(shè)備。在設(shè)計(jì)電子系統(tǒng)時(shí),我們可以根據(jù)其規(guī)格參數(shù)和特性,合理選擇和使用該內(nèi)存模塊,以滿足系統(tǒng)的性能需求。大家在實(shí)際項(xiàng)目中是否會(huì)優(yōu)先考慮這款內(nèi)存產(chǎn)品呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的看法。
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