探索ADVANTECH AQD - D4U4GN24 - HP DDR4內(nèi)存模塊：性能與參數(shù)詳解
探索ADVANTECH AQD - D4U4GN24 - HP DDR4內(nèi)存模塊：性能與參數(shù)詳解
在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代，內(nèi)存模塊作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，其性能直接影響著系統(tǒng)的運(yùn)行效率。ADVANTECH推出的288Pin DDR4 2400 1.2V U - DIMM 4GB內(nèi)存模塊（型號(hào)：AQD - D4U4GN24 - HP），憑借其出色的性能和先進(jìn)的技術(shù)，成為眾多電子工程師關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入剖析該內(nèi)存模塊的各項(xiàng)特性、參數(shù)及應(yīng)用，為電子工程師在硬件設(shè)計(jì)中提供參考。
文件下載：AQD-D4U4GN24-HP.pdf
產(chǎn)品概述
AQD - D4U4GN24 - HP是一款DDR4 2400Mbps的U - DIMM高速內(nèi)存模塊。它采用4顆512Mx 16位DDR4 SDRAM（FBGA封裝）和一個(gè)4K位串行EEPROM，安裝在288引腳的印刷電路板上。該模塊屬于雙列直插式內(nèi)存模塊（DIMM），可安裝在288引腳的邊緣連接器插座中。其同步設(shè)計(jì)允許使用系統(tǒng)時(shí)鐘進(jìn)行精確的周期控制，數(shù)據(jù)I/O事務(wù)可以在DQS的兩個(gè)邊緣進(jìn)行，并且具有廣泛的操作頻率范圍和可編程延遲，適用于各種高帶寬、高性能的內(nèi)存系統(tǒng)應(yīng)用。
產(chǎn)品特性
環(huán)保與標(biāo)準(zhǔn)
- RoHS合規(guī)：該產(chǎn)品符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，這意味著它在生產(chǎn)過程中限制了有害物質(zhì)的使用，更加環(huán)保。
- 電源標(biāo)準(zhǔn)：遵循JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，采用1.2V（1.14V ~ 1.26V）的電源供電，VPP為2.5V ± 0.25V / - 0.125V，確保了穩(wěn)定的電源供應(yīng)。
數(shù)據(jù)傳輸與性能
- 數(shù)據(jù)傳輸速率：支持PC3 - 12800的數(shù)據(jù)傳輸速率，能夠滿足高速數(shù)據(jù)處理的需求。
- 可編程CAS延遲：提供10、11、12、13、14、15、16、17、18等多種可編程CAS延遲選項(xiàng)，工程師可以根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行靈活調(diào)整。
- 8位預(yù)取：采用8位預(yù)取技術(shù)，提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)男省?/li>
- 突發(fā)長(zhǎng)度切換：支持BL8或BC4的突發(fā)長(zhǎng)度（BL）切換，可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整。
- 雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通：采用雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通技術(shù)，增強(qiáng)了數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和可靠性。
- 片上終端：具備標(biāo)稱、停放和動(dòng)態(tài)ODT（片上終端）功能，有助于優(yōu)化信號(hào)質(zhì)量。
其他特性
- 串行存在檢測(cè)：通過EEPROM實(shí)現(xiàn)串行存在檢測(cè)功能，方便系統(tǒng)識(shí)別和配置內(nèi)存模塊。
- 異步復(fù)位：支持異步復(fù)位功能，確保內(nèi)存模塊在特定情況下能夠快速恢復(fù)到已知狀態(tài)。
- 金手指處理：PCB邊緣連接器采用30u”鍍金處理，提高了連接的可靠性和耐用性。
引腳定義與分配
| 該內(nèi)存模塊的引腳定義涵蓋了地址、數(shù)據(jù)、時(shí)鐘、控制等多個(gè)方面，詳細(xì)的引腳功能如下表所示： | Symbol | Function |
|---|---|---|
| A0–A17 1, BA0~BA1 | Address/Bank input | |
| DQ0~DQ63 | Bi - direction data bus. | |
| DQS0_t–DQS17_t | Data Buffer data strobes | |
| DQS0_c–DQS17_c | Data Buffer data strobes | |
| CK0_t, CK1_t | SDRAM clocks | |
| CK0_c, CK1_c | SDRAM clocks | |
| ODT0 &ODT1 | On - die termination control line | |
| CS0_n–CS3_n | DIMM Rank Select Lines input. | |
| RAS_n 2 | Row address strobe | |
| CAS_n 3 | Column address strobe | |
| WE_n 4 | Write Enable | |
| DM0~DM7 | Data masks/high data strobes | |
| VDD | Core power supply | |
| VDDQ | I/O driver power supply | |
| V REF CA | Command/address reference supply | |
| V DD SPD | SPD EEPROM power supply | |
| SA0~SA2 | I2C serial bus address select for EEPROM | |
| SCL | I2C serial bus clock for EEPROM | |
| SDA | I2C serial bus data for EEPROM | |
| VSS | Ground | |
| RESET_n | Set DRAMs Known State | |
| VTT | DRAM I/O termination supply | |
| VPP | SDRAM Supply | |
| ALERT_n | SDRAM ALERT_n | |
| EVENT_n | SPD signals a thermal event has occurred | |
| RFU | Reserved for future use |
注：
- 地址A17對(duì)于基于x8和x16的SDRAM無效，對(duì)于UDIMMs，此連接引腳為NC。
- RAS_n與A16復(fù)用功能。
- CAS_n與A15復(fù)用功能。
- WE_n與A14復(fù)用功能。
電氣參數(shù)
工作溫度與存儲(chǔ)溫度
- 工作溫度：TOPER為0°C至85°C，測(cè)量條件需參考JESD51 - 2標(biāo)準(zhǔn)。
- 存儲(chǔ)溫度：T STG為 - 55°C至 + 100°C，同樣需參考JESD51 - 2標(biāo)準(zhǔn)。
絕對(duì)最大直流額定值
| Parameter | Symbol | Value | Unit | Note |
|---|---|---|---|---|
| Voltage on V DD relative to Vss | VDD | - 0.3 ~ 1.5 | V | 1 |
| Voltage on V DDQ pin relative to Vss | VDDQ | - 0.3 ~ 1.5 | V | 1 |
| Voltage on any pin relative to Vss | VIN, VOUT | - 0.3 ~ 1.5 | V | 1 |
| Storage temperature | T STG | - 55~+100 ? | ? C | 1,2 |
注：應(yīng)力超過“絕對(duì)最大額定值”可能會(huì)對(duì)設(shè)備造成永久性損壞，且在這些條件下的功能操作不被保證。
推薦直流工作條件
| Parameter | Symbol | Voltage | Rating | Unit | Notes | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Min | Typ. | Max | ||||
| Supply voltage | VDD | 1.14 | 1.2 | 1.26 | V | 1,2,3 |
| Supply voltage for Output | VDDQ | 1.14 | 1.2 | 1.26 | V | 1,2,3 |
| I/O Reference Voltage (DQ) | VREF DQ (DC) | 0.49*VDD | 0.50*VDD | 0.51*VDD | V | 4 |
| I/O Reference Voltage (CMD/ADD) | VREF CA (DC) | 0.49*VDD | 0.50*VDD | 0.51*VDD | V | 4 |
| AC Input Logic High | VIH (AC) | VREF + 100 | - | VDD | mV | |
| AC Input Logic Low | VIL (AC) | VSS | - | VREF – 100 | mV | |
| DC Input Logic High | VIH (DC) | VREF + 75 | - | VDD | mV | |
| DC Input Logic Low | VIL (DC) | VSS | - | VREF - 75 | mV |
注：
- 在所有條件下，VDDQ必須小于或等于VDD。
- VDDQ與VDD跟蹤，交流參數(shù)在VDD和VDDQ連接在一起時(shí)測(cè)量。
- 直流帶寬限制為200MHz。
- VREF上的交流峰值噪聲不得使VREF偏離VREF(DC)超過±1% VDD（約±12mV）。
IDD規(guī)格參數(shù)
| IDD規(guī)格參數(shù)定義了不同工作模式下的電流消耗，對(duì)于評(píng)估內(nèi)存模塊的功耗具有重要意義。以下是4GB（1 Rank x16）的IDD規(guī)格參數(shù)： | Parameter | Symbol | DDR4 2400 CL17 | Unit |
|---|---|---|---|---|
| One bank ACTIVATE - PRECHARGE current | IDD0 1 | 184 | mA | |
| One bank ACTIVATE - PRECHARGE, wordline boost, IPP current | IPP0 1 | 40 | mA | |
| One Bank Active - Read - Precharge Current | IDD1 1 | 240 | mA | |
| Precharge Standby Current | IDD2N 2 | 108 | mA | |
| Precharge standby ODT current | IDD2NT 1 | 128 | mA | |
| Precharge Power - Down Current | IDD2P 2 | 72 | mA | |
| Precharge Quiet Standby Current | IDD2Q 2 | 88 | mA | |
| Active standby current | IDD3N 2 | 180 | mA | |
| Active standby IPP current | IPP3N 2 | 72 | mA | |
| Active Power - Down Current | IDD3P 2 | 148 | mA | |
| Burst Read Current | IDD4R 1 | 816 | mA | |
| Burst write current | IDD4W 1 | 744 | mA | |
| Burst refresh current (1x REF) | IDD5B 1 | 784 | mA | |
| Burst refresh IPP current (1x REF) | IPP5B 1 | 260 | mA | |
| Self refresh current: Normal temperature range (0–85°C) | IDD6N 2 | 88 | mA | |
| Self refresh current: Extended temperature range (0–95°C) | IDD6E 2 | 112 | mA | |
| Bank interleave read current | IDD7 1 | 740 | mA | |
| Bank interleave read IPP current | IPP7 1 | 96 | mA | |
| Maximum power - down current | IDD8 2 | 48 | mA |
注：
- 一個(gè)模塊rank處于活動(dòng)IDD/PP狀態(tài)，另一個(gè)rank處于IDD2P/PP3N狀態(tài)。
- 所有rank處于此IDD/PP條件。
- IDD電流測(cè)量方法和詳細(xì)模式在DDR4組件數(shù)據(jù)手冊(cè)中有描述，僅供參考。
時(shí)序參數(shù)與規(guī)格
該內(nèi)存模塊在不同速度下（DDR4 - 1866、DDR4 - 2133、DDR4 - 2400）具有一系列的時(shí)序參數(shù)，包括時(shí)鐘時(shí)序、命令和地址時(shí)序、DRAM數(shù)據(jù)時(shí)序等。這些參數(shù)對(duì)于確保內(nèi)存模塊與系統(tǒng)的正確同步和穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。例如，在時(shí)鐘時(shí)序方面，不同速度下的平均時(shí)鐘周期時(shí)間、時(shí)鐘高脈沖寬度、時(shí)鐘低脈沖寬度等都有明確的規(guī)定。在命令和地址時(shí)序方面，涉及到命令和地址的設(shè)置時(shí)間、保持時(shí)間、脈沖寬度等參數(shù)。具體的時(shí)序參數(shù)表格較長(zhǎng)，這里不再詳細(xì)列出，但工程師在設(shè)計(jì)時(shí)需要仔細(xì)參考這些參數(shù)，以確保系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。
串行存在檢測(cè)規(guī)格
串行存在檢測(cè)（SPD）是內(nèi)存模塊的重要特性之一，它允許系統(tǒng)自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存模塊的參數(shù)和配置。AQD - D4U4GN24 - HP的SPD總共有512字節(jié)，其中使用了384字節(jié)，涵蓋了模塊類型、內(nèi)存總線寬度、支持的CAS延遲、最小周期時(shí)間等信息。通過SPD，系統(tǒng)可以根據(jù)內(nèi)存模塊的實(shí)際情況進(jìn)行優(yōu)化配置，提高系統(tǒng)的性能和兼容性。
總結(jié)
ADVANTECH的AQD - D4U4GN24 - HP DDR4內(nèi)存模塊以其高速、穩(wěn)定、環(huán)保等特性，為電子工程師在設(shè)計(jì)高性能計(jì)算機(jī)系統(tǒng)時(shí)提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求，合理利用該模塊的各項(xiàng)特性和參數(shù)，確保系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。同時(shí)，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，內(nèi)存模塊的性能也在不斷提升，我們可以期待更多高性能、低功耗的內(nèi)存產(chǎn)品出現(xiàn)，為電子技術(shù)的發(fā)展注入新的活力。
你在設(shè)計(jì)過程中是否遇到過類似內(nèi)存模塊的選型和應(yīng)用問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
-
性能參數(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
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