Onsemi達林頓功率晶體管MJD6039和NJVMJD6039T4G的深度解析
在電子設(shè)計領(lǐng)域,功率晶體管是不可或缺的關(guān)鍵元件,特別是在電源和開關(guān)應(yīng)用中。Onsemi的MJD6039和NJVMJD6039T4G達林頓功率晶體管,專為通用功率和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計,如開關(guān)穩(wěn)壓器、轉(zhuǎn)換器和功率放大器的輸出或驅(qū)動級。以下將對這兩款晶體管進行詳細解析。
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產(chǎn)品特性
封裝與引腳形式
- 提供適用于表面貼裝應(yīng)用的引腳成型版本(無后綴),以及直引腳版本(“?1”后綴),均采用塑料套管包裝。
- 采用單片結(jié)構(gòu),內(nèi)置基極 - 發(fā)射極分流電阻,有助于提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。
電氣性能
- 高直流電流增益:在(I{C}=4.0A{dc})時,典型(h_{FE}=2500),能夠提供強大的電流放大能力。
- 高電壓承受能力:集電極 - 發(fā)射極電壓(V{CEO})和集電極 - 基極電壓(V{CB})的最大值均為(80V{dc}),發(fā)射極 - 基極電壓(V{EB})最大值為(5V_{dc})。
- 高電流處理能力:集電極連續(xù)峰值電流(I{C})可達(4A),基極電流(I{B})最大值為(100mA_{dc})。
其他特性
- 符合UL標(biāo)準(zhǔn):環(huán)氧樹脂符合UL 94 V - 0標(biāo)準(zhǔn)(厚度為0.125英寸),具有良好的阻燃性能。
- 靜電放電(ESD)防護:人體模型ESD評級大于(8000V),機器模型ESD評級大于(400V),有效保護晶體管免受靜電損壞。
- 汽車級應(yīng)用:NJVMJD6039T4G帶有NJV前綴,適用于汽車和其他對生產(chǎn)地點和控制變更有特殊要求的應(yīng)用,并且通過了AEC - Q101認證,具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力。
- 無鉛封裝:提供無鉛封裝版本,符合環(huán)保要求。
最大額定值
| 額定參數(shù) | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | (V_{CEO}) | 80 | (V_{dc}) |
| 集電極 - 基極電壓 | (V_{CB}) | 80 | (V_{dc}) |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 | (V_{EB}) | 5 | (V_{dc}) |
| 集電極連續(xù)峰值電流 | (I_{C}) | 4 | (A_{dc}) |
| 基極電流 | (I_{B}) | 100 | (mA_{dc}) |
| 總功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)),(25^{circ}C)以上降額 | (P_{D}) | 20,0.16 | (W),(W/^{circ}C) |
| 總功率耗散((T_{A}=25^{circ}C),注2),(25^{circ}C)以上降額 | (P_{D}) | 1.75,0.014 | (W),(W/^{circ}C) |
| 工作和儲存結(jié)溫范圍 | (T{J}),(T{stg}) | - 65至 + 150 | (^{circ}C) |
需要注意的是,超過最大額定值的應(yīng)力可能會損壞器件,且最大額定值僅為應(yīng)力額定值,不意味著在推薦工作條件以上仍能正常工作。長時間暴露在推薦工作條件以上的應(yīng)力下可能會影響器件的可靠性。
熱特性
| 特性 | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)到外殼的熱阻 | (R_{JC}) | 6.25 | (^{circ}C/W) |
| 結(jié)到環(huán)境的熱阻(注3) | (R_{JA}) | 71.4 | (^{circ}C/W) |
注3表明,這些熱阻額定值適用于按照推薦的最小焊盤尺寸進行表面貼裝的情況。在設(shè)計散熱系統(tǒng)時,需要考慮這些熱特性,以確保晶體管在工作過程中不會過熱。
電氣特性
截止特性
- 集電極 - 發(fā)射極維持電壓(V{CEO(sus)})((I{C}=30mA{dc}),(I{B}=0)):最小值為(80V_{dc})。
- 集電極截止電流(I{CEO})((V{CE}=40V{dc}),(I{B}=0)):最大值為(10A_{dc})。
導(dǎo)通特性
- 直流電流增益(h{FE}):在(I{C}=1A{dc}),(V{CE}=4V{dc})時,最小值為(1000);在(I{C}=2A{dc}),(V{CE}=4V_{dc})時,最小值為(500)。
- 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(V{CE(sat)})((I{C}=2A{dc}),(I{B}=8mA{dc})):最大值為(2.5V{dc})。
- 基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓(V{BE(on)})((I{C}=2A{dc}),(V{CE}=4V{dc})):最大值為(2.8V{dc})。
動態(tài)特性
- 小信號電流增益(h{fe})((I{C}=0.75A{dc}),(V{CE}=10V_{dc}),(f = 1kHz)):最小值為(25)。
- 輸出電容(C{ob})((V{CB}=10V{dc}),(I{E}=0),(f = 0.1MHz)):最大值為(100pF)。
注4指出,脈沖測試條件為脈沖寬度(leq300mu s),占空比(leq2%)。
典型電氣特性曲線
文檔中提供了多個典型電氣特性曲線,包括熱響應(yīng)、最大額定正向偏置安全工作區(qū)、功率降額、電容、直流電流增益、集電極飽和區(qū)、“導(dǎo)通”電壓、溫度系數(shù)、集電極截止區(qū)等。這些曲線對于工程師理解晶體管在不同工作條件下的性能非常有幫助。例如,安全工作區(qū)曲線表明了晶體管的(I{C}-V{CE})限制,為了保證可靠運行,晶體管的功耗不能超過曲線所示的范圍。
機械結(jié)構(gòu)與封裝尺寸
晶體管采用DPAK封裝(CASE 369C STYLE 1),文檔詳細給出了封裝的尺寸信息,包括各部分的最小、標(biāo)稱和最大尺寸。同時,還提供了推薦的安裝 footprint,方便工程師進行電路板設(shè)計。此外,文檔還介紹了不同的引腳樣式,如STYLE 1 - STYLE 10,工程師可以根據(jù)具體應(yīng)用選擇合適的引腳配置。
訂購信息
| 器件型號 | 封裝 | 包裝方式 |
|---|---|---|
| MJD6039T4G | DPAK(無鉛) | 2500 / 卷帶包裝 |
| NJVMJD6039T4G | DPAK(無鉛) | 2500 / 卷帶包裝 |
MJD6039T4(DPAK,無鉛)已停產(chǎn),不推薦用于新設(shè)計。如需了解更多信息,請聯(lián)系Onsemi代表。
Onsemi的MJD6039和NJVMJD6039T4G達林頓功率晶體管具有高電流增益、高電壓承受能力、良好的熱特性和ESD防護等優(yōu)點,適用于多種通用功率和開關(guān)應(yīng)用。在設(shè)計過程中,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,綜合考慮晶體管的各項參數(shù)和特性,確保電路的可靠性和性能。你在實際應(yīng)用中是否遇到過類似晶體管的選型問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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NJVMJD45H11T4G 8A 80V PNP 雙極功率晶體管 性能穩(wěn)定
什么是達林頓晶體管?
2N6039 4.0 A,80 V NPN達林頓雙極功率晶體管
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