Onsemi數(shù)字晶體管系列:高效設(shè)計的理想之選
在電子設(shè)計領(lǐng)域,選擇合適的晶體管對于電路的性能和成本控制至關(guān)重要。Onsemi推出的MUN2132、MMUN2132L、MUN5132、DTA143EE、DTA143EM3、NSBA143EF3等數(shù)字晶體管系列,為工程師們提供了強(qiáng)大而可靠的解決方案。
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產(chǎn)品概述
這些數(shù)字晶體管屬于帶有單片偏置電阻網(wǎng)絡(luò)的PNP晶體管,旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。偏置電阻晶體管(BRT)包含一個帶有由兩個電阻組成的單片偏置網(wǎng)絡(luò)的單晶體管,即串聯(lián)基極電阻和基極 - 發(fā)射極電阻。通過將這些組件集成到單個器件中,BRT消除了單獨(dú)的組件,從而降低了系統(tǒng)成本并節(jié)省了電路板空間。
產(chǎn)品特性
簡化電路設(shè)計
BRT將偏置電阻集成到晶體管中,減少了外部組件的使用,使電路設(shè)計更加簡潔。工程師無需再為偏置電阻的選擇和布局費(fèi)心,大大縮短了設(shè)計周期。
減少電路板空間
由于減少了外部電阻的使用,電路板上的空間得到了有效利用。這對于對空間要求較高的應(yīng)用,如便攜式設(shè)備和高密度電路板設(shè)計,尤為重要。
減少組件數(shù)量
集成的設(shè)計減少了組件數(shù)量,降低了電路板的復(fù)雜性,提高了系統(tǒng)的可靠性。同時,也減少了焊接點(diǎn),降低了故障發(fā)生的概率。
汽車及其他應(yīng)用適用
該系列晶體管提供S和NSV前綴,適用于汽車和其他需要獨(dú)特站點(diǎn)和控制變更要求的應(yīng)用。它們符合AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備PPAP能力,為汽車電子等對可靠性要求極高的應(yīng)用提供了保障。
環(huán)保合規(guī)
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
產(chǎn)品參數(shù)
最大額定值
| 在環(huán)境溫度 (T_{A}=25^{circ} C) 時,該系列晶體管具有以下最大額定值: | 額定值 | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 基極電壓 | (V_{CBO}) | 50 | Vdc | |
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | (V_{CEO}) | 50 | Vdc | |
| 集電極電流 - 連續(xù) | (I_{C}) | 100 | mAdc | |
| 輸入正向電壓 | (V_{IN(fwd)}) | 30 | Vdc | |
| 輸入反向電壓 | (V_{IN(rev)}) | 10 | Vdc |
熱特性
不同封裝的晶體管具有不同的熱特性,以下是部分封裝的熱特性參數(shù)示例:
- SC - 59(MUN2132):總器件耗散功率在 (T{A}=25^{circ} C) 時為230mW,高于25°C時的降額系數(shù)為1.8mW/°C;熱阻 (R{JA}) 為540°C/W,結(jié)到引腳的熱阻 (R_{OL}) 為264°C/W;結(jié)和存儲溫度范圍為 - 55°C至 + 150°C。
- SOT - 23(MMUN2132L):具體熱特性參數(shù)文檔中有詳細(xì)記錄。
- SC - 70/SOT - 323(MUN5132):總器件耗散功率在 (T{A}=25^{circ} C) 時為202mW,高于25°C時的降額系數(shù)為1.6mW/°C;熱阻 (R{JA}) 為618°C/W,結(jié)到引腳的熱阻 (R_{OL}) 為280°C/W;結(jié)和存儲溫度范圍為 - 55°C至 + 150°C。
電氣特性
| 在 (T_{A}=25^{circ} C) 時,該系列晶體管的電氣特性如下: | 特性 | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 截止特性 | ||||||
| 集電極 - 基極截止電流 ((V{CB}=50 ~V, I{E}=0)) | (I_{CBO}) | 100 | nAdc | |||
| 集電極 - 發(fā)射極截止電流 ((V{CE}=50V, I{B}=0)) | (I_{CEO}) | 500 | nAdc | |||
| 發(fā)射極 - 基極截止電流 ((V{EB}=6.0 ~V, I{C}=0)) | (I_{BO}) | 1.5 | mAdc | |||
| 集電極 - 基極擊穿電壓 ((I{C}=10 mu A, I{E}=0)) | (V_{(BR)CBO}) | 50 | Vdc | |||
| ((I{C}=2.0 ~mA, I{B}=0)) | (V_{(BR)CEO}) | 50 | Vdc | |||
| 導(dǎo)通特性 | ||||||
| 直流電流增益(注5) ((I{C}=5.0 ~mA, V{CE}=10 ~V)) | (h_{FE}) | 15 | 27 | |||
| 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(注5) ((I{C}=10mA, I{B}=1.0mA)) | (V_{CE(sat)}) | 0.25 | Vdc | |||
| 輸入電壓(關(guān)) ((V{CE}=5.0 ~V, I{C}=100 mu A)) | (V_{i(off)}) | 1.2 | 0.5 | Vdc | ||
| 輸入電壓(開) ((V{CE}=0.3 ~V, I{C}=20 ~mA)) | (V_{i(on)}) | 3.0 | 2.4 | Vdc | ||
| 輸出電壓(開) ((V{CC}=5.0 ~V, V{B}=2.5 ~V, R_{L}=1.0 k Omega)) | (V_{OL}) | 0.2 | Vdc | |||
| 輸出電壓(關(guān)) ((V{CC}=5.0 ~V, V{B}=0.25 ~V, R_{L}=1.0 k Omega)) | (V_{OH}) | - | Vdc | |||
| 輸入電阻 | (R_{1}) | 3.3 | 4.7 | 6.1 | kΩ | |
| 電阻比 | (R{1}/R{2}) | 0.8 | 1.0 | 1.2 |
訂購信息
| 該系列晶體管提供多種封裝形式,不同封裝的訂購信息如下: | 器件 | 零件標(biāo)記 | 封裝 | 包裝 |
|---|---|---|---|---|
| MUN2132T1G, NSVMUN2132T1G* | 6J | SC - 59(無鉛) | 3000 / 卷帶包裝 | |
| MMUN2132LT1G, NSVMMUN2132LT1G* | A6J | SOT - 23(無鉛) | 3000 / 卷帶包裝 | |
| MUN5132T1G, NSVMUN5132T1G* | 6J | SC - 70/SOT - 323(無鉛) | 3000 / 卷帶包裝 | |
| DTA143EET1G | 43 | SC - 75(無鉛) | 3000 / 卷帶包裝 | |
| DTA143EM3T5G, NSVDTA143EM3T5G* | 6J | SOT - 723(無鉛) | 8000 / 卷帶包裝 | |
| NSBA143EF3T5G | A (90 ? )* | SOT - 1123(無鉛) | 8000 / 卷帶包裝 |
機(jī)械尺寸
文檔中詳細(xì)提供了SOT - 23、SC - 59 - 3、SC - 70(SOT - 323)、SC75 - 3、SOT - 1123、SOT - 723等封裝的機(jī)械尺寸信息,包括各尺寸的最小值、標(biāo)稱值和最大值,以及引腳定義等。工程師在進(jìn)行電路板設(shè)計時,可以根據(jù)這些信息進(jìn)行合理的布局和焊接。
總結(jié)
Onsemi的數(shù)字晶體管系列以其集成化的設(shè)計、豐富的特性和良好的電氣性能,為電子工程師提供了一個優(yōu)秀的選擇。無論是在簡化電路設(shè)計、節(jié)省電路板空間,還是在滿足特定應(yīng)用需求方面,都表現(xiàn)出色。在實(shí)際設(shè)計中,工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用場景和要求,選擇合適的封裝和型號,以實(shí)現(xiàn)最佳的性能和成本效益。你在使用這類數(shù)字晶體管時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
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