onsemi數(shù)字晶體管系列：簡化電路設(shè)計的理想之選

在電子設(shè)計領(lǐng)域，選擇合適的晶體管對于優(yōu)化電路性能、降低成本和節(jié)省空間至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 onsemi 的一系列數(shù)字晶體管，包括 MUN2137、MMUN2137L、MUN5137、DTA144WE、DTA144WM3 和 NSBA144WF3，了解它們的特點、參數(shù)和應(yīng)用場景。

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一、產(chǎn)品概述

這一系列數(shù)字晶體管旨在替代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。偏置電阻晶體管（BRT）包含一個帶有由兩個電阻組成的單片偏置網(wǎng)絡(luò)的單個晶體管，即串聯(lián)基極電阻和基極 - 發(fā)射極電阻。通過將這些單獨的組件集成到一個器件中，BRT 消除了這些組件，從而降低了系統(tǒng)成本并節(jié)省了電路板空間。

二、產(chǎn)品特點

2.1 簡化電路設(shè)計

集成的偏置電阻網(wǎng)絡(luò)減少了外部組件的數(shù)量，使電路設(shè)計更加簡潔，降低了設(shè)計復(fù)雜度。

2.2 減少電路板空間

將多個組件集成到一個器件中，有效減少了電路板上的占用空間，適合對空間要求較高的應(yīng)用。

2.3 減少組件數(shù)量

減少了外部電阻等組件的使用，降低了成本和潛在的故障點。

2.4 汽車及其他應(yīng)用適用

具有 S 和 NSV 前綴，適用于汽車和其他需要獨特場地和控制變更要求的應(yīng)用，并且符合 AEC - Q101 標準，具備 PPAP 能力。

2.5 環(huán)保合規(guī)

這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑（BFR），并且符合 RoHS 標準。

三、最大額定值

超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

四、訂購信息

五、熱特性

熱特性對于晶體管的性能和可靠性至關(guān)重要。不同封裝的晶體管具有不同的熱特性，以下是部分封裝的熱特性參數(shù)：

5.1 SC - 59（MUN2137）

• 總器件功耗（(T{A}=25^{circ} C)）：(P{D}) 最大為 230 mW
• 25°C 以上降額：1.8 mW/°C
• 熱阻（結(jié)到環(huán)境）：(R_{JA}) 最大為 540 °C/W
• 結(jié)和存儲溫度范圍：(T{J},T{stg}) 為 - 55 到 + 150 °C

5.2 SOT - 23（MMUN2137L）

• 總器件功耗（(T{A}=25^{circ} C)）：(P{D}) 最大為 246 mW
• 25°C 以上降額：2.0 mW/°C
• 熱阻（結(jié)到環(huán)境）：(R_{JA}) 最大為 508 °C/W
• 結(jié)和存儲溫度范圍：(T{J},T{stg}) 為 - 55 到 + 150 °C

其他封裝的熱特性參數(shù)可參考文檔中的詳細表格。

六、電氣特性

在 (T_{A}=25^{circ} C) 時，這些晶體管的電氣特性如下：

6.1 關(guān)斷特性

• 集電極 - 基極截止電流（(V{CB}=50V,I{E}=0)）：(I_{CBO}) 最大為 100 nAdc
• 集電極 - 發(fā)射極截止電流（(V{CE}=50V, I{B}=0)）：(I_{CEO}) 最大為 500 nAdc
• 發(fā)射極 - 基極截止電流（(V{EB}=6.0V,I{C}=0)）：(I_{EBO}) 最大為 0.13 mAdc
• 集電極 - 基極擊穿電壓（(I{C}=10mu A,I{E}=0)）：(V_{(BR)CBO}) 最小為 50 Vdc
• 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓（(I{C}=2.0 mA, I{B}=0)）：(V_{(BR)CEO}) 最小為 50 Vdc

6.2 導(dǎo)通特性

• 直流電流增益（(I{C}=5.0 mA, V{CE}=10 V)）：(h_{FE}) 最小為 80，典型值為 140
• 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓（(I{C}= 10mA,I{B} = 0.3mA)）：(V_{CE(sat)}) 最大為 0.25 Vdc
• 輸入電壓（關(guān)）（(V{CE}=5.0 V, I{C}=100 mu A)）：(V_{i(off)}) 典型值為 1.8 Vdc，最大為 1.2 Vdc
• 輸入電壓（開）（(V{CE}=0.3 V, I{C}=2.0 mA)）：(V_{i(on)}) 最小為 4.0 Vdc，典型值為 2.4 Vdc
• 輸出電壓（開）（(V{CC}=5.0 V, V{B}=4.0 V, R{L}=1.0 k Omega)）：(V{OL}) 最大為 0.2 Vdc
• 輸出電壓（關(guān)）（(V{CC}=5.0 V, V{B}=0.5 V, R{L}=1.0 k Omega)）：(V{OH}) 最小為 4.9 Vdc
• 輸入電阻：(R_{1}) 最小為 32.9 kΩ，典型值為 47 kΩ，最大為 61.1 kΩ
• 電阻比：(R{1}/R{2}) 最小為 1.7，典型值為 2.1，最大為 2.6

七、典型特性

文檔中還提供了一些典型特性曲線，如 (V{CE(sat)}) 與 (I{C}) 的關(guān)系、直流電流增益、輸出電容、輸出電流與輸入電壓的關(guān)系等。這些曲線可以幫助工程師更好地了解晶體管在不同工作條件下的性能。

八、機械尺寸

不同封裝的晶體管具有不同的機械尺寸，文檔中詳細列出了 SOT - 23、SC - 59、SC - 70、SC75 - 3、SOT - 1123 和 SOT - 723 等封裝的尺寸信息，包括長度、寬度、高度、引腳間距等。在進行電路板設(shè)計時，需要根據(jù)這些尺寸信息合理布局晶體管。

九、總結(jié)

onsemi 的這一系列數(shù)字晶體管通過集成偏置電阻網(wǎng)絡(luò)，簡化了電路設(shè)計，減少了電路板空間和組件數(shù)量，同時具備良好的電氣性能和熱特性。在汽車、消費電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。工程師在選擇晶體管時，應(yīng)根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮其最大額定值、電氣特性、熱特性和機械尺寸等因素，以確保設(shè)計的電路穩(wěn)定可靠。

你在設(shè)計中是否使用過類似的數(shù)字晶體管呢？在實際應(yīng)用中遇到過哪些問題？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。