安森美數(shù)字晶體管:簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)的理想之選
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,如何高效地簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)、降低成本并節(jié)省電路板空間,一直是工程師們關(guān)注的焦點(diǎn)。安森美(onsemi)推出的一系列數(shù)字晶體管,如MUN2236、MMUN2236L、MUN5236、DTC115EE和DTC115EM3,為解決這些問(wèn)題提供了出色的解決方案。下面我們就來(lái)詳細(xì)了解一下這些數(shù)字晶體管的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。
文件下載:DTC115E-D.PDF
產(chǎn)品概述
安森美的這一系列數(shù)字晶體管屬于帶單片偏置電阻網(wǎng)絡(luò)的NPN晶體管,旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。偏置電阻晶體管(BRT)包含一個(gè)帶有由兩個(gè)電阻組成的單片偏置網(wǎng)絡(luò)的單個(gè)晶體管,即串聯(lián)基極電阻和基極 - 發(fā)射極電阻。通過(guò)將這些單獨(dú)的組件集成到一個(gè)器件中,BRT消除了對(duì)外部電阻的需求,從而降低了系統(tǒng)成本并節(jié)省了電路板空間。
產(chǎn)品特性
簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)
BRT將偏置電阻集成到晶體管中,減少了外部元件的使用,使電路設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)潔。工程師無(wú)需再為選擇和布局外部電阻而煩惱,大大縮短了設(shè)計(jì)周期。
減少電路板空間
由于減少了外部元件,電路板上的空間得到了有效利用。這對(duì)于空間受限的設(shè)計(jì),如便攜式設(shè)備和高密度電路板,尤為重要。
降低組件數(shù)量
集成的設(shè)計(jì)減少了組件數(shù)量,降低了采購(gòu)和庫(kù)存管理的成本。同時(shí),減少了焊點(diǎn)數(shù)量,提高了系統(tǒng)的可靠性。
符合汽車(chē)和其他應(yīng)用要求
帶有NSV前綴的器件適用于汽車(chē)和其他需要獨(dú)特現(xiàn)場(chǎng)和控制變更要求的應(yīng)用。這些器件符合AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),并具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力。
環(huán)保合規(guī)
這些器件無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑(BFR),符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足環(huán)保要求。
產(chǎn)品參數(shù)
最大額定值
| 在環(huán)境溫度 (T_{A}=25^{circ}C) 時(shí),這些數(shù)字晶體管具有以下最大額定值: | 額定參數(shù) | 符號(hào) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 基極電壓 | (V_{CBO}) | 50 | (V_{dc}) | |
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | (V_{CEO}) | 50 | (V_{dc}) | |
| 集電極連續(xù)電流 | (I_{C}) | 100 | (m{A{dc}}) | |
| 輸入正向電壓 | (V_{IN(fwd)}) | 40 | (V_{dc}) | |
| 輸入反向電壓 | (V_{IN(rev)}) | 10 | (V_{dc}) |
需要注意的是,超過(guò)最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。如果超過(guò)這些限制,不能保證器件的功能,可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。
熱特性
不同封裝的器件具有不同的熱特性,以MMUN2236L(SOT - 23封裝)為例,在 (T{A}=25^{circ}C) 時(shí),其結(jié)到環(huán)境的熱阻 (R{theta JA}) 為370 (^{circ}C/W),結(jié)和存儲(chǔ)溫度范圍為 - 55到 + 150 (^{circ}C)。
電氣特性
| 在 (T_{A}=25^{circ}C) 時(shí),這些數(shù)字晶體管的一些電氣特性如下: | 特性 | 最小值 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 基極截止電流 | 100 | (nA_{dc}) | ||
| 集電極 - 發(fā)射極截止電流 | ||||
| 發(fā)射極 - 基極截止電流((V{EB}=6.0V),(I{C}=0)) | (mA_{dc}) | |||
| 集電極 - 基極擊穿電壓((I{C}=10mu A),(I{E}=0)) | 50 | |||
| 直流電流增益((I{C}=5.0 mA),(V{CE}=10 V)) | ||||
| 輸入電壓(關(guān))((V{CE}=5.0 V),(I{C}=100 mu A)) | (V_{dc}) | |||
| 輸入電壓(開(kāi))((V{CE}=0.3 V),(I{C}=1.0 mA)) | 3.0 | (V_{dc}) | ||
| 輸出電壓(關(guān)) | 4.9 | (V_{dc}) | ||
| 輸入電阻 | 130 | (kOmega) |
封裝與訂購(gòu)信息
| 這些數(shù)字晶體管提供多種封裝形式,包括SC - 59、SOT - 23、SC - 70/SOT - 323、SC - 75和SOT - 723等。每個(gè)封裝都有相應(yīng)的引腳連接和標(biāo)記圖,并且均為無(wú)鉛封裝。具體的訂購(gòu)信息如下表所示: | 器件 | 部件標(biāo)記 | 封裝 | 包裝數(shù)量 |
|---|---|---|---|---|
| NSVMUN2236T1G* | 8N | SC - 59(無(wú)鉛) | 3000 / 卷帶包裝 | |
| MMUN2236LT1G, NSVMMUN2236LT1G* | AA5 | SOT - 23(無(wú)鉛) | 3000 / 卷帶包裝 | |
| MUN5236T1G, NSVMUN5236T1G* | 8N | SC - 70/SOT - 323(無(wú)鉛) | 3000 / 卷帶包裝 | |
| DTC115EET1G | 8N | SC - 75(無(wú)鉛) | 3000 / 卷帶包裝 | |
| DTC115EM3T5G | 8N | SOT - 723(無(wú)鉛) | 8000 / 卷帶包裝 |
需要注意的是,部分器件已停產(chǎn),如MUN2236T1G。對(duì)于新設(shè)計(jì),不建議使用這些停產(chǎn)器件。
典型特性曲線(xiàn)
文檔中還提供了一些典型特性曲線(xiàn),如 (V{CE(sat)}) 與 (I{C}) 的關(guān)系曲線(xiàn)、直流電流增益曲線(xiàn)、輸出電容曲線(xiàn)、輸出電流與輸入電壓的關(guān)系曲線(xiàn)以及輸入電壓與輸出電流的關(guān)系曲線(xiàn)等。這些曲線(xiàn)可以幫助工程師更好地了解器件的性能,在實(shí)際設(shè)計(jì)中進(jìn)行合理的參數(shù)選擇。
機(jī)械尺寸與安裝
文檔詳細(xì)介紹了各種封裝的機(jī)械尺寸和推薦的安裝腳印。不同封裝的尺寸和引腳排列有所不同,工程師在設(shè)計(jì)電路板時(shí)需要根據(jù)具體的封裝選擇合適的布局。同時(shí),文檔還提供了關(guān)于無(wú)鉛策略和焊接細(xì)節(jié)的參考手冊(cè),幫助工程師進(jìn)行正確的焊接和安裝。
總結(jié)
安森美的這一系列數(shù)字晶體管通過(guò)集成偏置電阻網(wǎng)絡(luò),為電子工程師提供了一種簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)、降低成本和節(jié)省電路板空間的有效解決方案。其豐富的特性和多種封裝選擇,使其適用于各種不同的應(yīng)用場(chǎng)景。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師可以根據(jù)具體的需求選擇合適的器件,并參考文檔中的參數(shù)和曲線(xiàn)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。你在使用這些數(shù)字晶體管的過(guò)程中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
-
安森美
+關(guān)注
關(guān)注
33文章
2500瀏覽量
96012 -
電路設(shè)計(jì)
+關(guān)注
關(guān)注
6750文章
2916瀏覽量
220939 -
數(shù)字晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
30瀏覽量
4646
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
安森美數(shù)字晶體管:簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)的理想之選
評(píng)論