安森美數(shù)字晶體管(BRT):簡化電路設(shè)計的理想之選
在電子電路設(shè)計中,如何提高效率、降低成本和節(jié)省空間是工程師們一直追求的目標(biāo)。安森美(onsemi)推出的一系列數(shù)字晶體管(BRT),為解決這些問題提供了有效的方案。本文將詳細(xì)介紹安森美數(shù)字晶體管的特點、參數(shù)以及應(yīng)用相關(guān)信息。
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產(chǎn)品概述
安森美此次介紹的數(shù)字晶體管系列包括MUN2213、MMUN2213L、MUN5213、DTC144EE、DTC144EM3、NSBC144EF3等型號。這些NPN晶體管帶有單片偏置電阻網(wǎng)絡(luò),旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。偏置電阻晶體管(BRT)包含一個帶有由兩個電阻組成的單片偏置網(wǎng)絡(luò)的單個晶體管,即一個串聯(lián)基極電阻和一個基極 - 發(fā)射極電阻,通過將這些單獨的組件集成到一個器件中,消除了它們的獨立存在,從而降低了系統(tǒng)成本并節(jié)省了電路板空間。
產(chǎn)品特點
簡化電路設(shè)計
傳統(tǒng)的晶體管電路設(shè)計需要額外的外部電阻來設(shè)置偏置,而BRT將偏置電阻集成到晶體管內(nèi)部,減少了外部元件的使用,使電路設(shè)計更加簡潔。這對于那些對電路板空間和設(shè)計復(fù)雜度有嚴(yán)格要求的應(yīng)用來說,無疑是一個巨大的優(yōu)勢。
減少電路板空間
由于減少了外部電阻等元件,電路板上的元件數(shù)量減少,從而節(jié)省了寶貴的電路板空間。這對于小型化電子產(chǎn)品的設(shè)計尤為重要,例如可穿戴設(shè)備、智能手機(jī)等。
降低元件數(shù)量
減少元件數(shù)量不僅可以降低成本,還能提高系統(tǒng)的可靠性。因為元件數(shù)量越少,出現(xiàn)故障的概率也就越低。
符合汽車及其他應(yīng)用要求
該系列產(chǎn)品帶有S和NSV前綴,適用于汽車及其他需要獨特站點和控制變更要求的應(yīng)用。并且經(jīng)過AEC - Q101認(rèn)證,具備PPAP能力,能夠滿足汽車電子等對可靠性要求極高的應(yīng)用場景。
環(huán)保特性
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑(BFR),并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),體現(xiàn)了安森美在環(huán)保方面的努力。
產(chǎn)品參數(shù)
最大額定值
| 在環(huán)境溫度 (T_{A}=25^{circ} C) 時,該系列晶體管的最大額定值如下: | 額定參數(shù) | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 基極電壓 | (V_{CBO}) | 50 | (V_{dc}) | |
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | (V_{CEO}) | 50 | (V_{dc}) | |
| 集電極連續(xù)電流 | (I_{C}) | 100 | (mA_{dc}) | |
| 輸入正向電壓 | (V_{IN(fwd)}) | 40 | (V_{dc}) | |
| 輸入反向電壓 | (V_{IN(rev)}) | 10 | (V_{dc}) |
需要注意的是,超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會損壞器件。如果超過這些限制,不能保證器件的功能,可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。
熱特性
不同封裝的熱特性有所不同,以常見的封裝為例:
- SOT - 23:總器件耗散在 (T{A}=25^{circ} C) 時為338mW,25°C以上的降額系數(shù)為1.8mW/°C,結(jié)到引腳的熱阻 (R{theta JL}) 為287°C/W,結(jié)和存儲溫度范圍為 - 55°C至 + 150°C。
- SC - 70/SOT - 323(MUN5213):也有相應(yīng)的熱特性參數(shù),具體可參考文檔中的表格。
電氣特性
| 同樣在 (T_{A}=25^{circ} C) 條件下(除非另有說明),電氣特性如下: | 特性描述 | 符號 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 基極截止電流 ((V{CB}=50V, I{E}=0)) | 100 | (nA_{dc}) | |||
| 集電極 - 發(fā)射極截止電流 ((V{CE}=50V, I{B}=0)) | (I_{CEO}) | 500 | (nA_{dc}) | ||
| 發(fā)射極 - 基極截止電流 ((V{EB}=6.0V, I{C}=0)) | (I_{BO}) | (mA_{dc}) | |||
| 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 ((I{C}=2.0 mA, I{B}=0)) | (V_{(BR)CEO}) | 50 | (V_{dc}) | ||
| 直流電流增益 ((I{C}=5.0 mA, V{CE}=10 V)) | 140 | ||||
| 導(dǎo)通時的輸出電壓 ((V{CC}=5.0 V, V{B}=3.5 V, R_{L}=1.0 kΩ)) | 0.2 | (V_{dc}) | |||
| 截止時的輸出電壓 ((V{CC}=5.0 V, V{B}=0.5 V, R_{L}=1.0 kΩ)) | (V_{OH}) | 4.9 | |||
| 電阻 (R_{1}) | 32.9 | (kΩ) | |||
| 電阻比 (R{1}/R{2}) | 1.2 |
產(chǎn)品的參數(shù)性能是在列出的測試條件下給出的,如果在不同條件下運行,產(chǎn)品性能可能與電氣特性所示不同。部分參數(shù)為脈沖條件,如脈沖寬度 = 300 msec,占空比 ≤ 2%。
訂購信息
| 該系列產(chǎn)品有多種封裝可供選擇,不同封裝的產(chǎn)品在訂購時需要注意其具體的標(biāo)記和包裝信息。例如: | 器件型號 | 部件標(biāo)記 | 封裝 | 包裝數(shù)量 |
|---|---|---|---|---|
| MUN2213T1G, SMUN2213T1G* | 8C | SC - 59(無鉛) | 3000 / 卷帶 | |
| MMUN2213LT1G, SMMUN2213LT1G* | A8C | SOT - 23(無鉛) | 3000 / 卷帶 | |
| SMMUN2213LT3G | A8C | SOT - 23(無鉛) | 10000 / 卷帶 |
需要注意的是,部分器件已經(jīng)停產(chǎn),如NSBC144EF3T5G,不建議用于新設(shè)計。具體信息可參考數(shù)據(jù)表第2頁的表格,也可通過安森美官網(wǎng)獲取最新信息。
機(jī)械尺寸
文檔中還提供了多種封裝的機(jī)械尺寸信息,包括SOT - 23、SC - 59 - 3、SC - 70(SOT - 323)、SC75 - 3、SOT - 1123、SOT - 723等。這些尺寸信息對于電路板布局和焊接非常重要,工程師在設(shè)計時需要根據(jù)實際需求選擇合適的封裝,并嚴(yán)格按照尺寸要求進(jìn)行設(shè)計。
總結(jié)
安森美數(shù)字晶體管(BRT)系列產(chǎn)品以其簡化電路設(shè)計、節(jié)省空間、降低成本等優(yōu)點,為電子工程師提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際應(yīng)用中,工程師可以根據(jù)具體的需求,如工作電壓、電流、熱特性等,選擇合適的型號和封裝。同時,要注意產(chǎn)品的最大額定值和工作條件,確保器件的正常運行和可靠性。你在使用安森美數(shù)字晶體管的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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