安森美數(shù)字晶體管:簡化電路設(shè)計(jì)的理想之選
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,如何簡化電路設(shè)計(jì)、降低成本并節(jié)省電路板空間一直是工程師們關(guān)注的重點(diǎn)。安森美(onsemi)的數(shù)字晶體管系列(BRT)為解決這些問題提供了優(yōu)秀的解決方案。本文將詳細(xì)介紹安森美數(shù)字晶體管的特點(diǎn)、參數(shù)以及相關(guān)應(yīng)用信息。
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產(chǎn)品概述
安森美此次介紹的數(shù)字晶體管系列包括MUN2131、MMUN2131L、MUN5131、DTA123EE、DTA123EM3、NSBA123EF3等型號(hào)。這些PNP晶體管帶有單片偏置電阻網(wǎng)絡(luò),旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。其偏置電阻晶體管(BRT)包含一個(gè)帶有由兩個(gè)電阻組成的單片偏置網(wǎng)絡(luò)的單個(gè)晶體管,即串聯(lián)基極電阻和基極 - 發(fā)射極電阻。通過將這些組件集成到單個(gè)器件中,BRT消除了單獨(dú)的組件,從而降低了系統(tǒng)成本并節(jié)省了電路板空間。
產(chǎn)品特點(diǎn)
簡化電路設(shè)計(jì)
傳統(tǒng)的晶體管電路需要額外的外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)來實(shí)現(xiàn)特定的功能,而安森美的BRT將偏置電阻集成到晶體管中,大大簡化了電路設(shè)計(jì)過程。工程師無需再花費(fèi)大量時(shí)間去計(jì)算和選擇合適的外部電阻,減少了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和出錯(cuò)的可能性。
減少電路板空間
由于BRT將多個(gè)組件集成到一個(gè)器件中,減少了電路板上的組件數(shù)量,從而節(jié)省了寶貴的電路板空間。這對(duì)于空間受限的設(shè)計(jì),如便攜式設(shè)備、小型電子產(chǎn)品等尤為重要。
降低組件數(shù)量
減少組件數(shù)量不僅節(jié)省了電路板空間,還降低了系統(tǒng)的成本。同時(shí),組件數(shù)量的減少也意味著焊點(diǎn)和連接點(diǎn)的減少,提高了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
符合汽車及其他應(yīng)用要求
該系列產(chǎn)品具有S和NSV前綴,適用于汽車及其他需要獨(dú)特站點(diǎn)和控制變更要求的應(yīng)用。它們符合AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備PPAP能力,可滿足汽車電子等對(duì)可靠性和質(zhì)量要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。
環(huán)保特性
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑(BFR),并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),符合環(huán)保要求,有助于工程師設(shè)計(jì)出更環(huán)保的產(chǎn)品。
產(chǎn)品參數(shù)
最大額定值
| 在環(huán)境溫度 (T_{A}=25^{circ}C) 時(shí),該系列數(shù)字晶體管的最大額定值如下: | 額定值 | 符號(hào) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 基極電壓 | (V_{CBO}) | 50 | Vdc | |
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | (V_{CEO}) | 50 | Vdc | |
| 集電極電流 - 連續(xù) | (I_{C}) | 100 | mAdc | |
| 輸入正向電壓 | (V_{IN(fwd)}) | 12 | Vdc | |
| 輸入反向電壓 | (V_{IN(rev)}) | 10 | Vdc |
需要注意的是,超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。如果超過這些限制,不能保證器件的功能,可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。
熱特性
| 不同封裝的數(shù)字晶體管具有不同的熱特性,以下是部分封裝的熱特性參數(shù): | 封裝 | 總器件功耗 (T_{A}=25^{circ}C) | 25°C 以上降額 | 熱阻(結(jié)到環(huán)境) | 結(jié)和存儲(chǔ)溫度范圍 |
|---|---|---|---|---|---|
| SC - 59(MUN2131) | 230mW(注1),338mW(注2) | 1.8mW/°C(注1),2.7mW/°C(注2) | 540°C/W(注1),370°C/W(注2) | -55 至 +150°C | |
| SOT - 23(MMUN2131L) | 246mW(注1),400mW(注2) | 2.0mW/°C(注1),3.2mW/°C(注2) | 508°C/W(注1),311°C/W(注2) | -55 至 +150°C | |
| SC - 70/SOT - 323(MUN5131) | 202mW(注1),310mW(注2) | 1.6mW/°C(注1),2.5mW/°C(注2) | 618°C/W(注1),403°C/W(注2) | -55 至 +150°C |
電氣特性
| 在 (T_{A}=25^{circ}C) 時(shí),該系列數(shù)字晶體管的電氣特性如下: | 特性 | 符號(hào) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 關(guān)斷特性 | ||||||
| 集電極 - 基極截止電流((V{CB}=50V),(I{E}=0)) | (I_{CBO}) | 100 | nAdc | |||
| 集電極 - 發(fā)射極截止電流((V{CE}=50V),(I{B}=0)) | (I_{CEO}) | 500 | nAdc | |||
| 發(fā)射極 - 基極截止電流((V{EB}=6.0V),(I{C}=0)) | (I_{EBO}) | 2.3 | mAdc | |||
| 集電極 - 基極擊穿電壓((I{C}=10A),(I{E}=0)) | (V_{(BR)CBO}) | 50 | Vdc | |||
| 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓(注5)((I{C}=2.0mA),(I{B}=0)) | (V_{(BR)CEO}) | 50 | Vdc | |||
| 導(dǎo)通特性 | ||||||
| 直流電流增益(注5)((I{C}=5.0mA),(V{CE}=10V)) | (h_{FE}) | 8.0 | 15 | |||
| 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(注5)((I{C}=10mA),(I{B}=5.0mA)) | (V_{CE(sat)}) | 0.25 | Vdc | |||
| 輸入電壓(關(guān))((V{CE}=5.0V),(I{C}=100A)) | (V_{i(off)}) | 0.5 | 1.2 | Vdc | ||
| 輸入電壓(開)((V{CE}=0.3V),(I{C}=20mA)) | (V_{i(on)}) | 1.7 | 2.0 | Vdc | ||
| 輸出電壓(開)((V{CC}=5.0V),(V{B}=2.5V),(R_{L}=1.0k)) | (V_{OL}) | 0.2 | Vdc | |||
| 輸出電壓(關(guān))((V{CC}=5.0V),(V{B}=0.25V),(R_{L}=1.0k)) | (V_{OH}) | 4.9 | Vdc | |||
| 輸入電阻 (R_{1}) | 1.5 | 2.2 | 2.9 | k | ||
| 電阻比 (R{1}/R{2}) | 0.8 | 1.0 | 1.2 |
注5:脈沖條件為脈沖寬度 = 300msec,占空比 ≤ 2%。
封裝信息
該系列數(shù)字晶體管提供多種封裝形式,包括SC - 59、SOT - 23、SC - 70/SOT - 323、SC - 75、SOT - 723、SOT - 1123等。每種封裝都有其特定的尺寸和引腳連接方式,具體信息可參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。同時(shí),數(shù)據(jù)手冊(cè)中還提供了每種封裝的機(jī)械外形圖和推薦的安裝 footprint,方便工程師進(jìn)行設(shè)計(jì)。
總結(jié)
安森美的數(shù)字晶體管系列(BRT)以其簡化電路設(shè)計(jì)、減少電路板空間、降低組件數(shù)量等優(yōu)點(diǎn),為電子工程師提供了一種高效、可靠的解決方案。無論是在汽車電子、便攜式設(shè)備還是其他應(yīng)用領(lǐng)域,這些數(shù)字晶體管都能發(fā)揮重要作用。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求選擇合適的型號(hào)和封裝,以實(shí)現(xiàn)最佳的性能和成本效益。你在使用安森美數(shù)字晶體管時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
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