2GB、4GB 240 - Pin DDR2 SD RAM FBDIMM 技術(shù)解析

在當今的電子設(shè)備中，內(nèi)存模塊的性能和穩(wěn)定性對系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。本文將深入探討 Micron 公司的 2GB、4GB（x72, DR）240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM，從其特性、引腳分配、電氣規(guī)格等多個方面進行詳細解析，為電子工程師在設(shè)計過程中提供參考。

文件下載：MT36HTF51272FZ-80EM1D6.pdf

產(chǎn)品概述

Micron 的 FBDIMM 設(shè)備遵循了當前 FBDIMM 的行業(yè)規(guī)范，提供了高帶寬、大容量的內(nèi)存解決方案。該系列產(chǎn)品有 2GB（MT36HTF25672FZ）和 4GB（MT36HTF51272FZ）兩種容量可選，采用 240 - Pin 封裝，具備 DDR2 的功能和操作特性。

產(chǎn)品特性

基本特性

支持 DDR2 功能：完全支持組件數(shù)據(jù)手冊中定義的 DDR2 功能和操作。
高速數(shù)據(jù)傳輸：支持 PC2 - 6400、PC2 - 5300、PC2 - 4200 等數(shù)據(jù)傳輸速率，鏈接傳輸速率可達 3.2 Gb/s、4 Gb/s 或 4.8 Gb/s。
高容量：提供 2GB（256 Meg x 72）和 4GB（512 Meg x 72）兩種容量選擇。
容錯設(shè)計：具備容錯能力，能夠在每個方向上繞過壞的位通道工作。
高密度擴展：每個通道最多可支持八個 FBDIMM 設(shè)備，實現(xiàn)高密度擴展。

測試功能

具備混合信號內(nèi)置自測試（MBIST）和中斷驅(qū)動內(nèi)置自測試（IBIST）功能，還支持 DRAM 測試的透明模式。

電氣特性

電壓要求：DRAM 的 (V{DD}=V{DDQ}=1.8V)，AMB 的 (V{CC}=1.5V)，AMB 和 EEPROM 的 (V{DDSPD}=3 - 3.6V)。
參考電壓：(VREF = 0.9V) 用于 SDRAM 命令和地址終端。
串行存在檢測（SPD）：配備 EEPROM 實現(xiàn) SPD 功能。
其他特性：采用金邊緣觸點，雙列設(shè)計，支持 95°C 高溫操作（2X 刷新）。

關(guān)鍵參數(shù)

時序參數(shù)

不同速度等級的關(guān)鍵時序參數(shù)如下表所示：	Speed Grade	Industry Nomenclature	Data Rate (MT/s)	tRCD (ns)	tRP (ns)
-80E	PC2 - 6400	800	12.5	12.5	55
-667	PC2 - 5300	667	15	15	55
-53E	PC2 - 4200	533	15	15	55

尋址參數(shù)

Parameter	2GB	4GB
Refresh count	8K	8K
Device bank address	4 BA[1:0]	8 BA[2:0]
Device page size per bank	1KB	1KB
Device configuration	512Mb (128 Meg x 4)	1Gb (256 Meg x 4)
Row address	16K A[13:0]	16K A[13:0]
Column address	2K A[11, 9:0]	2K A[11, 9:0]
Module rank address	2 S#[1:0]	2 S#[1:0]

功耗參數(shù)

不同容量和速度等級的功耗參數(shù)如下：	容量	速度等級	IDD_IDLE_0	IDD_IDLE_1	IDD_ACTIVE_1	IDD_ACTIVE_2	IDD_TRAINING	IDD_IBIST
2GB	DDR2 - 667	2600 mA	3400 mA	3900 mA	3700 mA	4000 mA	4500 mA	2500 mA
4GB（Die Rev H）	DDR2 - 667	2600 mA	3400 mA	3900 mA	3700 mA	4000 mA	4500 mA	2500 mA
4GB（Die Rev M）	DDR2 - 667	2600 mA	3400 mA	3900 mA	3700 mA	4000 mA	4500 mA	2500 mA

引腳分配與描述

引腳分配

240 - Pin DDR2 FBDIMM 的引腳分配分為正面和背面，包含多種電源、信號和控制引腳。例如，(V{DD}) 用于 DRAM 電源和 AMB DRAM I/O 電源，(V{CC}) 用于 AMB 核心電源和 AMB 通道接口電源等。

引腳描述

Symbol	Type	Description
PS[9:0]	Input	主要南向數(shù)據(jù)正線
PS#[9:0]	Input	主要南向數(shù)據(jù)負線
SCK	Input	系統(tǒng)時鐘輸入正線
SCK#	Input	系統(tǒng)時鐘輸入負線
SCL	Input	串行存在檢測（SPD）時鐘輸入
SS[9:0]	Input	次要南向數(shù)據(jù)正線
SS#[9:0]	Input	次要南向數(shù)據(jù)負線
PN[13:0]	Output	主要北向數(shù)據(jù)正線
PN#[13:0]	Output	主要北向數(shù)據(jù)負線
SN[13:0]	Output	次要北向數(shù)據(jù)正線
SN#[13:0]	Output	次要北向數(shù)據(jù)負線
VID0	Output	電壓識別，連接到 (V_{SS})，指示模塊上存在 1.5V DRAM
SA[2:0]	I/O	SPD 地址輸入，也用于在 AMB 中選擇 FBDIMM 編號
SDA	I/O	SPD 數(shù)據(jù)輸入/輸出
RESET#	Supply	AMB 復位信號
VCC	Supply	AMB 核心電源和 AMB 通道接口電源（1.5V）
VDD	Supply	DRAM 電源和 AMB DRAM I/O 電源（1.5V）
VTT	Supply	DRAM 時鐘、命令和地址終端電源（(V_{DD}/2)）
VDDSPD	Supply	SPD/AMB SMBus 電源
VSS	Supply	接地
M_TEST	–	用于測試 (V_{REF}) 裕量的外部連接，正常系統(tǒng)操作中不使用
DNU	–	不使用

系統(tǒng)與功能框圖

系統(tǒng)框圖

FBDIMM 通道提供了從主機控制器到 DDR2 SDRAM 設(shè)備陣列的通信路徑，DDR2 SDRAM 設(shè)備通過 AMB 與通道隔離，這種物理隔離增強了通信路徑，提高了內(nèi)存子系統(tǒng)的可靠性和可用性。

功能框圖

詳細展示了 FBDIMM 的內(nèi)部功能結(jié)構(gòu)，有助于工程師理解其工作原理和信號傳輸路徑。

電氣規(guī)格

絕對最大額定值

Parameter	Symbol	Min	Max	Units
Voltage on any pin relative to (V_{SS})	(V{IN}), (V{OUT})	–0.3	+1.75	V
Voltage on (V{CC}) pin relative to (V{SS})	(V_{CC})	–0.3	+1.75	V
Voltage on (V{DD}) pin relative to (V{SS})	(V_{DD})	–0.5	+2.3	V
Voltage on (V{TT}) pin relative to (V{SS})	(V_{TT})	–0.5	+2.3	V
DDR2 SDRAM device operating case temperature	(T_{C})	0	+95	°C
AMB device operating temperature		0	+110	°C

輸入直流電壓和操作條件

Parameter	Symbol	Min	Nom	Max	Units
AMB supply voltage	(V_{CC})	1.46	1.5	1.54	V
DDR2 SDRAM supply voltage	(V_{DD})	1.7	1.8	1.9	V
Termination voltage	(V_{TT})	0.48 × (V_{DD})	0.5 × (V_{DD})	0.52 × (V_{DD})	V
EEPROM supply voltage	(V_{DDSPD})	3	3.3	3.6	V
SPD input high (logic 1) voltage	(V_{IH(DC)})	2.1	–	(V_{DDSPD})	V
SPD input low (logic 0) voltage	(V_{IL(DC)})	–	–	0.8	V
RESET input high (logic 1) voltage	(V_{IH(DC)})	1	–	–	V
RESET input low (logic 0) voltage	(V_{IL(DC)})	–	–	0.5	V
Leakage current (RESET)	(l_{L})	–90	–	+90	μA
Leakage current (link)	(l_{L})	–5	–	+5	μA

時鐘速率

FBDIMM Link Data Rate	Reference Clock	DRAM Clock	DRAM Data Rate
3.2 Gb/s	133 MHz	266 MHz	533 Mb/s
4.0 Gb/s	167 MHz	333 MHz	666 Mb/s
4.8 Gb/s	200 MHz	400 MHz	800 Mb/s

串行存在檢測（SPD）

SPD 功能通過 EEPROM 實現(xiàn)，其直流和交流操作條件如下：

直流操作條件

Parameter/Condition	Symbol	Min	Max	Units
EEPROM and AMB supply voltage	(V_{DDSPD})	3	3.6	V
Input high voltage: Logic 1; all inputs	(V_{IH})	(V_{DDSPD}) × 0.7	(V_{DDSPD}) + 0.5	V
Input low voltage: Logic 0; all inputs	(V_{IL})	–0.6	(V_{DDSPD}) × 0.3	V
Output low voltage: (I_{OUT}=3mA)	(V_{OL})	–	0.4	V
Input leakage current: (V{IN}=GND) to (V{DD})	(I_{LI})	0.10	3	μA
Output leakage current: (V{OUT}=GND) to (V{DD})	(I_{LO})	0.05	3	μA
Standby current	(I_{SB})	1.6	4	μA
Power supply current, READ: SCL clock frequency = 100 kHz	(I_{CCR})	0.4	1	mA
Power supply current, WRITE: SCL clock frequency = 100 kHz	(I_{CCW})	2	3	mA

交流操作條件

Parameter/Condition	Symbol	Min	Max	Units
SCL LOW to SDA data - out valid	(t_{AA})	0.2	0.9	μs
Time the bus must be free before a new transition can start	(t_{BUF})	1.3	–	μs
Data - out hold time	(t_{DH})	200	–	ns
SDA and SCL fall time	(t_{F})	–	300	ns
Data - in hold time	(t_{HD:DAT})	0	–	μs
Start condition hold time	(t_{HD:STA})	0.6	–	μs
Clock HIGH period	(t_{HIGH})	0.6	–	μs
Noise suppression time constant at SCL, SDA inputs	(t_{I})	–	50	ns
Clock LOW period	(t_{LOW})	1.3	–	μs
SDA and SCL rise time	(t_{R})	–	0.3	μs
SCL clock frequency	(f_{SCL})	–	400	kHz

模塊尺寸

模塊尺寸圖為工程師提供了物理布局的參考，所有尺寸以毫米（英寸）為單位，圖中標注了 MAX/MIN 或典型（TYP）值。

綜上所述，Micron 的 2GB、4GB 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM 是一款性能出色、功能豐富的內(nèi)存模塊。電子工程師在進行系統(tǒng)設(shè)計時，需要綜合考慮其特性、參數(shù)和電氣規(guī)格，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高性能。你在實際設(shè)計中是否遇到過類似內(nèi)存模塊的應(yīng)用問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。舉報投訴

日B视频亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

搜索歷史

2GB、4GB 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM 技術(shù)解析