2GB (x72, DR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM技術(shù)解析
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,內(nèi)存模塊的性能和特性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用。今天,我們來(lái)詳細(xì)解析一下2GB (x72, DR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM這款內(nèi)存模塊。
文件下載:MT18RTF25672FDZ-667H1D6.pdf
一、產(chǎn)品特性
1. 物理特性
- 引腳與封裝:它采用240 - pin的完全緩沖DIMM(FBDIMM)封裝,模塊高度為30.35mm(1.19in)。
- 低功耗設(shè)計(jì):工作電壓為1.55V,相比標(biāo)準(zhǔn)的1.8V FBDIMM,功耗更低。不過(guò),其定時(shí)和操作參數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)FBDIMM相同,這使得它能夠與為標(biāo)準(zhǔn)FBDIMM設(shè)計(jì)的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)向后兼容。
- 組件配置:組件配置為256 Meg x 8,且為雙列設(shè)計(jì),同時(shí)符合無(wú)鹵標(biāo)準(zhǔn)。
2. 電氣特性
- 電壓范圍:DDR2 SDRAM的工作電壓范圍為 (1.5 V ≤V{DD} ≤1.9 V),高級(jí)內(nèi)存緩沖器(AMB)DRAM I/O的工作電壓同樣為 (1.5 V ≤V{DD} ≤1.9 V),典型值 (V_{DD}=1.55 V)。
- 頻率與延遲:頻率方面,有DDR2 - 667(3.0ns @ CL = 5)的選項(xiàng)。這里的CL(CAS READ latency)為5,不同速度等級(jí)對(duì)應(yīng)不同的數(shù)據(jù)速率和關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)。例如,-667速度等級(jí)對(duì)應(yīng)PC2 - 5300,數(shù)據(jù)速率為667MT/s 。
二、尋址與參數(shù)
1. 尋址參數(shù)
| Parameter | 2GB |
|---|---|
| Refresh count | 8K |
| Device bank address | 8 BA[2:0] |
| Device page size per bank | 1KB |
| Device configuration | 1Gb (256 Meg x 8) |
| Row address | 16K A[13:0] |
| Column address | 1K A[9:0] |
| Module rank address | 2 S#[1:0] |
2. 部件編號(hào)與時(shí)序參數(shù)
以MT18RTF25672FDZ - 667為例,其模塊密度為2GB,配置為256 Meg x 72,模塊帶寬為PC2 - 5300,內(nèi)存時(shí)鐘/數(shù)據(jù)速率為3.0ns/667 MT/s,時(shí)鐘周期為5 - 5 - 5,鏈路傳輸速率為4.0 GT/s 。
三、引腳分配與描述
1. 引腳分配
該模塊的240個(gè)引腳在前后兩面有詳細(xì)的分配,包括電源引腳(如VDD、VCC、VTT等)、數(shù)據(jù)引腳(如PS[9:0]、PS#[9:0]、PN[13:0]、PN#[13:0]等)、時(shí)鐘引腳(如SCK、SCK#)、控制引腳(如RESET#)等。其中,部分信號(hào)為循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)位,其順序可能與正常序列不同。
2. 引腳描述
不同引腳具有不同的功能,例如:
- 數(shù)據(jù)引腳:PS[9:0]和PS#[9:0]為主要南向數(shù)據(jù)的正負(fù)線(xiàn);PN[13:0]和PN#[13:0]為主要北向數(shù)據(jù)的正負(fù)線(xiàn)。
- 時(shí)鐘引腳:SCK和SCK#為系統(tǒng)時(shí)鐘輸入的正負(fù)線(xiàn)。
- 控制引腳:RESET#為AMB復(fù)位信號(hào)。
四、電氣規(guī)格
1. 絕對(duì)最大額定值
| Parameter | Symbol | Min | Max | Units | Notes |
|---|---|---|---|---|---|
| Voltage on any signal pin relative to V SS | V IN, V OUT | –0.3 | 1.75 | V | 1 |
| Voltage on V CC pin relative to V SS | V CC | –0.3 | 1.75 | V | |
| Voltage on V DD pin relative to V SS | V DD | –0.5 | 2.3 | V | |
| Voltage on V TT pin relative to V SS | V TT | –0.5 | 2.3 | V | |
| DDR2 SDRAM device operating case temperature | T C | 0 | 95 | °C | 2, 3 |
| AMB device operating case temperature | 0 | 110 | °C |
2. 輸入直流電壓和操作條件
| Parameter | Symbol | Min | Nom | Max | Units | Notes |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AMB supply voltage | V CC | 1.455 | 1.50 | 1.575 | V | |
| DDR2 SDRAM supply voltage | V DD | 1.5 | 1.55 | 1.9 | V | |
| Termination voltage | V TT | 0.48 × V DD | 0.50 × V DD | 0.52 × V DD | V | |
| EEPROM supply voltage | V DDSPD | 3.0 | – | 3.6 | V | 1 |
| SPD input high (logic 1) voltage | V IH(DC) | 2.1 | – | V DDSPD | V | 2 |
| SPD input low (logic 0) voltage | V IL(DC) | –0.6 | – | 0.8 | V | 2 |
| RESET input high (logic 1) voltage | V IH(DC) | 1.0 | – | – | V | 3 |
| RESET input low (logic 0) voltage | V IL(DC) | – | – | 0.5 | V | 2 |
| Leakage current (RESET) | I L | –90 | – | 90 | μA | 3 |
| Leakage current (link) | I L | –5 | – | 5 | μA | 4 |
五、IDD規(guī)格與條件
1. IDD條件
不同的工作狀態(tài)對(duì)應(yīng)不同的IDD條件,如空閑狀態(tài)(I DD_IDLE_0、I DD_IDLE_1)、活動(dòng)狀態(tài)(I DD_ACTIVE_1、I DD_ACTIVE_2)、訓(xùn)練狀態(tài)(I DD_TRAINING)、內(nèi)置自測(cè)試狀態(tài)(I DD_IBIST)和電氣空閑狀態(tài)(I DD_EI)等。
2. IDD規(guī)格
| 對(duì)于2GB DDR2 - 667,不同狀態(tài)下的I CC、I DD和總功率如下: | Symbol | I DD_IDLE_0 | I DD_IDLE_1 | I DD_ACTIVE_1 | I DD_ACTIVE_2 | I DD_TRAINING | I DD_IBIST | I DD_EI | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| I CC | 2600 | 3400 | 3900 | 3700 | 4000 | 4500 | 2500 | A | |
| I DD | 1150 | 1150 | 2178 | 1150 | 1150 | 1150 | 326 | A | |
| Total power | 6.3 | 7.5 | 10.3 | 8 | 8.5 | 9.3 | 4.6 | W |
六、模塊尺寸
模塊尺寸圖為設(shè)計(jì)提供了參考,所有尺寸以毫米(英寸)為單位,同時(shí)需要注意這只是參考圖,實(shí)際尺寸可能會(huì)有一定差異。
在設(shè)計(jì)電子系統(tǒng)時(shí),了解這些詳細(xì)的特性和參數(shù)對(duì)于選擇合適的內(nèi)存模塊至關(guān)重要。各位工程師在實(shí)際應(yīng)用中,需要根據(jù)具體的系統(tǒng)需求來(lái)綜合考慮這些因素,你在使用這類(lèi)內(nèi)存模塊時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享。
-
內(nèi)存模塊
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
167瀏覽量
9260
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
2GB (x72, DR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM技術(shù)解析
評(píng)論