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2GB (x72, DR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM技術(shù)解析

chencui ? 2026-06-07 09:05 ? 次閱讀
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2GB (x72, DR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM技術(shù)解析

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,內(nèi)存模塊的性能和特性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用。今天,我們來(lái)詳細(xì)解析一下2GB (x72, DR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM這款內(nèi)存模塊。

文件下載:MT18RTF25672FDZ-667H1D6.pdf

一、產(chǎn)品特性

1. 物理特性

  • 引腳與封裝:它采用240 - pin的完全緩沖DIMM(FBDIMM)封裝,模塊高度為30.35mm(1.19in)。
  • 低功耗設(shè)計(jì):工作電壓為1.55V,相比標(biāo)準(zhǔn)的1.8V FBDIMM,功耗更低。不過(guò),其定時(shí)和操作參數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)FBDIMM相同,這使得它能夠與為標(biāo)準(zhǔn)FBDIMM設(shè)計(jì)的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)向后兼容。
  • 組件配置:組件配置為256 Meg x 8,且為雙列設(shè)計(jì),同時(shí)符合無(wú)鹵標(biāo)準(zhǔn)。

2. 電氣特性

  • 電壓范圍:DDR2 SDRAM的工作電壓范圍為 (1.5 V ≤V{DD} ≤1.9 V),高級(jí)內(nèi)存緩沖器(AMB)DRAM I/O的工作電壓同樣為 (1.5 V ≤V{DD} ≤1.9 V),典型值 (V_{DD}=1.55 V)。
  • 頻率與延遲:頻率方面,有DDR2 - 667(3.0ns @ CL = 5)的選項(xiàng)。這里的CL(CAS READ latency)為5,不同速度等級(jí)對(duì)應(yīng)不同的數(shù)據(jù)速率和關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)。例如,-667速度等級(jí)對(duì)應(yīng)PC2 - 5300,數(shù)據(jù)速率為667MT/s 。

二、尋址與參數(shù)

1. 尋址參數(shù)

Parameter 2GB
Refresh count 8K
Device bank address 8 BA[2:0]
Device page size per bank 1KB
Device configuration 1Gb (256 Meg x 8)
Row address 16K A[13:0]
Column address 1K A[9:0]
Module rank address 2 S#[1:0]

2. 部件編號(hào)與時(shí)序參數(shù)

以MT18RTF25672FDZ - 667為例,其模塊密度為2GB,配置為256 Meg x 72,模塊帶寬為PC2 - 5300,內(nèi)存時(shí)鐘/數(shù)據(jù)速率為3.0ns/667 MT/s,時(shí)鐘周期為5 - 5 - 5,鏈路傳輸速率為4.0 GT/s 。

三、引腳分配與描述

1. 引腳分配

該模塊的240個(gè)引腳在前后兩面有詳細(xì)的分配,包括電源引腳(如VDD、VCC、VTT等)、數(shù)據(jù)引腳(如PS[9:0]、PS#[9:0]、PN[13:0]、PN#[13:0]等)、時(shí)鐘引腳(如SCK、SCK#)、控制引腳(如RESET#)等。其中,部分信號(hào)為循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)位,其順序可能與正常序列不同。

2. 引腳描述

不同引腳具有不同的功能,例如:

  • 數(shù)據(jù)引腳:PS[9:0]和PS#[9:0]為主要南向數(shù)據(jù)的正負(fù)線(xiàn);PN[13:0]和PN#[13:0]為主要北向數(shù)據(jù)的正負(fù)線(xiàn)。
  • 時(shí)鐘引腳:SCK和SCK#為系統(tǒng)時(shí)鐘輸入的正負(fù)線(xiàn)。
  • 控制引腳:RESET#為AMB復(fù)位信號(hào)。

四、電氣規(guī)格

1. 絕對(duì)最大額定值

Parameter Symbol Min Max Units Notes
Voltage on any signal pin relative to V SS V IN, V OUT –0.3 1.75 V 1
Voltage on V CC pin relative to V SS V CC –0.3 1.75 V
Voltage on V DD pin relative to V SS V DD –0.5 2.3 V
Voltage on V TT pin relative to V SS V TT –0.5 2.3 V
DDR2 SDRAM device operating case temperature T C 0 95 °C 2, 3
AMB device operating case temperature 0 110 °C

2. 輸入直流電壓和操作條件

Parameter Symbol Min Nom Max Units Notes
AMB supply voltage V CC 1.455 1.50 1.575 V
DDR2 SDRAM supply voltage V DD 1.5 1.55 1.9 V
Termination voltage V TT 0.48 × V DD 0.50 × V DD 0.52 × V DD V
EEPROM supply voltage V DDSPD 3.0 3.6 V 1
SPD input high (logic 1) voltage V IH(DC) 2.1 V DDSPD V 2
SPD input low (logic 0) voltage V IL(DC) –0.6 0.8 V 2
RESET input high (logic 1) voltage V IH(DC) 1.0 V 3
RESET input low (logic 0) voltage V IL(DC) 0.5 V 2
Leakage current (RESET) I L –90 90 μA 3
Leakage current (link) I L –5 5 μA 4

五、IDD規(guī)格與條件

1. IDD條件

不同的工作狀態(tài)對(duì)應(yīng)不同的IDD條件,如空閑狀態(tài)(I DD_IDLE_0、I DD_IDLE_1)、活動(dòng)狀態(tài)(I DD_ACTIVE_1、I DD_ACTIVE_2)、訓(xùn)練狀態(tài)(I DD_TRAINING)、內(nèi)置自測(cè)試狀態(tài)(I DD_IBIST)和電氣空閑狀態(tài)(I DD_EI)等。

2. IDD規(guī)格

對(duì)于2GB DDR2 - 667,不同狀態(tài)下的I CC、I DD和總功率如下: Symbol I DD_IDLE_0 I DD_IDLE_1 I DD_ACTIVE_1 I DD_ACTIVE_2 I DD_TRAINING I DD_IBIST I DD_EI Units
I CC 2600 3400 3900 3700 4000 4500 2500 A
I DD 1150 1150 2178 1150 1150 1150 326 A
Total power 6.3 7.5 10.3 8 8.5 9.3 4.6 W

六、模塊尺寸

模塊尺寸圖為設(shè)計(jì)提供了參考,所有尺寸以毫米(英寸)為單位,同時(shí)需要注意這只是參考圖,實(shí)際尺寸可能會(huì)有一定差異。

在設(shè)計(jì)電子系統(tǒng)時(shí),了解這些詳細(xì)的特性和參數(shù)對(duì)于選擇合適的內(nèi)存模塊至關(guān)重要。各位工程師在實(shí)際應(yīng)用中,需要根據(jù)具體的系統(tǒng)需求來(lái)綜合考慮這些因素,你在使用這類(lèi)內(nèi)存模塊時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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