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4GB (x72, QR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM的技術(shù)剖析

chencui ? 2026-06-06 15:30 ? 次閱讀
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4GB (x72, QR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM的技術(shù)剖析

在當(dāng)今的電子設(shè)備中,內(nèi)存模塊的性能和穩(wěn)定性對系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來深入了解一下4GB (x72, QR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM這款內(nèi)存模塊,看看它都有哪些獨(dú)特的特性和設(shè)計(jì)。

文件下載:MT36HTF51272FDZ-667H1N8.pdf

一、產(chǎn)品特性

1. 基本規(guī)格

  • 接口類型:240 - pin的DDR2全緩沖DIMM(FBDIMM),支持PC2 - 4200、PC2 - 5300或PC2 - 6400等數(shù)據(jù)傳輸速率。
  • 容量:高達(dá)4GB(512 Meg x 72),能滿足大多數(shù)系統(tǒng)對大容量內(nèi)存的需求。
  • 傳輸速率:具備3.2 Gb/s、4 Gb/s和4.8 Gb/s的鏈路傳輸速率,確保數(shù)據(jù)的快速傳輸。

2. 技術(shù)優(yōu)勢

  • 高速鏈接:采用1.5V差分、點(diǎn)對點(diǎn)鏈路連接主機(jī)內(nèi)存控制器和高級內(nèi)存緩沖器(AMB),提升數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣群头€(wěn)定性。
  • 容錯(cuò)能力:具備容錯(cuò)功能,能夠在每個(gè)方向上繞過壞的位通道,保證數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性。
  • 高密度擴(kuò)展:每個(gè)通道最多可支持八個(gè)FBDIMM設(shè)備,實(shí)現(xiàn)內(nèi)存容量的高密度擴(kuò)展。
  • SMBus接口:通過SMBus接口訪問AMB的配置寄存器,方便進(jìn)行配置和管理。
  • 確定性協(xié)議:使內(nèi)存控制器能夠優(yōu)化DRAM訪問,實(shí)現(xiàn)最大性能,提供精確控制和可重復(fù)的內(nèi)存行為。
  • 自動(dòng)校準(zhǔn):具備自動(dòng)DDR2 SDRAM總線和通道校準(zhǔn)功能,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
  • 發(fā)射預(yù)加重:采用發(fā)射預(yù)加重技術(shù)減少碼間干擾(ISI),提高信號質(zhì)量。

3. 其他特性

  • 測試功能:具備MBIST和IBIST測試功能,方便進(jìn)行內(nèi)存測試。
  • 透明模式:支持DRAM測試的透明模式,便于故障排查和維護(hù)。
  • 工作電壓:DRAM的(V{DD}=V{DDQ}=1.8V),AMB的(V{CC}=1.5V),(V{DDSPD}=3 - 3.6V)用于AMB和EEPROM
  • SPD功能:配備帶EEPROM的串行存在檢測(SPD),方便系統(tǒng)識別內(nèi)存模塊的參數(shù)。
  • 金手指設(shè)計(jì):采用金邊緣觸點(diǎn),提高電氣連接的可靠性。
  • 四通道支持:支持四通道操作,提升內(nèi)存帶寬。
  • 高溫工作能力:支持在95°C環(huán)境下工作,且具備2X刷新功能,適應(yīng)不同的工作環(huán)境。

二、關(guān)鍵參數(shù)

1. 時(shí)序參數(shù)

Speed Grade Industry Nomenclature Data Rate (MT/s) tRCD (ns) tRP (ns) tRC (ns)
-80E PC2 - 6400 800 12.5 12.5 55
-667 PC2 - 5300 667 15 15 55
-53E PC2 - 4200 533 15 15 55

2. 尋址參數(shù)

Parameter 4GB
Refresh count 8K
Device bank address 8 BA[2:0]
Device configuration 1Gb (128 Meg x 8)
Row address 16K A[13:0]
Column address 1K A[9:0]
Module rank address 4 S#[3:0]

3. 功耗參數(shù)

以4GB DDR2 - 667為例: Symbol IDD_IDLE_0 IDD_IDLE_1 IDD_ACTIVE_1 IDD_ACTIVE_2 IDD_TRAINING IDD_IBIST IDD_EI Units
ICC 2600 3400 3900 3700 4000 4500 2500 mA
IDD 2680 2680 2612 2680 2580 2680 560 mA
Total power 9.2 10.4 11.1 10.9 11.4 12.2 5 W

三、引腳分配與描述

1. 引腳分配

文檔詳細(xì)給出了240 - Pin FBDIMM前后的引腳分配情況,包括電源引腳(如(V{DD})、(V{CC})、(V{TT})、(V{DDSPD})、(V_{SS}))、數(shù)據(jù)引腳(如PS[9:0]、PS#[9:0]、SS[9:0]、SS#[9:0]、PN[13:0]、PN#[13:0]、SN[13:0]、SN#[13:0])、時(shí)鐘引腳(如SCK、SCK#)、控制引腳(如RESET#)等。需要注意的是,部分信號為循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)位,其排列順序可能與正常序列不同。

2. 引腳描述

Symbol Type Description
PS[9:0] Input 主南向數(shù)據(jù)正線
PS#[9:0] Input 主南向數(shù)據(jù)負(fù)線
SCK Input 系統(tǒng)時(shí)鐘輸入正線
SCK# Input 系統(tǒng)時(shí)鐘輸入負(fù)線
SCL Input 串行存在檢測(SPD)時(shí)鐘輸入
SS[9:0] Input 次南向數(shù)據(jù)正線
SS#[9:0] Input 次南向數(shù)據(jù)負(fù)線
PN[13:0] Output 主北向數(shù)據(jù)正線
PN#[13:0] Output 主北向數(shù)據(jù)負(fù)線
SN[13:0] Output 次北向數(shù)據(jù)正線
SN#[13:0] Output 次北向數(shù)據(jù)負(fù)線
SA[2:0] I/O SPD地址輸入,也用于在AMB中選擇FBDIMM編號
SDA I/O SPD數(shù)據(jù)輸入/輸出
RESET# Supply AMB復(fù)位信號
VCC Supply AMB核心電源和AMB通道接口電源(1.5V)
VDD Supply DRAM電源和AMB DRAM I/O電源(1.8V)
VTT Supply DRAM時(shí)鐘、命令和地址終端電源((V_{DD}/2))
VDDSPD Supply SPD/AMB SMBus電源(3.3V)
VSS Supply 接地
M_TEST 用于測試(V_{REF})的裕量,正常系統(tǒng)操作中不使用
DNU 不使用
NC 未連接

四、系統(tǒng)與功能框圖

1. 系統(tǒng)框圖

系統(tǒng)框圖展示了FBDIMM通道從主機(jī)控制器到DDR2 SDRAM設(shè)備陣列的通信路徑,DDR2 SDRAM設(shè)備通過AMB設(shè)備進(jìn)行緩沖。這種物理隔離增強(qiáng)了通信路徑,顯著提高了內(nèi)存子系統(tǒng)的可靠性和可用性。

2. 功能框圖

功能框圖詳細(xì)展示了模塊的內(nèi)部功能結(jié)構(gòu),有助于工程師深入了解模塊的工作原理。

五、串行存在檢測(SPD)

1. EEPROM直流工作條件

Parameter/Condition Symbol Min Max Units
EEPROM and AMB supply voltage VDDSPD 3 3.6 V
Input high voltage: Logic 1; all inputs VIH VDDSPD × 0.7 VDDSPD + 0.5 V
Input low voltage: Logic 0; all inputs VIL –0.6 VDDSPD × 0.3 V
Output low voltage: IOUT = 3mA VOL 0.4 V
Input leakage current: VIN = GND to VDD ILI 0.10 3 μA
Output leakage current: VOUT = GND to VDD ILO 0.05 3 μA
Standby current ISB 1.6 4 μA
Power supply current, READ: SCL clock frequency = 100 kHz ICCR 0.4 1 mA
Power supply current, WRITE: SCL clock frequency = 100 kHz ICCW 2 3 mA

2. EEPROM交流工作條件

文檔還給出了EEPROM的交流工作條件,包括各種時(shí)間參數(shù)(如(t{AA})、(t{BUF})、(t_{DH})等)和時(shí)鐘頻率等。對于最新的串行存在檢測數(shù)據(jù),可參考Micron的SPD頁面:www.micron.com/SPD。

六、模塊尺寸

模塊尺寸圖以毫米(英寸)為單位給出了240 - Pin DDR2 FBDIMM的尺寸信息,不過該圖僅作參考,完整的設(shè)計(jì)尺寸需參考JEDEC MO文檔。

綜上所述,4GB (x72, QR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM是一款性能出色、功能豐富的內(nèi)存模塊,在高速數(shù)據(jù)傳輸、大容量存儲(chǔ)和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)優(yōu)異。電子工程師設(shè)計(jì)相關(guān)系統(tǒng)時(shí),可以根據(jù)這些特性和參數(shù)進(jìn)行合理的選擇和應(yīng)用。大家在實(shí)際使用過程中有沒有遇到過類似內(nèi)存模塊的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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