4GB (x72, QR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM的技術(shù)剖析
在當(dāng)今的電子設(shè)備中,內(nèi)存模塊的性能和穩(wěn)定性對系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來深入了解一下4GB (x72, QR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM這款內(nèi)存模塊,看看它都有哪些獨(dú)特的特性和設(shè)計(jì)。
文件下載:MT36HTF51272FDZ-667H1N8.pdf
一、產(chǎn)品特性
1. 基本規(guī)格
- 接口類型:240 - pin的DDR2全緩沖DIMM(FBDIMM),支持PC2 - 4200、PC2 - 5300或PC2 - 6400等數(shù)據(jù)傳輸速率。
- 容量:高達(dá)4GB(512 Meg x 72),能滿足大多數(shù)系統(tǒng)對大容量內(nèi)存的需求。
- 傳輸速率:具備3.2 Gb/s、4 Gb/s和4.8 Gb/s的鏈路傳輸速率,確保數(shù)據(jù)的快速傳輸。
2. 技術(shù)優(yōu)勢
- 高速鏈接:采用1.5V差分、點(diǎn)對點(diǎn)鏈路連接主機(jī)內(nèi)存控制器和高級內(nèi)存緩沖器(AMB),提升數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣群头€(wěn)定性。
- 容錯(cuò)能力:具備容錯(cuò)功能,能夠在每個(gè)方向上繞過壞的位通道,保證數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性。
- 高密度擴(kuò)展:每個(gè)通道最多可支持八個(gè)FBDIMM設(shè)備,實(shí)現(xiàn)內(nèi)存容量的高密度擴(kuò)展。
- SMBus接口:通過SMBus接口訪問AMB的配置寄存器,方便進(jìn)行配置和管理。
- 確定性協(xié)議:使內(nèi)存控制器能夠優(yōu)化DRAM訪問,實(shí)現(xiàn)最大性能,提供精確控制和可重復(fù)的內(nèi)存行為。
- 自動(dòng)校準(zhǔn):具備自動(dòng)DDR2 SDRAM總線和通道校準(zhǔn)功能,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
- 發(fā)射預(yù)加重:采用發(fā)射預(yù)加重技術(shù)減少碼間干擾(ISI),提高信號質(zhì)量。
3. 其他特性
- 測試功能:具備MBIST和IBIST測試功能,方便進(jìn)行內(nèi)存測試。
- 透明模式:支持DRAM測試的透明模式,便于故障排查和維護(hù)。
- 工作電壓:DRAM的(V{DD}=V{DDQ}=1.8V),AMB的(V{CC}=1.5V),(V{DDSPD}=3 - 3.6V)用于AMB和EEPROM。
- SPD功能:配備帶EEPROM的串行存在檢測(SPD),方便系統(tǒng)識別內(nèi)存模塊的參數(shù)。
- 金手指設(shè)計(jì):采用金邊緣觸點(diǎn),提高電氣連接的可靠性。
- 四通道支持:支持四通道操作,提升內(nèi)存帶寬。
- 高溫工作能力:支持在95°C環(huán)境下工作,且具備2X刷新功能,適應(yīng)不同的工作環(huán)境。
二、關(guān)鍵參數(shù)
1. 時(shí)序參數(shù)
| Speed Grade | Industry Nomenclature | Data Rate (MT/s) | tRCD (ns) | tRP (ns) | tRC (ns) |
|---|---|---|---|---|---|
| -80E | PC2 - 6400 | 800 | 12.5 | 12.5 | 55 |
| -667 | PC2 - 5300 | 667 | 15 | 15 | 55 |
| -53E | PC2 - 4200 | 533 | 15 | 15 | 55 |
2. 尋址參數(shù)
| Parameter | 4GB |
|---|---|
| Refresh count | 8K |
| Device bank address | 8 BA[2:0] |
| Device configuration | 1Gb (128 Meg x 8) |
| Row address | 16K A[13:0] |
| Column address | 1K A[9:0] |
| Module rank address | 4 S#[3:0] |
3. 功耗參數(shù)
| 以4GB DDR2 - 667為例: | Symbol | IDD_IDLE_0 | IDD_IDLE_1 | IDD_ACTIVE_1 | IDD_ACTIVE_2 | IDD_TRAINING | IDD_IBIST | IDD_EI | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ICC | 2600 | 3400 | 3900 | 3700 | 4000 | 4500 | 2500 | mA | |
| IDD | 2680 | 2680 | 2612 | 2680 | 2580 | 2680 | 560 | mA | |
| Total power | 9.2 | 10.4 | 11.1 | 10.9 | 11.4 | 12.2 | 5 | W |
三、引腳分配與描述
1. 引腳分配
文檔詳細(xì)給出了240 - Pin FBDIMM前后的引腳分配情況,包括電源引腳(如(V{DD})、(V{CC})、(V{TT})、(V{DDSPD})、(V_{SS}))、數(shù)據(jù)引腳(如PS[9:0]、PS#[9:0]、SS[9:0]、SS#[9:0]、PN[13:0]、PN#[13:0]、SN[13:0]、SN#[13:0])、時(shí)鐘引腳(如SCK、SCK#)、控制引腳(如RESET#)等。需要注意的是,部分信號為循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)位,其排列順序可能與正常序列不同。
2. 引腳描述
| Symbol | Type | Description |
|---|---|---|
| PS[9:0] | Input | 主南向數(shù)據(jù)正線 |
| PS#[9:0] | Input | 主南向數(shù)據(jù)負(fù)線 |
| SCK | Input | 系統(tǒng)時(shí)鐘輸入正線 |
| SCK# | Input | 系統(tǒng)時(shí)鐘輸入負(fù)線 |
| SCL | Input | 串行存在檢測(SPD)時(shí)鐘輸入 |
| SS[9:0] | Input | 次南向數(shù)據(jù)正線 |
| SS#[9:0] | Input | 次南向數(shù)據(jù)負(fù)線 |
| PN[13:0] | Output | 主北向數(shù)據(jù)正線 |
| PN#[13:0] | Output | 主北向數(shù)據(jù)負(fù)線 |
| SN[13:0] | Output | 次北向數(shù)據(jù)正線 |
| SN#[13:0] | Output | 次北向數(shù)據(jù)負(fù)線 |
| SA[2:0] | I/O | SPD地址輸入,也用于在AMB中選擇FBDIMM編號 |
| SDA | I/O | SPD數(shù)據(jù)輸入/輸出 |
| RESET# | Supply | AMB復(fù)位信號 |
| VCC | Supply | AMB核心電源和AMB通道接口電源(1.5V) |
| VDD | Supply | DRAM電源和AMB DRAM I/O電源(1.8V) |
| VTT | Supply | DRAM時(shí)鐘、命令和地址終端電源((V_{DD}/2)) |
| VDDSPD | Supply | SPD/AMB SMBus電源(3.3V) |
| VSS | Supply | 接地 |
| M_TEST | – | 用于測試(V_{REF})的裕量,正常系統(tǒng)操作中不使用 |
| DNU | – | 不使用 |
| NC | – | 未連接 |
四、系統(tǒng)與功能框圖
1. 系統(tǒng)框圖
系統(tǒng)框圖展示了FBDIMM通道從主機(jī)控制器到DDR2 SDRAM設(shè)備陣列的通信路徑,DDR2 SDRAM設(shè)備通過AMB設(shè)備進(jìn)行緩沖。這種物理隔離增強(qiáng)了通信路徑,顯著提高了內(nèi)存子系統(tǒng)的可靠性和可用性。
2. 功能框圖
功能框圖詳細(xì)展示了模塊的內(nèi)部功能結(jié)構(gòu),有助于工程師深入了解模塊的工作原理。
五、串行存在檢測(SPD)
1. EEPROM直流工作條件
| Parameter/Condition | Symbol | Min | Max | Units |
|---|---|---|---|---|
| EEPROM and AMB supply voltage | VDDSPD | 3 | 3.6 | V |
| Input high voltage: Logic 1; all inputs | VIH | VDDSPD × 0.7 | VDDSPD + 0.5 | V |
| Input low voltage: Logic 0; all inputs | VIL | –0.6 | VDDSPD × 0.3 | V |
| Output low voltage: IOUT = 3mA | VOL | – | 0.4 | V |
| Input leakage current: VIN = GND to VDD | ILI | 0.10 | 3 | μA |
| Output leakage current: VOUT = GND to VDD | ILO | 0.05 | 3 | μA |
| Standby current | ISB | 1.6 | 4 | μA |
| Power supply current, READ: SCL clock frequency = 100 kHz | ICCR | 0.4 | 1 | mA |
| Power supply current, WRITE: SCL clock frequency = 100 kHz | ICCW | 2 | 3 | mA |
2. EEPROM交流工作條件
文檔還給出了EEPROM的交流工作條件,包括各種時(shí)間參數(shù)(如(t{AA})、(t{BUF})、(t_{DH})等)和時(shí)鐘頻率等。對于最新的串行存在檢測數(shù)據(jù),可參考Micron的SPD頁面:www.micron.com/SPD。
六、模塊尺寸
模塊尺寸圖以毫米(英寸)為單位給出了240 - Pin DDR2 FBDIMM的尺寸信息,不過該圖僅作參考,完整的設(shè)計(jì)尺寸需參考JEDEC MO文檔。
綜上所述,4GB (x72, QR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM是一款性能出色、功能豐富的內(nèi)存模塊,在高速數(shù)據(jù)傳輸、大容量存儲(chǔ)和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)優(yōu)異。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)系統(tǒng)時(shí),可以根據(jù)這些特性和參數(shù)進(jìn)行合理的選擇和應(yīng)用。大家在實(shí)際使用過程中有沒有遇到過類似內(nèi)存模塊的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
-
內(nèi)存模塊
+關(guān)注
關(guān)注
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