1GB (x72, SR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM 詳細(xì)解析
在當(dāng)今的電子設(shè)備中,內(nèi)存模塊的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。本文將深入探討 Micron 的 1GB (x72, SR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM,為電子工程師們提供全面的技術(shù)參考。
文件下載:MT9HTF12872FZ-667H1D4.pdf
一、產(chǎn)品特性
1. 基本特性
- 接口類型:240 - pin 的 DDR2 全緩沖雙列直插式內(nèi)存模塊(FBDIMM),具備透明模式以支持 DRAM 測試。
- 電壓參數(shù):DRAM 的 (V{DD}=V{DDQ}=1.8V),AMB 的 (V{CC}=1.5V),VREF = 0.9V 用于 SDRAM 命令和地址端接,(V{DDSPD}=3 - 3.6V) 用于 AMB 和 EEPROM。
- 數(shù)據(jù)傳輸速率:支持 PC2 - 5300 或 PC2 - 6400 的快速數(shù)據(jù)傳輸速率,擁有 4.0 Gb/s 和 4.8 Gb/s 的鏈路傳輸速率。
2. 其他特性
- 高速鏈路:主機(jī)控制器和高級內(nèi)存緩沖器(AMB)之間采用高速、1.5V 差分、點(diǎn)對點(diǎn)鏈路。
- SPD 功能:帶有 EEPROM 的串行存在檢測(SPD)。
- 容錯能力:具有容錯功能,可在每個(gè)方向繞過壞位通道。
- 工作溫度:支持 95°C 操作,采用 2X 刷新。
- 環(huán)保設(shè)計(jì):使用無鹵 PCB。
- 高密度擴(kuò)展:每個(gè)通道最多支持八個(gè) FBDIMMs。
3. 性能優(yōu)化
- 確定性協(xié)議:使內(nèi)存控制器能夠優(yōu)化 DRAM 訪問以實(shí)現(xiàn)最大性能,提供精確控制和可重復(fù)的內(nèi)存行為。
- 自動校準(zhǔn):具備自動 DDR2 SDRAM 總線和通道校準(zhǔn)功能。
- 測試功能:擁有 MBIST 和 IBIST 測試功能,發(fā)射機(jī)去加重以減少 ISI。
二、關(guān)鍵參數(shù)
1. 尋址參數(shù)
| 參數(shù) | 1GB |
|---|---|
| 刷新計(jì)數(shù) | 8K |
| 設(shè)備存儲體地址 | 8 BA[2:0] |
| 設(shè)備配置 | 1Gb (128 Meg x 8) |
| 行地址 | 16K A[13:0] |
| 列地址 | 1K A[9:0] |
| 模塊秩地址 | 1 S0# |
2. 時(shí)序參數(shù)
| 數(shù)據(jù)速率 (MT/s) | tRCD(CL = 6、5、4、3)(ns) | tRP (ns) | tRC (ns) | 速度等級 | 行業(yè)命名 |
|---|---|---|---|---|---|
| 800 | 800、533、400 | 12.5 | 55 | -80E | PC2 - 6400 |
| 667 | 533、400 | 15 | 55 | -667 | PC2 - 5300 |
3. 型號與帶寬
| 部件編號 | 模塊密度 | 配置 | 模塊帶寬 | 內(nèi)存時(shí)鐘/數(shù)據(jù)速率 | 時(shí)鐘周期 (CL - tRCD - tRP) | 鏈路傳輸速率 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MT9HTF12872FZ - 80E__ | 1GB | 128 Meg x 72 | 6.4 GB/s | 2.5ns/800 MT/s | 5 - 5 - 5 | 4.8 GT/s |
| MT9HTF12872FZ - 667__ | 1GB | 128 Meg x 72 | 5.3 GB/s | 3.0ns/667 MT/s | 5 - 5 - 5 | 4.0 GT/s |
三、引腳分配與描述
1. 引腳分配
該 FBDIMM 分為正面和背面,各有 240 個(gè)引腳,詳細(xì)的引腳分配在文檔的表格 4 中給出。需要注意的是,部分信號為循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)位,如 PN12/PN12#、SN12/SN12# 等,它們的順序可能與正常序列不同。
2. 引腳描述
| 符號 | 類型 | 描述 |
|---|---|---|
| PS[9:0] | 輸入 | 主要南向數(shù)據(jù)正線 |
| PS#[9:0] | 輸入 | 主要南向數(shù)據(jù)負(fù)線 |
| SCK | 輸入 | 系統(tǒng)時(shí)鐘輸入正線 |
| SCK# | 輸入 | 系統(tǒng)時(shí)鐘輸入負(fù)線 |
| SCL | 輸入 | 串行存在檢測(SPD)時(shí)鐘輸入 |
| SS[9:0] | 輸入 | 次要南向數(shù)據(jù)正線 |
| SS#[9:0] | 輸入 | 次要南向數(shù)據(jù)負(fù)線 |
| PN[13:0] | 輸出 | 主要北向數(shù)據(jù)正線 |
| PN#[13:0] | 輸出 | 主要北向數(shù)據(jù)負(fù)線 |
| SN[13:0] | 輸出 | 次要北向數(shù)據(jù)正線 |
| SN#[13:0] | 輸出 | 次要北向數(shù)據(jù)負(fù)線 |
| SA[2:0] | I/O | SPD 地址輸入,也用于在 AMB 中選擇 FBDIMM 編號 |
| SDA | I/O | SPD 數(shù)據(jù)輸入/輸出 |
| RESET# | 電源 | AMB 復(fù)位信號 |
| VCC | 電源 | AMB 核心電源和 AMB 通道接口電源(1.5V) |
| VDD | 電源 | DRAM 電源和 AMB DRAM I/O 電源(1.8V) |
| VDDSPD | 電源 | SPD/AMB SMBUS 電源(3.3V) |
| VSS | 電源 | 接地 |
| VTT | 電源 | DRAM 地址/命令/時(shí)鐘端接電源((V_{DD}/2)) |
| M_TEST | – | 用于測試 VREF 裕量的外部連接,正常系統(tǒng)操作中不使用 |
| DNU | – | 不使用 |
四、系統(tǒng)與功能框圖
1. 系統(tǒng)框圖
系統(tǒng)框圖展示了 FBDIMM 通道從主機(jī)控制器到 DDR2 SDRAM 設(shè)備陣列的通信路徑,DDR2 SDRAM 設(shè)備通過 AMB 進(jìn)行緩沖,這種物理隔離增強(qiáng)了通信路徑,提高了內(nèi)存子系統(tǒng)的可靠性和可用性。
2. 功能框圖
功能框圖詳細(xì)呈現(xiàn)了該 FBDIMM 的內(nèi)部功能結(jié)構(gòu),有助于工程師深入理解其工作原理。
五、電氣規(guī)格
1. 絕對最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 任何引腳相對于 VSS 的電壓 | VIN, VOUT | –0.3 | +1.75 | V | 1 |
| VCC 引腳相對于 VSS 的電壓 | VCC | –0.3 | +1.75 | V | |
| VDD 引腳相對于 VSS 的電壓 | VDD | –0.5 | +2.3 | V | |
| VTT 引腳相對于 VSS 的電壓 | VTT | –0.5 | +2.3 | V | |
| DDR2 SDRAM 設(shè)備工作外殼溫度 | TC | 0 | +95 | °C | 2, 3 |
| AMB 設(shè)備工作溫度 | 0 | +110 | °C |
2. 輸入直流電壓和工作條件
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 標(biāo)稱值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AMB 電源電壓 | VCC | 1.46 | 1.5 | 1.54 | V | |
| DDR2 SDRAM 電源電壓 | VDD | 1.7 | 1.8 | 1.9 | V | |
| 端接電壓 | VTT | 0.48 × VDD | 0.5 × VDD | 0.52 × VDD | V | |
| EEPROM 電源電壓 | VDDSPD | 3 | 3.3 | 3.6 | V | 1 |
| SPD 輸入高(邏輯 1)電壓 | VIH(DC) | 2.1 | – | VDDSPD | V | 2 |
| SPD 輸入低(邏輯 0)電壓 | VIL(DC) | – | – | 0.8 | V | 2 |
| RESET 輸入高(邏輯 1)電壓 | VIH(DC) | 1 | – | – | V | 3 |
| RESET 輸入低(邏輯 0)電壓 | VIL(DC) | – | – | 0.5 | V | 2 |
| 泄漏電流(RESET) | lL | –90 | – | +90 | μA | 3 |
| 泄漏電流(鏈路) | lL | –5 | – | +5 | μA | 4 |
六、IDD 條件與規(guī)格
1. 時(shí)鐘速率
| FBDIMM 鏈路數(shù)據(jù)速率 | 參考時(shí)鐘 | DRAM 時(shí)鐘 | DRAM 數(shù)據(jù)速率 |
|---|---|---|---|
| 3.2 Gb/s | 133 MHz | 266 MHz | 533 Mb/s |
| 4.0 Gb/s | 167 MHz | 333 MHz | 666 Mb/s |
| 4.8 Gb/s | 200 MHz | 400 MHz | 800 Mb/s |
2. IDD 條件
文檔中詳細(xì)列出了不同工作狀態(tài)下的 IDD 條件,如 IDD_IDLE_0(單條或最后一條 DIMM 的空閑電流)、IDD_ACTIVE_1(50% DRAM 帶寬的活躍功率)等。
3. IDD 規(guī)格
針對不同型號(如 1GB DDR2 - 667(Die revision H)、1GB DDR2 - 667(Die revision M)、1GB DDR2 - 800),分別給出了 ICC、IDD 和總功率的規(guī)格。
七、串行存在檢測(SPD)
1. SPD EEPROM 直流工作條件
包括 EEPROM 和 AMB 電源電壓、輸入高/低電壓、輸出低電壓、輸入/輸出泄漏電流、待機(jī)電流、電源電流等參數(shù)的范圍。
2. SPD EEPROM 交流工作條件
涵蓋了 SCL 低到 SDA 數(shù)據(jù)輸出有效時(shí)間、總線空閑時(shí)間、數(shù)據(jù)輸出保持時(shí)間等多個(gè)交流參數(shù)的要求。
八、模塊尺寸
模塊尺寸圖提供了 240 - Pin DDR2 FBDIMM 的詳細(xì)尺寸信息,所有尺寸以毫米(英寸)為單位,同時(shí)提醒參考 JEDEC MO 文檔獲取更多設(shè)計(jì)尺寸。
綜上所述,Micron 的 1GB (x72, SR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM 是一款性能出色、功能豐富的內(nèi)存模塊。電子工程師在設(shè)計(jì)過程中,需要綜合考慮其特性、參數(shù)、引腳分配、電氣規(guī)格等方面,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似內(nèi)存模塊的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
-
技術(shù)參數(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
184瀏覽量
10110 -
內(nèi)存模塊
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
167瀏覽量
9260
發(fā)布評論請先 登錄
1GB (x72, SR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM 詳細(xì)解析
評論