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1GB (x72, SR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM 詳細(xì)解析

chencui ? 2026-06-07 10:05 ? 次閱讀
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1GB (x72, SR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM 詳細(xì)解析

在當(dāng)今的電子設(shè)備中,內(nèi)存模塊的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。本文將深入探討 Micron 的 1GB (x72, SR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM,為電子工程師們提供全面的技術(shù)參考。

文件下載:MT9HTF12872FZ-667H1D4.pdf

一、產(chǎn)品特性

1. 基本特性

  • 接口類型:240 - pin 的 DDR2 全緩沖雙列直插式內(nèi)存模塊(FBDIMM),具備透明模式以支持 DRAM 測試。
  • 電壓參數(shù):DRAM 的 (V{DD}=V{DDQ}=1.8V),AMB 的 (V{CC}=1.5V),VREF = 0.9V 用于 SDRAM 命令和地址端接,(V{DDSPD}=3 - 3.6V) 用于 AMB 和 EEPROM。
  • 數(shù)據(jù)傳輸速率:支持 PC2 - 5300 或 PC2 - 6400 的快速數(shù)據(jù)傳輸速率,擁有 4.0 Gb/s 和 4.8 Gb/s 的鏈路傳輸速率。

2. 其他特性

  • 高速鏈路:主機(jī)控制器和高級內(nèi)存緩沖器(AMB)之間采用高速、1.5V 差分、點(diǎn)對點(diǎn)鏈路。
  • SPD 功能:帶有 EEPROM 的串行存在檢測(SPD)。
  • 容錯能力:具有容錯功能,可在每個(gè)方向繞過壞位通道。
  • 工作溫度:支持 95°C 操作,采用 2X 刷新。
  • 環(huán)保設(shè)計(jì):使用無鹵 PCB。
  • 高密度擴(kuò)展:每個(gè)通道最多支持八個(gè) FBDIMMs。

3. 性能優(yōu)化

  • 確定性協(xié)議:使內(nèi)存控制器能夠優(yōu)化 DRAM 訪問以實(shí)現(xiàn)最大性能,提供精確控制和可重復(fù)的內(nèi)存行為。
  • 自動校準(zhǔn):具備自動 DDR2 SDRAM 總線和通道校準(zhǔn)功能。
  • 測試功能:擁有 MBIST 和 IBIST 測試功能,發(fā)射機(jī)去加重以減少 ISI。

二、關(guān)鍵參數(shù)

1. 尋址參數(shù)

參數(shù) 1GB
刷新計(jì)數(shù) 8K
設(shè)備存儲體地址 8 BA[2:0]
設(shè)備配置 1Gb (128 Meg x 8)
行地址 16K A[13:0]
列地址 1K A[9:0]
模塊秩地址 1 S0#

2. 時(shí)序參數(shù)

數(shù)據(jù)速率 (MT/s) tRCD(CL = 6、5、4、3)(ns) tRP (ns) tRC (ns) 速度等級 行業(yè)命名
800 800、533、400 12.5 55 -80E PC2 - 6400
667 533、400 15 55 -667 PC2 - 5300

3. 型號與帶寬

部件編號 模塊密度 配置 模塊帶寬 內(nèi)存時(shí)鐘/數(shù)據(jù)速率 時(shí)鐘周期 (CL - tRCD - tRP) 鏈路傳輸速率
MT9HTF12872FZ - 80E__ 1GB 128 Meg x 72 6.4 GB/s 2.5ns/800 MT/s 5 - 5 - 5 4.8 GT/s
MT9HTF12872FZ - 667__ 1GB 128 Meg x 72 5.3 GB/s 3.0ns/667 MT/s 5 - 5 - 5 4.0 GT/s

三、引腳分配與描述

1. 引腳分配

該 FBDIMM 分為正面和背面,各有 240 個(gè)引腳,詳細(xì)的引腳分配在文檔的表格 4 中給出。需要注意的是,部分信號為循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)位,如 PN12/PN12#、SN12/SN12# 等,它們的順序可能與正常序列不同。

2. 引腳描述

符號 類型 描述
PS[9:0] 輸入 主要南向數(shù)據(jù)正線
PS#[9:0] 輸入 主要南向數(shù)據(jù)負(fù)線
SCK 輸入 系統(tǒng)時(shí)鐘輸入正線
SCK# 輸入 系統(tǒng)時(shí)鐘輸入負(fù)線
SCL 輸入 串行存在檢測(SPD)時(shí)鐘輸入
SS[9:0] 輸入 次要南向數(shù)據(jù)正線
SS#[9:0] 輸入 次要南向數(shù)據(jù)負(fù)線
PN[13:0] 輸出 主要北向數(shù)據(jù)正線
PN#[13:0] 輸出 主要北向數(shù)據(jù)負(fù)線
SN[13:0] 輸出 次要北向數(shù)據(jù)正線
SN#[13:0] 輸出 次要北向數(shù)據(jù)負(fù)線
SA[2:0] I/O SPD 地址輸入,也用于在 AMB 中選擇 FBDIMM 編號
SDA I/O SPD 數(shù)據(jù)輸入/輸出
RESET# 電源 AMB 復(fù)位信號
VCC 電源 AMB 核心電源和 AMB 通道接口電源(1.5V)
VDD 電源 DRAM 電源和 AMB DRAM I/O 電源(1.8V)
VDDSPD 電源 SPD/AMB SMBUS 電源(3.3V)
VSS 電源 接地
VTT 電源 DRAM 地址/命令/時(shí)鐘端接電源((V_{DD}/2))
M_TEST 用于測試 VREF 裕量的外部連接,正常系統(tǒng)操作中不使用
DNU 不使用

四、系統(tǒng)與功能框圖

1. 系統(tǒng)框圖

系統(tǒng)框圖展示了 FBDIMM 通道從主機(jī)控制器到 DDR2 SDRAM 設(shè)備陣列的通信路徑,DDR2 SDRAM 設(shè)備通過 AMB 進(jìn)行緩沖,這種物理隔離增強(qiáng)了通信路徑,提高了內(nèi)存子系統(tǒng)的可靠性和可用性。

2. 功能框圖

功能框圖詳細(xì)呈現(xiàn)了該 FBDIMM 的內(nèi)部功能結(jié)構(gòu),有助于工程師深入理解其工作原理。

五、電氣規(guī)格

1. 絕對最大額定值

參數(shù) 符號 最小值 最大值 單位 備注
任何引腳相對于 VSS 的電壓 VIN, VOUT –0.3 +1.75 V 1
VCC 引腳相對于 VSS 的電壓 VCC –0.3 +1.75 V
VDD 引腳相對于 VSS 的電壓 VDD –0.5 +2.3 V
VTT 引腳相對于 VSS 的電壓 VTT –0.5 +2.3 V
DDR2 SDRAM 設(shè)備工作外殼溫度 TC 0 +95 °C 2, 3
AMB 設(shè)備工作溫度 0 +110 °C

2. 輸入直流電壓和工作條件

參數(shù) 符號 最小值 標(biāo)稱值 最大值 單位 備注
AMB 電源電壓 VCC 1.46 1.5 1.54 V
DDR2 SDRAM 電源電壓 VDD 1.7 1.8 1.9 V
端接電壓 VTT 0.48 × VDD 0.5 × VDD 0.52 × VDD V
EEPROM 電源電壓 VDDSPD 3 3.3 3.6 V 1
SPD 輸入高(邏輯 1)電壓 VIH(DC) 2.1 VDDSPD V 2
SPD 輸入低(邏輯 0)電壓 VIL(DC) 0.8 V 2
RESET 輸入高(邏輯 1)電壓 VIH(DC) 1 V 3
RESET 輸入低(邏輯 0)電壓 VIL(DC) 0.5 V 2
泄漏電流(RESET) lL –90 +90 μA 3
泄漏電流(鏈路) lL –5 +5 μA 4

六、IDD 條件與規(guī)格

1. 時(shí)鐘速率

FBDIMM 鏈路數(shù)據(jù)速率 參考時(shí)鐘 DRAM 時(shí)鐘 DRAM 數(shù)據(jù)速率
3.2 Gb/s 133 MHz 266 MHz 533 Mb/s
4.0 Gb/s 167 MHz 333 MHz 666 Mb/s
4.8 Gb/s 200 MHz 400 MHz 800 Mb/s

2. IDD 條件

文檔中詳細(xì)列出了不同工作狀態(tài)下的 IDD 條件,如 IDD_IDLE_0(單條或最后一條 DIMM 的空閑電流)、IDD_ACTIVE_1(50% DRAM 帶寬的活躍功率)等。

3. IDD 規(guī)格

針對不同型號(如 1GB DDR2 - 667(Die revision H)、1GB DDR2 - 667(Die revision M)、1GB DDR2 - 800),分別給出了 ICC、IDD 和總功率的規(guī)格。

七、串行存在檢測(SPD)

1. SPD EEPROM 直流工作條件

包括 EEPROM 和 AMB 電源電壓、輸入高/低電壓、輸出低電壓、輸入/輸出泄漏電流、待機(jī)電流、電源電流等參數(shù)的范圍。

2. SPD EEPROM 交流工作條件

涵蓋了 SCL 低到 SDA 數(shù)據(jù)輸出有效時(shí)間、總線空閑時(shí)間、數(shù)據(jù)輸出保持時(shí)間等多個(gè)交流參數(shù)的要求。

八、模塊尺寸

模塊尺寸圖提供了 240 - Pin DDR2 FBDIMM 的詳細(xì)尺寸信息,所有尺寸以毫米(英寸)為單位,同時(shí)提醒參考 JEDEC MO 文檔獲取更多設(shè)計(jì)尺寸。

綜上所述,Micron 的 1GB (x72, SR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM 是一款性能出色、功能豐富的內(nèi)存模塊。電子工程師在設(shè)計(jì)過程中,需要綜合考慮其特性、參數(shù)、引腳分配、電氣規(guī)格等方面,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似內(nèi)存模塊的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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