復(fù)旦大學(xué)科研團隊發(fā)明出新的單晶體管邏輯結(jié)構(gòu) 使晶體管面積縮小50%
目前的晶圓都是由硅元素生產(chǎn)制成，已知硅原子的直徑大約是0.22nm，再考慮到原子之間的距離，理論極限至少是0.5nm，但肯定沒有任何公司可以做到。普遍認為3nm將是芯片制程工藝的極限。
事實上自從晶體管制造工藝進入10nm時代之后，繼續(xù)提升制程工藝變得原來越困難，特別是Intel在14nm工藝上足足停留了5年之久，因此想要繼續(xù)提升芯片性能最好的辦法就是另辟蹊徑。
日前，復(fù)旦大學(xué)科研團隊近日在集成電路基礎(chǔ)研究領(lǐng)域取得一項突破。他們發(fā)明了讓單晶體管“一個人干兩個人的活”的新邏輯結(jié)構(gòu)，使晶體管面積縮小50%，存儲計算的同步性也進一步提升。
復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授周鵬指出：“這項研究工作的核心內(nèi)容是利用原子晶體硫化鉬做出了新結(jié)構(gòu)晶體管。在此基礎(chǔ)上，團隊發(fā)明了新的單晶體管邏輯結(jié)構(gòu)，在單晶體管上實現(xiàn)了邏輯運算的‘與’和‘或’?！币虼嗽刃枰?個獨立晶體管才能實現(xiàn)邏輯功能，現(xiàn)在只要1個晶體管即可。
如果該發(fā)明成果成功產(chǎn)業(yè)化，將推動集成電路向更輕、更快、更小、功耗更低方向發(fā)展。相關(guān)研究成果已在線發(fā)表于《自然?納米技術(shù)》。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
集成電路
+關(guān)注
關(guān)注
5468文章
12721瀏覽量
376093 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10453瀏覽量
148821
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
MOS晶體管的工作原理和閾值電壓
雖然1947年由貝爾實驗室的J.Bardeen、W.H.Brattain和W.Shockley等科學(xué)家發(fā)明的第一個晶體管是雙極型晶體管,而且是在鍺襯底上，但場效應(yīng)器件概念的提出比雙極型器件更早,20世紀20年代J.Lilienf
半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明歷史
1947年12月16 日美國貝爾(Bell)實驗室的J.Bardeen(1908-1991)和W,Brattain(1902一1987)研究成功一種嶄新的電子器件----半導(dǎo)體晶體管。
晶體管入門：BJT 與 MOSFET 的控制差異#晶體管 #BJT #MOSFET? #場效應(yīng)管 #電子放大
晶體管
安泰小課堂
發(fā)布于 :2025年12月05日 17:20:57
MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡(luò)，單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個電阻器組成，一個是串聯(lián)基極電阻器，另一個是基極-發(fā)射極
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇
發(fā)表于 11-17 07:42
晶體管的定義，晶體管測量參數(shù)和參數(shù)測量儀器
晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調(diào)節(jié)輸出電流，實現(xiàn)信號放大或電路開關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
晶體管的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程
滲透到人們衣食住行的各個領(lǐng)域。本章將圍繞集成電路的核心器件 —— 晶體管展開，闡述其如何憑借優(yōu)異性能與不斷演進的結(jié)構(gòu)，成為信息時代不可或缺的重要推動力。
0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管 skyworksinc
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.45-6.0
發(fā)表于 09-18 18:33
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進制邏輯運算的需要，設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上
發(fā)表于 09-15 15:31
東京大學(xué)開發(fā)氧化銦(InGaOx)新型晶體管，延續(xù)摩爾定律提供新思路
據(jù)報道，東京大學(xué)的研究團隊近日成功開發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注，標志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究
晶體管光耦的工作原理
晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件，用于實現(xiàn)電路之間的電氣隔離，同時傳遞信號或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了！
。在這種結(jié)構(gòu)中，n型晶體管（nFET）和p型晶體管（pFET）被集成在同一結(jié)構(gòu)中，但由絕緣壁（如氧化物或氮化物）隔開。這種設(shè)計允許nFET和pFET之間的間距進一步
發(fā)表于 06-20 10:40
鰭式場效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢
自半導(dǎo)體晶體管問世以來，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番，而這一進步在過去幾十年里得到了充分驗證。
無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié)，隧道穿透
什么是晶體管？你了解多少？知道怎樣工作的嗎？
是關(guān)于晶體管的詳細解析： 一、核心定義與歷史背景 ?定義?： 晶體管利用半導(dǎo)體材料（如硅、鍺）的特性，通過輸入信號（電流或電壓）控制輸出電流，實現(xiàn)信號放大或電路通斷。 ?發(fā)明?： 1947年由?貝爾實驗室?的肖克利（Shockl
評論