功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
用于HZZH 98%高效功率模塊的Transphorm GaN
我們在尋找一種功率晶體管，幫助我們?yōu)榭蛻糸_發(fā)一種更高效、更具成本效益的解決方案。我們曾考慮碳化硅器件，但在低電壓條件下無法達(dá)到預(yù)期優(yōu)勢。...
2020-03-18 標(biāo)簽：功率模塊GaN功率晶體管Transphorm 2155
TE Connectivity推出TV-8負(fù)載標(biāo)準(zhǔn)的OJT 10A系列功率繼電器
全球連接與傳感器領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity（TE）推出了新型TV-8負(fù)載標(biāo)準(zhǔn)、10A 額定電流的OJT系列繼電器。...
2020-03-18 標(biāo)簽：TE ConnectivityTE Connectivity功率繼電器 3310
貿(mào)澤電子將備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板
貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。...
2020-03-16 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體氮化鎵柵極驅(qū)動器貿(mào)澤電子 1634
如何判定二極管的性能好壞
先對電路板進(jìn)行清洗，用酒精棉反復(fù)擦洗，然后用吹風(fēng)機去潮，再對相關(guān)的電阻、電容、二極管一一脫開檢查，除一只6A10型二極管異常外，其他元件均正常。...
Power Integrations發(fā)布新款I(lǐng)nnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC
PowiGaN技術(shù)以優(yōu)異的效率而著稱 - 在任何輸入電壓和負(fù)載條件下效率均可高達(dá)94％，其極高的可靠性能夠保證電源在市電電壓不穩(wěn)的地區(qū)使用時耐受輸入浪涌和電壓浮動的沖擊。...
Vishay推出SOP-4微型扁平封裝的新型汽車級光電晶體管耦合器
器件電流傳輸比（CTR）高，正向電流僅為1 mA，適用于汽車和高可靠性工業(yè)應(yīng)用。...
2020-03-16 標(biāo)簽：Vishay耦合器光電晶體管紅外發(fā)光二極管 1716
東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦
新型預(yù)驅(qū)動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。...
【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之二：功率器件的標(biāo)定及選擇
采用雙脈沖法，用信號發(fā)生器設(shè)置脈寬為1uS，周期為2.5uS，脈沖次數(shù)為2次，示波器采用單次觸發(fā)。...
意法半導(dǎo)體收購氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權(quán)
此次收購將大幅提高意法半導(dǎo)體在汽車、工業(yè)和消費級高頻大功率GaN的技術(shù)積累、擴大其開發(fā)計劃和業(yè)務(wù)。...
2020-03-06 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅GaN器件 1422
性價比一流：英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOSTM S7超結(jié)MOSFET
英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。...
Qorvo?推出業(yè)內(nèi)最高性能的寬帶GaN 功率放大器
移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 （PA）--- TGA2962。...
Vishay最新推出節(jié)省空間的小型0402外形尺寸新型器件
Vishay宣布，推出節(jié)省空間的小型0402外形尺寸新型器件，擴充其TNPU e3系列汽車級高精度薄膜扁平片式電阻。...
碳化硅功率器件下一站關(guān)鍵點將在電動汽車領(lǐng)域
到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將達(dá)到15億美元。...
Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計
的汽車咨詢公司在技術(shù)演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認(rèn)證的GaN FET器件...
英飛凌650V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平
隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合...
安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品
安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品,籍此擴展市場領(lǐng)先的低RDS(on) MO,同時優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷。...
2020-02-26 標(biāo)簽：MOSFET器件RDS安世半導(dǎo)體 2318
英飛凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）通過專注于解決當(dāng)前電源管理設(shè)計面臨的挑戰(zhàn)，來實現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進(jìn)。源極底置是符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批...
CISSOID強勁可靠的柵極驅(qū)動器為Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅（SiC）功率模塊提供支
CMT-TIT0697柵極驅(qū)動器板被設(shè)計為可直接安裝在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模塊上。憑借可提供每通道高達(dá)2.5W功率的板載隔離電源（且無需降低高達(dá)125°C的額定環(huán)境溫度），該柵極驅(qū)動器可...
基于Dialog DA14531的宏佳超小藍(lán)牙低功耗SIP模塊已量產(chǎn)
唐山宏佳電子科技有限公司與Dialog合作開發(fā)了基于DA14531的兩款超小藍(lán)牙低功耗SIP模塊：HJ-131IMH和HJ-531IMF，尺寸分別僅為：4mm x 4mm 和 5.5mm x 6.5mm，在尺寸和功耗上均為業(yè)界領(lǐng)先。...
2020-01-03 標(biāo)簽：藍(lán)牙DIALOG半導(dǎo)體SiP模塊 3954
六氟化硫斷路器的優(yōu)點_六氟化硫斷路器結(jié)構(gòu)形式
本文主要闡述了六氟化硫斷路器的優(yōu)點及結(jié)構(gòu)形式。...
2020-01-03 標(biāo)簽：斷路器 4684
東芝推出緊湊型車用100V N溝道功率MOSFET
該系列包括具備低導(dǎo)通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計劃于今天開始。...
2019-12-25 標(biāo)簽：MOSFET東芝DC-DC轉(zhuǎn)換器 1524
Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動器，提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運行
MAX22701E將CMTI性能提升3倍、總體系統(tǒng)能耗降低30%，有效延長系統(tǒng)運行時間...
柵極驅(qū)動器的作用及工作原理
柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET，JFET等，因為如MOSFET有個柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓（VGS-TH）時MOSFET才開始導(dǎo)通。...
2020-01-29 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)二極管柵極驅(qū)動器 21388
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