功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹
在這片文章里，我們給大家介紹最基本的功率器件MOSFET，對其進行初步的解析和各種應(yīng)用介紹。...
IGBT在應(yīng)用中碰到的常見問題解決方法
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高頻大功率化的發(fā)展，開關(guān)器件在應(yīng)用中潛在的問題越來越凸出，開關(guān)過程引起的電壓、電流過沖，影響到了逆變器的工作效率和工作可 靠性。為解決以上問題...
半導(dǎo)體材料知多少?SiC器件與Si器件性能比較
SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。...
2012-12-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料sic器件sic器件Si器件半導(dǎo)體材料 13392
影響MOSFET性能的一些因素
MOSFET作為一種常用的功率器件，在電源的設(shè)計應(yīng)用中有著不可替代的地位，本文就影響MOSFET的一些因素進行分析，給大家講述一下影響MOSFET的因素。...
隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧
功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過載，短路等條件所造成的損害。這里介紹了為何光耦柵極驅(qū)動器能...
2012-11-26 標(biāo)簽：IGBT功率器件隔離驅(qū)動IGBTPower MOSFET功率器件隔離驅(qū)動 13665
功率元器件的發(fā)展與電源IC技術(shù)的變革
在功率元器件的應(yīng)用領(lǐng)域方面，又大致劃分為電腦（PC）及PC外圍設(shè)備領(lǐng)域約為30%，數(shù)碼家電、車載領(lǐng)域約為15%，白色家電和工業(yè)、通信領(lǐng)域約為30%。在功率元器件的世界中，說“有多少...
如何準確選擇功率器件
所謂功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。其電壓處理范圍從幾十V~幾千V，電流能力最高可達幾...
未來的材料寵兒“碳化硅”和“氮化鎵”
在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時將電壓也降低到1/k，力爭更低功耗”的指導(dǎo)原理下，隨...
IGBT的一種驅(qū)動和過流保護電路的設(shè)計
絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT）是MOSFET與GTR的復(fù)合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、開關(guān)頻率高、輸入阻抗高、驅(qū)動電路簡單、熱溫度性好的優(yōu)點，又包含...
IGBT模塊應(yīng)用指南
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管（IsolatedGateBipolarTransistor），它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合電力電子器件。IGBT將MOSFET與GTR的優(yōu)點集于一身，既有輸入阻抗高、速度快...
2012-11-06 標(biāo)簽：IGBT 1475
MOS管正確選擇的步驟
正確選擇MOS管是很重要的一個環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的細微差別及不同開關(guān)電路中的應(yīng)力能夠幫助工程師避免諸多問題，下面我...
2012-11-02 標(biāo)簽：MOS管 14535
肖特基二極管在電源管理中的應(yīng)用分析
任何非同步直流/直流轉(zhuǎn)換器都需要一個所謂的續(xù)流二極管。為了優(yōu)化方案的整體效率，通常傾向于選擇低正向電壓的肖特基管。很多設(shè)計都采用一個轉(zhuǎn)換器設(shè)計（網(wǎng)絡(luò)）工具推薦的二極...
IGBT的基礎(chǔ)與運用
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有雙極型...
2012-10-30 標(biāo)簽：IGBT 2814
MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路總結(jié)
用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)...
2012-10-24 標(biāo)簽：MOSFETMOSFETMOSFET驅(qū)動電路 3091
如何選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的細節(jié)
隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進步，系統(tǒng)設(shè)計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才...
2012-10-23 標(biāo)簽：MOSFET 2588
智能功率器件的原理與應(yīng)用
實現(xiàn)了一種全集成可變帶寬中頻寬帶低通濾波器，討論分析了跨導(dǎo)放大器-電容（OTA—C）連續(xù)時間型濾波器的結(jié)構(gòu)、設(shè)計和具體實現(xiàn)，使用外部可編程電路對所設(shè)計濾波器帶寬進行控...
2012-10-09 標(biāo)簽：功率器件 2586
怎樣去選擇好逆變器功率器件
逆變器的主功率元件的選擇至關(guān)重要，目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管（GTR），功率場效應(yīng)管（MOSFET），絕緣柵晶體管（IGBT）和可關(guān)斷晶閘管（GTO）等。在小容量低壓系統(tǒng)...
利用數(shù)字電源和優(yōu)化功率器件降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗
能效已經(jīng)成為決定電子元件、子系統(tǒng)和系統(tǒng)設(shè)計能否取得成功的主要因素之一。過去幾年，計算和通信設(shè)備制造商一直在內(nèi)部推動技術(shù)規(guī)格的發(fā)展和在外部向用戶宣傳這些技術(shù)規(guī)格，例...
功率器件熱設(shè)計及散熱計算
當(dāng)前，電子設(shè)備的主要失效形式就是熱失效。據(jù)統(tǒng)計，電子設(shè)備的失效有55％是溫度超過規(guī)定值引起的，隨著溫度的增加，電子設(shè)備的失效率呈指數(shù)增長。所以，功率器件熱設(shè)計是電子設(shè)...
面向汽車應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機械沖擊以及特定的驅(qū)動循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持...
創(chuàng)新的MOSFET封裝大大簡化電源的設(shè)計
目前，電源工程師面臨的一個主要難題是，隨著商用電子產(chǎn)品的功能日益增多，其尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決該難題的辦法之一就是充分利用在MOSFET技術(shù)和封...
電源設(shè)計小貼士：緩沖反向轉(zhuǎn)換器
我們來研究如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進行緩沖。 ...
2012-10-09 標(biāo)簽：電源設(shè)計FETFET電源設(shè)計緩沖反向轉(zhuǎn)換器 1135
如何保護馬達驅(qū)動器與可再生能源系統(tǒng)中的IGBT
電源轉(zhuǎn)換電路經(jīng)常被應(yīng)用在馬達驅(qū)動器或可再生能源的功率轉(zhuǎn)換上，設(shè)計中包括可以將直流電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓的電源轉(zhuǎn)換器，以便用來推動馬達或連接到可再生能源系統(tǒng)的電網(wǎng)...
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