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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>

功率器件

電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容,是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
CES2016投資熱點(diǎn):AMOLED漸露崢嶸

CES2016投資熱點(diǎn):AMOLED漸露崢嶸

據(jù)臺北工商時(shí)報(bào)近日報(bào)道,蘋果面板供應(yīng)鏈2016年都有AMOLED投資計(jì)劃,三星目前有3條AMOLED生產(chǎn)線,目前主力在5.5代廠,而最新的6代廠則是以曲面AMOLED為主,2016年6代廠總產(chǎn)能將提升到9萬片。...

2016-01-14 標(biāo)簽:AMOLEDLGDJDI 982

Ampleon現(xiàn)在提供使用高成本效益功率晶體管

 荷蘭奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產(chǎn)品組合,采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)...

2016-01-13 標(biāo)簽:OMPAmpleon 2007

最新款Molex電源連接器現(xiàn)在RS Components有售

中國北京,2016年1月12日-服務(wù)于全球工程師的分銷商Electrocomponents plc (LSE:ECM)集團(tuán)旗下的貿(mào)易品牌RS Components (RS)公司推出了Molex Ultra-Fit?電源連接器,使14A以下接線板應(yīng)用的安裝輕松可靠。...

2016-01-12 標(biāo)簽:RS連接器ECM 1843

Vishay新款三相橋式功率模塊可提高系統(tǒng)可靠性并同時(shí)降低生產(chǎn)成本

2016 年 1 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用超薄MTP PressFit封裝的新系列45A~100A的三相橋式功率模塊---VS-40MT160P-P、VS-70MT160P-P和VS-100MT160P-P。...

2016-01-12 標(biāo)簽:Vishay功率模塊MTP PressFitPressFitVishay功率模塊 1516

普源精電示波器項(xiàng)目獲國家火炬計(jì)劃立項(xiàng)

日前,科技部發(fā)布了《科技部關(guān)于下達(dá)2015年度國家星火計(jì)劃、火炬計(jì)劃項(xiàng)目的通知》。普源精電公司(以下簡稱:RIGOL)申報(bào)的“深存儲高帶寬數(shù)字示波器的產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目正式被科技部列為國家...

2016-01-12 標(biāo)簽:示波器RIGOL 1461

±270V共模差動放大器具97dB最小CMRR

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出集成精準(zhǔn)匹配電阻器的單位增益差動放大器 LT6375,其可對小的差分信號進(jìn)行精確的電平移位和緩沖,同時(shí)抑制高達(dá) ±270V 的共模。...

2016-01-12 標(biāo)簽:凌力爾特LT6375LT6375共模差動放大器凌力爾特 1609

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出ST新款高性能功率MOSFET

致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出ST MDmesh? M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。該系列MOSFET能夠?yàn)榉?wù)器、筆記本電腦、電信設(shè)備及...

2016-01-05 標(biāo)簽:MOSFETST大聯(lián)大友尚 1610

“助攻”電源設(shè)計(jì):900V SiC MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)新低!

全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET:C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應(yīng)晶體管技術(shù),該n溝道增強(qiáng)型功率器件還對高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案,...

2016-01-04 標(biāo)簽:電源管理電池充電器SiC功率器件SiC MOSFETC3M0065090JSiC MOSFETSiC功率器件電池充電器電源管理 2237

Littelfuse宣布投資碳化硅技術(shù)

Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),日前宣布作為公司強(qiáng)力進(jìn)軍工業(yè)和汽車用功率半導(dǎo)體元件市場戰(zhàn)略的一項(xiàng)舉措,Littelfuse對碳化硅技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的初創(chuàng)公司Monolith Semiconductor公司進(jìn)行...

2015-12-22 標(biāo)簽:Littelfuse碳化硅技術(shù) 11065

Diodes DFN2020封裝P通道MOSFET 降低負(fù)載開關(guān)損耗

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設(shè)計(jì)小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝,分別提供12V和20V的額定值。新產(chǎn)品適用于追求高效電池管理的平板電腦、智能手機(jī)、超...

2015-12-16 標(biāo)簽:MOSFETDiodesDFN2020DiodesMOSFET 1587

5W AutoResonant 無線功率發(fā)送器提供異物檢測功能

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出無線功率發(fā)送器 LTC4125,從而配合了凌力爾特面向無線充電市場的無線接收器 IC。LTC4125 是一款簡單、高性能的單片全橋式諧振驅(qū)動器,能夠以無線...

2015-12-01 標(biāo)簽:LTC4125LTC4125異物檢測 1361

瑞薩電子推出業(yè)界領(lǐng)先的低功耗 IGBT,可提高空調(diào)運(yùn)行效率

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(TSE:6723)今日宣布推出用于空調(diào)功率系數(shù)校正(PFC)電路的新型功率半導(dǎo)體器件,可廣泛用于中低端空調(diào)的部分開關(guān)...

2015-12-01 標(biāo)簽:IGBT低功耗瑞薩電子IGBTRJP65T54DPM-E0低功耗瑞薩電子 1987

電阻器分壓器漂移:什么時(shí)候5ppm加5ppm等于5ppm

電阻器分壓器漂移:什么時(shí)候5ppm加5ppm等于5ppm

如果您有一個(gè)分壓器,其中每個(gè)電阻器支持 5 ppm/°C 的漂移,那么最差情況的漂移是多少?這是我最近研究低漂移電流傳感參考設(shè)計(jì) (TIPD156) 時(shí)向我同事提出的一個(gè)既定觀點(diǎn)的問題(當(dāng)然,是...

2015-11-30 標(biāo)簽:電阻器分壓器 4207

邏輯系列選擇的簡短指南

邏輯系列選擇的簡短指南

幾乎每一個(gè)電子系統(tǒng)均需要某種類型的邏輯器件。憑借TI的海量產(chǎn)品組合,我們差不多能幫助滿足任何邏輯需求。雖然所有這些器件都供用戶精挑細(xì)選,但有時(shí)為一種設(shè)計(jì)選擇恰當(dāng)?shù)倪壿嬈骷s...

2015-11-25 標(biāo)簽:驅(qū)動器緩沖器邏輯器件 2769

Vicor公司北京辦事處隆重開幕,將其電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)專長扎根華北,助力中國!

Vicor公司(納斯達(dá)克股票代碼:VICR)今天宣布,繼2013年1月在中國上海開設(shè)技術(shù)支持中心后,Vicor 于本月在中國北京開設(shè)新的辦事處,擴(kuò)展其電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)和客戶支持能力,扎根華北,助力中國...

2015-11-25 標(biāo)簽:VicorVicor電源系統(tǒng)設(shè)計(jì) 1171

Littelfuse新推DSLP偏壓系列SIDACtor?晶閘管

Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),日前宣布推出DSLP偏壓系列SOT23-6 SIDACtor?保護(hù)晶閘管(DSLPxxxxT023G6),旨在為寬帶通信應(yīng)用提供優(yōu)于市面上其他解決方案的過壓保護(hù),同時(shí)將對數(shù)據(jù)...

2015-11-10 標(biāo)簽:晶閘管LittelfuseDSLPxxxxT023G6Littelfuse晶閘管 1410

Intersil推出新款高效且高集成度的8A和3A同步降壓穩(wěn)壓器

創(chuàng)新電源管理與精密模擬解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Intersil公司(納斯達(dá)克交易代碼:ISIL)今天宣布,推出五款全新高集成度的同步降壓穩(wěn)壓器--- ISL8018和ISL80030、ISL80030A、ISL80031、ISL80031A,可將5V電壓...

2015-11-10 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器IntersilIntersilISL8018穩(wěn)壓器 1632

GaN FET與硅FET的比較

GaN FET與硅FET的比較

功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板,以及更低成本的塑料封裝。對于電源設(shè)計(jì)人員來說,理解GaN有可能帶來...

2015-11-08 標(biāo)簽:GaN FETGaN FET硅FET 5713

Diodes車用MOSFET為汽車電子控制單元提供電池反向保護(hù)

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出DMP4015SPSQ 40V P通道MOSFET,旨在為車用電子控制單元提供電池反向保護(hù)。電子控制單元在愈來愈多車用控制應(yīng)用內(nèi)使用,有些汽車更安裝了多達(dá)80個(gè)電子控制部件...

2015-11-05 標(biāo)簽:汽車電子DiodesDiodes汽車電子電池反向保護(hù) 1612

靜電計(jì)級放大器縮小化學(xué)分析儀尺寸并提高精度

全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商,最近推出一款靜電計(jì)級運(yùn)算放大器ADA4530-1,該解決方案外形緊湊,確保化學(xué)分析儀器在更廣泛的溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)最高精度和數(shù)據(jù)可重復(fù)性,從而降低...

2015-10-28 標(biāo)簽:ADA4530-1ADA4530-1靜電計(jì)級放大器 2020

實(shí)時(shí)功率GaN波形監(jiān)視

實(shí)時(shí)功率GaN波形監(jiān)視

功率氮化鎵器件是電源設(shè)計(jì)人員工具箱內(nèi)令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項(xiàng)已大批量生...

2015-10-28 標(biāo)簽:功率GaN 1264

Diodes 30V MOSFET使大容量電容器快速及安全放電

 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN3027LFG 30V N通道MOSFET作為開關(guān)使用,確保在現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 電源軌上使用的大型大容量電容器能夠快速及安全放電。電信設(shè)備、服務(wù)器和數(shù)...

2015-10-27 標(biāo)簽:MOSFETDiodes 1261

中車研制出最高電壓等級高鐵“中國芯”6500V/200A IGBT模塊

從中國中車股份有限公司了解到,中國中車永濟(jì)電機(jī)公司已自主研制出我國最高電壓等級的高鐵“中國芯”—— 6500V/200AIGBT模塊。該模塊的誕生,標(biāo)志著我國擁有了完全自主知識產(chǎn)權(quán)的世界最高...

2015-10-26 標(biāo)簽:IGBT 7421

電路測試中的運(yùn)算放大器參數(shù)

 現(xiàn)在經(jīng)常使用三種測試電路拓?fù)鋵\(yùn)算放大器 DC 參數(shù)進(jìn)行工作臺及生產(chǎn)測試。...

2015-10-21 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器 2204

測試運(yùn)算放大器需要穩(wěn)定的測試環(huán)路

 本文我們將介紹使用推薦測試電路時(shí)所涉及的補(bǔ)償問題...

2015-10-21 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器 5011

Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應(yīng)用

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開關(guān),能夠通過以太網(wǎng)線纜向無線接入點(diǎn)、VoIP網(wǎng)絡(luò)電話、銷售點(diǎn)終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)...

2015-10-19 標(biāo)簽:MOSFETDiodes 1350

電源小貼士:教你用分立組件設(shè)計(jì)穩(wěn)健低成本的串聯(lián)線性穩(wěn)壓器

電源小貼士:教你用分立組件設(shè)計(jì)穩(wěn)健低成本的串聯(lián)線性穩(wěn)壓器

有些應(yīng)用需要寬松的輸出調(diào)節(jié)功能以及不到20mA的電流。對這樣的應(yīng)用來說,采用分立組件打造的線性穩(wěn)壓器是一種低成本高效益的解決方案(圖1)。而對于具有嚴(yán)格的輸出調(diào)節(jié)功能并需要更大...

2015-10-17 標(biāo)簽:線性穩(wěn)壓器 1955

業(yè)界首款全SiC功率模塊問世:開關(guān)效率提升10倍

集LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生...

2015-10-14 標(biāo)簽:功率模塊SiC功率模塊CAS300M17BM2SiC功率模塊功率模塊 2465

性價(jià)比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

性價(jià)比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢撸S著其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件,具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強(qiáng)度高、介電...

2015-10-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC MOSFET 3364

Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin連接來實(shí)現(xiàn)更好的性能

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用小尺寸PowerPAK? 8x8封裝的600V E系列功率MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiHH26N60E、SiHH21N60E、Si...

2015-10-12 標(biāo)簽:VishaySiHH14N60ESiHH21N60ESiHH26N60EVishay 2820

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