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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>

美高森美首次推出工業(yè)等級以太網(wǎng)供電中跨

致力于在電源、安全、可靠和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC) 宣布提供PD-9001GI和PD-9501GI以太網(wǎng)供電(PoE)中...

2015-10-12 標(biāo)簽:美高森美PD-9001GIPD-9501GI美高森美 1224

不斷發(fā)展的ROHM最新功率元器件

不斷發(fā)展的ROHM最新功率元器件

用于功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體功率元器件,由于對所有設(shè)備的節(jié)能化貢獻(xiàn)巨大,其未來的技術(shù)發(fā)展動向受到業(yè)界廣泛關(guān)注。...

2015-09-24 標(biāo)簽:功率器件Rohm 1567

如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用,分析了MOSFET損耗特點,提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。...

2015-09-18 標(biāo)簽:MOSFETemi損耗分析 6819

無煩惱,高增益: 構(gòu)建具有納伏級靈敏度的低噪聲儀表放大器

無煩惱,高增益: 構(gòu)建具有納伏級靈敏度的低噪聲儀表放大器

構(gòu)建具有納伏級靈敏度的電壓測量系統(tǒng)會遇到很多設(shè)計挑戰(zhàn)。 ...

2015-09-18 標(biāo)簽:運算放大器AD8428運算放大器 4480

英飛凌購IR:氮化鎵元件將擴(kuò)展功率應(yīng)用市場

根據(jù)Yole Developpement指出,氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導(dǎo)體市場快速發(fā)展,從而使專業(yè)的半導(dǎo)體業(yè)者受惠;另一方面,他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(International Rectifier...

2015-09-14 標(biāo)簽:功率器件 1369

SiC器件:以汽車用途為突破口擴(kuò)大利用

功率器件領(lǐng)域已經(jīng)進(jìn)入到Si(硅)、SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)三種半導(dǎo)體材料并用的時代。過去,人們一直利用硅的加工性能良好的特點,借助精雕 細(xì)琢的元件結(jié)構(gòu),提高功率器件的性能并...

2015-09-11 標(biāo)簽:sic器件GaN器件 1370

ADI推出中等功率驅(qū)動放大器

ADI推出中等功率驅(qū)動放大器

全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商,最近推出一款中等功率分布式驅(qū)動放大器HMC1131,其工作頻率范圍為24到35 GHz。...

2015-09-07 標(biāo)簽:ADIADIHMC1131 1342

業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。...

2015-09-07 標(biāo)簽:MOSFETSiCC3M0065090J 2458

系統(tǒng)噪聲來源的判斷

以前朋友們經(jīng)常說到放大器的底噪(本底噪聲),但現(xiàn)在看來,除了老鳥,多數(shù)朋友不甚明了。本文在此簡述系統(tǒng)系統(tǒng)噪聲的來源。...

2015-09-03 標(biāo)簽:放大器放大器系統(tǒng)噪聲 2173

全新英飛凌功率MOSFET系列使電動工具更緊湊耐用

DIY工具,比如無線電鉆和電鋸必須方便使用且經(jīng)久耐用。因此,其所用的電子元件必須緊湊、堅固。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)擴(kuò)展StrongIRFET? Power MOSFET產(chǎn)品系列,推出同時滿...

2015-09-01 標(biāo)簽:英飛凌StrongIRFET英飛凌 1363

Silicon Labs推出業(yè)界最快的隔離電流感測放大器

工業(yè)自動化和互聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中混合信號隔離技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Silicon Labs(芯科科技有限公司,NASDAQ:SLAB)今日宣布推出具有可靠隔離、業(yè)界最高帶寬和最低信號傳輸延遲的隔離電流感測...

2015-09-01 標(biāo)簽:放大器隔離放大器Silicon Labs 1229

Fairchild推出業(yè)內(nèi)首款8x8 Dual Cool封裝的中壓MOSFET

全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行業(yè)領(lǐng)先的中壓MOSFET產(chǎn)品,采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換工程師替換體積大的D2-PAK封裝...

2015-09-01 標(biāo)簽:FairchildDual Cool 88Fairchild 1995

Qorvo推出GaN/GaAs混合點對點功率放大器系列

為無線基礎(chǔ)設(shè)施提供更高的數(shù)據(jù)吞吐速率...

2015-08-19 標(biāo)簽:功率放大器Qorvo 1112

功率放大器市場開啟亂戰(zhàn)模式 前景依然樂觀

功率放大器主要應(yīng)用于需要頻寬的電子產(chǎn)品或設(shè)備上,例如手機、平板電腦等,其中手機為最大的應(yīng)用市場。不管是手機、平板,甚至筆記型電腦,只要具備射頻功能,就需要用到功率放大器。...

2015-08-18 標(biāo)簽:智能手機功率放大器半導(dǎo)體芯片 1209

Qorvo高功率802.11ac功率放大器增強家庭和用戶端設(shè)備(CPE)應(yīng)用性能

產(chǎn)品能在整個線性功率范圍內(nèi)提供最高效率的5GHz性能...

2019-07-02 標(biāo)簽:RFwi-fiQorvo 2208

Vishay推出針對高功率表面貼裝射頻應(yīng)用的高性能RCP系列厚膜電阻

Vishay推出針對高功率表面貼裝射頻應(yīng)用的高性能RCP系列厚膜電阻

Vishay宣布采用0505、0603和2512外形尺寸,用于高功率表面貼裝射頻應(yīng)用的RCP系列厚膜電阻對外供貨。Vishay Dale器件具有非常高的導(dǎo)熱率,使用主動溫度控制的情況下功率等級可達(dá)22W。...

2015-07-13 標(biāo)簽:厚膜電阻VishayRCP 1910

常用的功率半導(dǎo)體器件盤點匯總

電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。##晶閘管(SCR)自問世以...

2015-06-30 標(biāo)簽:功率器件 21317

世界首家!ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

世界首家!ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET,導(dǎo)通電阻大大降低,有助于工業(yè)設(shè)備等大功率設(shè)備的小型化與低功耗化 ...

2015-06-25 標(biāo)簽:RohmSiC-MOSFET 2581

Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的超小尺寸20V芯片級MOSFET

MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON),外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2,開啟電壓低至1.2V...

2015-06-19 標(biāo)簽:Vishay封裝導(dǎo)通電阻 1378

Littelfuse推出經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的瞬態(tài)抑制二極管

可保護(hù)敏感的汽車電子產(chǎn)品免受負(fù)載突降和其他瞬態(tài)過壓的損害,在標(biāo)準(zhǔn)的DO-15封裝中可提供600W脈沖峰值功率耗損e...

2015-06-18 標(biāo)簽:二極管Littelfuse 946

Vishay高壓薄膜扁平片式電阻實現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的精度

器件的工作電壓高達(dá)1000V,具有小于1ppm/V的VCR、±10ppm/K的TCR和±0.1%的嚴(yán)格公差,可減少元件數(shù)量和節(jié)省電路板空間 ...

2015-06-16 標(biāo)簽:電阻Vishay 1546

解析高速壓電陶瓷驅(qū)動電源的性能優(yōu)勢

解析高速壓電陶瓷驅(qū)動電源的性能優(yōu)勢

眾所周知,壓電陶瓷的驅(qū)動電源技術(shù)已成為非常重要應(yīng)用技術(shù)之一,它除了體積小,分辨率高,響應(yīng)快,推力大等一系列特點,同時,用它制成的壓電陶瓷驅(qū)動器廣泛應(yīng)用于微位移輸出裝置、力...

2015-04-09 標(biāo)簽:壓電陶瓷驅(qū)動 13146

電源差異化的兩大要素:高能效與高可靠性

滿足各不同應(yīng)用領(lǐng)域嚴(yán)苛的能效要求非常復(fù)雜,這讓各個細(xì)分市場的設(shè)計工程師常常為上市時間而頭疼,而模塊化、高可靠性的產(chǎn)品則可以簡化設(shè)計過程,這也是飛兆半導(dǎo)體技術(shù)專家要考慮的眾...

2015-03-31 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET智能電源 2851

CE系列高壓MOSFET:專為消費類電子和照明而生

英飛凌CE系列CoolMOS 是英飛凌公司專為消費類電子產(chǎn)品和照明產(chǎn)品推出的高壓功率MOSFET。##該案例為一款全球輸入范圍的15W充電器。##接下來介紹CE系列CoolMOS產(chǎn)品應(yīng)用于LED球泡燈驅(qū)動器的案例。...

2015-03-24 標(biāo)簽:MOSFETled照明消費電子 4836

e絡(luò)盟進(jìn)一步擴(kuò)充英飛凌CoolMOS與OptiMOS系列功率MOSFET

e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品,進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。...

2015-03-02 標(biāo)簽:英飛凌e絡(luò)盟 1782

安森美應(yīng)用于白家電的二合一智能功率模塊

安森美應(yīng)用于白家電的二合一智能功率模塊

當(dāng)前消費電子產(chǎn)品技術(shù)日新月異,同時綠色、環(huán)保、節(jié)能的思想也逐漸深入人心,能效問題日益成為產(chǎn)品設(shè)計中關(guān)注的焦點,高效節(jié)能已是大勢所趨。...

2015-02-04 標(biāo)簽:安森美功率模塊IMST功率模塊安森美白家電 1816

砸30億美元!英飛凌科技重磅收編美國國際整流器

2015年1月13日,德國慕尼黑、美國加利福尼亞埃爾塞貢多 (El Segundo) 訊—— 英飛凌科技股份有限公司(法蘭克福證券交易所股票代碼:IFX、美國柜臺交易市場股票代碼:IFNNY)今天宣布完成對...

2015-01-14 標(biāo)簽:英飛凌功率半導(dǎo)體國際整流器 2396

IR針對工業(yè)應(yīng)用推出具有超低導(dǎo)通電阻的表面貼裝75V MOSFET

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司近日推出75V器件以擴(kuò)充StrongIRFETMOSFET系列,適合多種工業(yè)應(yīng)用,包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、鋰離子電池組保護(hù)、...

2014-11-13 標(biāo)簽:MOSFET整流器IR 1255

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