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本欄目為入門級的電子工程師和電子技術(shù)員提供電子常識、基礎(chǔ)知識,是工程師了解電子技術(shù)常識的第一網(wǎng)絡(luò)平臺。

關(guān)于半導(dǎo)體“源極橋式電路-開爾文接法(Kelvin connection)”的詳解

關(guān)于半導(dǎo)體“源極橋式電路-開爾文接法(Kelvin connection)”的詳解

故事源于威廉·湯姆森在1862年利用單臂電橋測量小電阻時,遇到的一些問題。他發(fā)現(xiàn)引線電阻和連接點處的接觸電阻超過了被測電阻值,導(dǎo)致測量結(jié)果誤差非常大。然后,他發(fā)明了一種橋式電路...

理想二極管是什么二極管?深度解析內(nèi)部實現(xiàn)邏輯

理想二極管是什么二極管?深度解析內(nèi)部實現(xiàn)邏輯

? 大家好啊,想必大家一定見過下圖的這個經(jīng)典的電路圖,這個圖在樹莓派3B的電路板上有使用,從原理圖的注釋也很容易猜到,這是電路是分立器件搭建的一個理想二極管電路,它實現(xiàn)的功能...

2026-03-24 關(guān)鍵字: 二極管電路圖NMOS理想二極管

無源晶振的輸出電平和晶片切割解析

無源晶振的輸出電平和晶片切割解析

為什么同樣一顆32.768kHz晶振,在不同MCU上表現(xiàn)不同?為什么供電電壓從3.3V改為1.8V后,頻率穩(wěn)定性會出現(xiàn)變化?要回答這些問題,凱擎小妹將把“輸出電平”和“晶片切割”放在一起解釋。...

2026-03-05 關(guān)鍵字: mcu無源晶振晶振

光耦工作原理及作用詳解(干貨收藏)

光耦工作原理及作用詳解(干貨收藏)

光半導(dǎo)體的類型 光半導(dǎo)體的類型如下: (1)發(fā)光器件???可見光LED、紅外LED、紫外LED、激光二極管 (2)受光器件???光傳感器、太陽能電池、CMOS傳感器 (3)復(fù)合器件(發(fā)光元件與受光...

2025-11-20 關(guān)鍵字: 光耦

二極管的妙用 電路保護、用二極管作電壓基準(zhǔn)、整流器與包絡(luò)跟隨器

二極管的妙用 電路保護、用二極管作電壓基準(zhǔn)、整流器與包絡(luò)跟隨器

“ 向我們通常忽視的元件致敬。 ” 二極管的妙用 在今天的電子學(xué)課程中,二極管可能是最被忽視的元件。關(guān)于電阻、電容和電感的原理已有連篇累牘的著述;但二極管的內(nèi)容卻不多見。 二極...

硬件工程師如何提高電路設(shè)計的可靠性?

硬件工程師如何提高電路設(shè)計的可靠性?

聊一聊我從業(yè)硬件工程師至今的一些小的感悟,這些小感悟?qū)τ谝恍┙?jīng)驗老道的工程師來說應(yīng)該是比較有體會,希望能夠?qū)δ墓ぷ饕约皩W(xué)習(xí)提供一些幫助。...

2025-11-11 關(guān)鍵字: 電路設(shè)計硬件工程師

半導(dǎo)體“HBM和3D Stacked Memory”技術(shù)的詳解

半導(dǎo)體“HBM和3D Stacked Memory”技術(shù)的詳解

3D Stacked Memory是“技術(shù)方法”,而HBM是“用這種方法解決特定問題的產(chǎn)品”。...

2025-11-07 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體3DHBM

RT-Thread_FRDM-MCXA346上手指南

RT-Thread_FRDM-MCXA346上手指南

核心亮點一覽: 超強內(nèi)核: Arm Cortex-M33,最高180MHz主頻 精準(zhǔn)模擬: 4×16位ADC + 4×運算放大器,模擬信號處理專家 萬能連接: 支持CAN FD、I3C、多路UART/SPI/I2C 開箱即用: 兼容Arduino、mikroBUS、Pmod多種...

2025-11-06 關(guān)鍵字: mcu嵌入式恩智浦RT-ThreadFRDM

有源晶振不起振的原因深度分析與排查方案

有源晶振不起振的原因深度分析與排查方案

? 有源晶振(AXO)是設(shè)備時鐘信號核心,不起振會導(dǎo)致設(shè)備死機、功能失效。以下從 4 大維度總結(jié)關(guān)鍵原因,附 3 步排查方案。 一、4 大核心不起振原因 1. 硬件連接問題(占比 40%+) 供電異常...

2025-10-23 關(guān)鍵字: 有源晶振

analog devices方案:在LTspice仿真中使用GaN FET模型

analog devices方案:在LTspice仿真中使用GaN FET模型

近年來,工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性,能夠在較高開關(guān)頻率下實現(xiàn)高功率密度,而MOSFET在相同條件下運行時會產(chǎn)...

2025-10-15 關(guān)鍵字: ADI仿真GaNLTspiceAnalog DevicesGaN FET

霍爾效應(yīng):面內(nèi)開關(guān)如何提高靈敏度并且降低設(shè)計成本

霍爾效應(yīng):面內(nèi)開關(guān)如何提高靈敏度并且降低設(shè)計成本

Rishi Ramabadran 具有智能磁性位置傳感器的器件(門窗傳感器、電子智能鎖(如圖 1?所示)、筆記本電腦、耳塞、平板電腦、智能手機以及水表和燃?xì)獗恚┚蕾囉诟 ⒏?jié)能的開關(guān)。磁性開關(guān)...

AOS新一代電源設(shè)計:基于FRD MOSFET的高效、高可靠設(shè)計解決方案

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“超結(jié)”技術(shù)憑借其優(yōu)異的性能指標(biāo),長期主導(dǎo)著耐壓超過600V的功率MOSFET市場。本文闡述了工程師在應(yīng)用超結(jié)功率器件時需關(guān)注的關(guān)鍵問題,并提出了一種優(yōu)化解決方案,可顯著提升電源應(yīng)用...

“爬電距離”與“電氣間隙”是怎樣計算的?

“爬電距離”與“電氣間隙”是怎樣計算的?

大家好,分享一篇優(yōu)秀文章,歡迎轉(zhuǎn)載共同學(xué)習(xí)。 做高壓產(chǎn)品,經(jīng)常會涉及到爬電距離和電氣間隙,今天來看看這2個參數(shù)是由什么決定的? 爬電距離 沿絕緣表面測得的兩個導(dǎo)電零部件之間或...

2025-09-10 關(guān)鍵字: 爬電距離電氣間隙

一款理想的Σ-Δ ADC(模數(shù)轉(zhuǎn)換器)是什么樣?硬件工程師ADC選型開發(fā)梳理

一款理想的Σ-Δ ADC(模數(shù)轉(zhuǎn)換器)是什么樣?硬件工程師ADC選型開發(fā)梳理

對于硬件工程師來說,模數(shù)轉(zhuǎn)換器(Analog to Digital Converter,簡稱ADC)的選型和應(yīng)用是一門必修課,也是模擬信號鏈電路設(shè)計中至關(guān)重要的一環(huán)。 在電路設(shè)計中,ADC的作用是將模擬信號轉(zhuǎn)化為數(shù)...

揚杰科技分享如何通過硬件電路優(yōu)化降低ESD干擾

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? ? ? 在電子電路系統(tǒng)設(shè)計中,工程師處理ESD有時候總覺得沒有頭緒,主要原因是ESD測試難以量化,每次測試的結(jié)果也會存在差異,所以憑感覺處理起來很‘玄學(xué)’。 簡單說起來就是ESD對系統(tǒng)...

ADI建議電源開發(fā)優(yōu)先考慮電源架構(gòu)的優(yōu)化

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電源開發(fā)的另一個關(guān)鍵點是定義電源架構(gòu)或創(chuàng)建電源樹。完整的系統(tǒng)電源通常需要多個電源轉(zhuǎn)換器,而且往往需要多個不同的電壓。為此,有多種方法可達到目的。可以使用電源架構(gòu)工具(例如...

德州儀器UCC256404技術(shù)方案 使用數(shù)字控制器在次級側(cè)實現(xiàn)LLC電流模式控制

德州儀器UCC256404技術(shù)方案  使用數(shù)字控制器在次級側(cè)實現(xiàn)LLC電流模式控制

歡迎來到 德州儀器的 電源設(shè)計小貼士 Power Tips 系列文章 ? 本期,我們將介紹 LLC 電流模式控制 的詳細(xì)知識 ? 電流模式控制 LLC 注意事項 如圖 1 所示, 指示器 - 指示器 - 電容器 (LLC) 串行諧振電...

力特奧維斯Littelfuse解析幾款可能是你想要又不懂尋找的保險絲

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本篇文章比較簡單介紹幾款比較常用,并搭配幾款比較冷門的保險絲,但又用處非常大,甚至可能是你所需要的,平時又不懂尋找,或者尋找了很久才能找到的??鞌啾kU絲251與253系列,其中最...

2025-08-04 關(guān)鍵字: 保險絲Littelfuse電流保護

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2025-07-30 關(guān)鍵字: MOS分立半導(dǎo)體

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2025-07-30 關(guān)鍵字: 二極管分立半導(dǎo)體

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2025 年半導(dǎo)體市場在AI需求爆發(fā)與全產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇的雙重推動下,呈現(xiàn)出強勁的增長態(tài)勢。以EDA/IP先進方法學(xué)、先進工藝、算力芯片、端側(cè)AI、精準(zhǔn)控制、高端...

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