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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開(kāi)關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動(dòng)，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
關(guān)于開(kāi)關(guān)電源中的幾款緩沖吸收電路設(shè)計(jì)圖
緩沖電路是控制開(kāi)關(guān)器件快速上升和下降引起的瞬態(tài)尖峰的重要辦法。它們通常主要是由一些無(wú)源器件組成的網(wǎng)絡(luò)，用來(lái)控制電路中無(wú)功元件產(chǎn)生的振蕩。...
2023-03-14 標(biāo)簽：pcb開(kāi)關(guān)電源電容開(kāi)關(guān)器件 1046
意法半導(dǎo)體SiC MOSFET的路線圖
顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，第四代產(chǎn)品目前還沒(méi)有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導(dǎo)體要到2025年才開(kāi)始推出。...
SiC的進(jìn)化歷程和多渠道優(yōu)勢(shì)介紹
功率器件是電力電子行業(yè)的重要基礎(chǔ)元器件之一， 能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電能的處理、轉(zhuǎn)換及控制，主要包括功率二極管、晶閘管、IGBT、MOSFET 等 產(chǎn)品。...
從EMC方面講解電感底部鋪銅問(wèn)題
在EMC方面來(lái)看，在電感底部鋪銅，完整的地平面鋪銅有利于EMI的設(shè)計(jì)；現(xiàn)在的電感的生產(chǎn)工藝升級(jí)，電感采用屏蔽型電感，泄露的磁感線很少，對(duì)電感的感量影響不大，還能有利于散熱。...
開(kāi)關(guān)電源如何選擇合適主電路拓?fù)?AC-DC)
輸出電壓：額定值＋調(diào)節(jié)范圍。輸出電壓的上限應(yīng)盡量靠近額定值，以避免不必要的過(guò)大的設(shè)計(jì)余量。...
2023-03-13 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源元器件emi反激變壓器電路拓?fù)?/a> 2063
一文詳解IGBT的失效機(jī)制
參數(shù)漂移是隨著部件退化而發(fā)生的，而電學(xué)特性，如V行政長(zhǎng)官(ON)或IC冰漂在可接受的操作范圍內(nèi)，由于在設(shè)備或模塊內(nèi)累積損壞...
2023-03-13 標(biāo)簽：IGBT 925
氧化鎵功率器件的研究新發(fā)展總結(jié)
相比于目前常見(jiàn)的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長(zhǎng)成本更低，在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。...
電感器的結(jié)構(gòu)和工作原理分析
電感器（線圈）是與電阻、電容器并稱(chēng)為三大被動(dòng)元件的電子元件。利用線圈對(duì)電流所表現(xiàn)出的特性，在電源電路、一般信號(hào)電路、高頻電路等中發(fā)揮著重要作用。...
常見(jiàn)開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)特點(diǎn)和優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比
電感電流仍然是連續(xù)的，只是當(dāng)開(kāi)關(guān)再次接通時(shí)“達(dá)到”零。這被稱(chēng)為“臨界導(dǎo)電”。輸出電壓仍等于輸入電壓乘以D。 3、Buck-降壓調(diào)整器-不連續(xù)導(dǎo)電...
2023-03-13 標(biāo)簽：變壓器開(kāi)關(guān)電源晶體管拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 1386
SiC器件不同濕法腐蝕工藝的腐蝕機(jī)理和應(yīng)用領(lǐng)域
SiC 晶體中不同類(lèi)型的位錯(cuò)通常是根據(jù)腐蝕坑的形貌和尺寸來(lái)完成定量分析的。如圖 7（a）所示， 大六邊形沒(méi)有底部的腐蝕坑代表 MP，中六邊形有底部的腐蝕坑代表 TSD，小六邊形有底部的腐蝕坑...
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹 如何拆卸IGBT模塊？
IGBT （絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。...
可調(diào)電阻怎么接 可調(diào)電阻三個(gè)腳怎么接
可調(diào)電阻按照電阻值的大小、調(diào)節(jié)的范圍、調(diào)節(jié)形式、制作工藝、制作材料、體積大小等等可分為許多不同的型號(hào)和類(lèi)型。...
2023-03-08 標(biāo)簽：可調(diào)電阻 13775
深度解讀功率半導(dǎo)體整體框架
二極管是最簡(jiǎn)單的功率器件，只允許電流在一個(gè)斱向上流動(dòng) 。二極管的作用相當(dāng)于電流的開(kāi)關(guān)， 常用作整流器，將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換 ，無(wú)線電調(diào)制和電流轉(zhuǎn)向。...
2023-03-07 標(biāo)簽：二極管整流器MOS管模擬信號(hào)功率半導(dǎo)體 1086
SiC工藝特點(diǎn)核心裝備發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)
器件性能和成本的持續(xù)倒逼和規(guī)?；a(chǎn)對(duì)裝備支撐能力不斷提出新要求， 比如要求大尺寸、高效率和高產(chǎn)能、低污染等。...
如何突破程控電阻的阻值范圍限制
程控電阻(Programmable resistor)，即阻值可以通過(guò)程序進(jìn)行設(shè)置的電阻器。在電路中的特性與普通的電阻器件一致，區(qū)別僅在于阻值可以隨時(shí)通過(guò)程序改變。...
一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域
氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時(shí)，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點(diǎn)1800℃時(shí)必為β相。目前產(chǎn)業(yè)化以β相氧化鎵為主...
如何測(cè)量功耗并計(jì)算二極管和IGBT芯片溫升
開(kāi)通、導(dǎo)通和關(guān)斷損耗構(gòu)成了 IGBT 芯片損耗的總和。關(guān)斷狀態(tài)損耗可以忽略不計(jì)，不需要計(jì)算。為了計(jì)算 IGBT 的總功率損耗，須將這三個(gè)能量之和乘以開(kāi)關(guān)頻率。...
威邁斯IPO上市觀察 深度研發(fā)賦能 成功解決行業(yè)難點(diǎn)
在車(chē)載電源和電驅(qū)系統(tǒng)產(chǎn)品領(lǐng)域，第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)之一。不過(guò)，碳化硅功率器件在實(shí)際應(yīng)用中面臨著驅(qū)動(dòng)控制敏感、瞬態(tài)熱管理、EMC電磁...
2023-03-01 標(biāo)簽：ipo功率器件驅(qū)動(dòng)控制碳化硅第三代半導(dǎo)體威邁斯 2292
大功率晶體管工作原理及與散熱片間的焊接方法
大功率晶體管和散熱片之間的焊接通常采用導(dǎo)熱硅脂或者導(dǎo)熱膠進(jìn)行接觸。具體的操作步驟如下： 1.清潔散熱片表面：使用潔凈無(wú)纖維的布或棉簽，蘸取去污劑或酒精等清潔劑擦拭散熱片...
大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)及輸出形式
大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計(jì)和工作條件，因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)（即電流增益）通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比，用β表示。β的大小受到晶體管的...
大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)
大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱(chēng)為功率器件，屬于電力電子技術(shù)（功率電子技術(shù)）領(lǐng)域研究范疇。其實(shí)質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作，通過(guò)功...
晶閘管在調(diào)光電路中的作用
晶閘管在調(diào)光電路中起到調(diào)節(jié)電流的作用，可以用來(lái)控制燈光的亮度和開(kāi)關(guān)，是調(diào)光電路中不可或缺的元件。...
2023-03-01 標(biāo)簽：可控硅晶閘管調(diào)光器可控硅晶閘管調(diào)光器調(diào)光電路 2042
晶體管如何實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān) 晶體管開(kāi)關(guān)的工作區(qū)域
晶體管是一種電子元件，它可以控制電流或電壓的流動(dòng)。當(dāng)電流或電壓達(dá)到一定的閾值時(shí)，晶體管就會(huì)從開(kāi)路狀態(tài)轉(zhuǎn)換到閉路狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能。晶體管的開(kāi)關(guān)功能可以用來(lái)控制電路的開(kāi)...
肖特基二極管好壞檢測(cè)方法
肖特基二極管的好壞可以通過(guò)測(cè)量其飽和電流和飽和電壓來(lái)判斷。飽和電流是指在飽和電壓下，二極管的電流值；飽和電壓是指在飽和電流下，二極管的電壓值。如果這兩個(gè)值都在正常范圍內(nèi)，...
MOS 管為什么要并聯(lián)個(gè)二極管？
MOSFET是一種三端器件，其三個(gè)電極分別是柵極、漏極和源極。在MOSFET中，柵極可以控制漏極和源極之間的電流流動(dòng)。...
2023-02-28 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 11735
穩(wěn)壓二極管的工作狀態(tài) 測(cè)量穩(wěn)壓二極管的方法
穩(wěn)壓二極管是一種用特殊工藝制造而成的面結(jié)型硅半導(dǎo)體二極管，它的外形、內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管相似，正常工作時(shí)應(yīng)加反向電壓。穩(wěn)壓管也是一種晶體二極管，它是利用PN結(jié)的擊穿區(qū)具有穩(wěn)...
2023-02-28 標(biāo)簽：二極管穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓管 3797
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