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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導體器件，功率開關器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動，大功率igbt等IGBT/功率器件設計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術熱點方案及介紹。
如何進行IGBT保護電路設計
IGBT承受過電流的時間僅為幾微秒，耐過流量小，因此使用IGBT首要注意的是如何進行IGBT保護電路設計。 ...
基于DPA和IBA的功率系統(tǒng)級封裝隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器
隨著市場的要求, 出現(xiàn)了更新、更快的ASIC、DSP、FPGA、高速微處理器和存儲設備電源行業(yè)也需要作出相應的調(diào)整. 這些器件改變了電源規(guī)格的要求,需要提供多路工作電壓、更高...
Intersil推出針對惡劣應用環(huán)境而設計的DC/DC功率模
全球高性能模擬混合信號半導體設計和制造領導廠商Intersil公司今天宣布，推出其為國防、航空電子等惡劣應用環(huán)境而設計的突破性ISL8200M ...
2010-11-12 標簽：Intersil 945
具有內(nèi)部功率開關的DC - DC降壓轉(zhuǎn)換器MAX15066
概述 該MAX15066電流模式，同步DC - DC降壓轉(zhuǎn)換器提供的輸出電流與高效率的出線權。該MAX15066工作于4.5V至16V的輸入電壓從0.606V，并提供可調(diào)輸出電壓為輸入電壓...
14位超低功率A/D轉(zhuǎn)換器LTC2262-14
描述 LTC?2262-14 是一款采樣 14 位 A/D 轉(zhuǎn)換器，專為對高頻、寬動態(tài)范圍信號進行數(shù)字化處理而設計。憑借包括 72.8dB SNR 和 88dB 無寄生動態(tài)范圍 (SFDR) 在內(nèi)的 AC ...
2010-09-10 標簽：A/D轉(zhuǎn)換器LTC 1096
從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機理
從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機理 1、? 引言 半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之...
基于EXB841的IGBT驅(qū)動與保護電路研究
基于EXB841的IGBT驅(qū)動與保護電路研究 1 引? 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFE...
IR2117 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路IR2117 IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能...
2009-12-08 標簽：MOSFET 8096
關于IGBT導通延遲時間的精確測量方法
關于IGBT導通延遲時間的精確測量方法 0 引 言 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是GTR和MOSFET的一種新型復合器件，自問世以來就以輸入阻抗高，開關速度快，通態(tài)...
2009-11-23 標簽：IGBT導通 2556
新IGBT技術提高應用性能
新IGBT技術提高應用性能 在日益增長的變頻器市場，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關頻率而著稱的新IGBT技術施展的舞臺。在62毫米...
2009-11-07 標簽：IGBT技術 925
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