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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開(kāi)關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動(dòng)，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
電源濾波器是什么原件組成_電源濾波器用在哪些設(shè)備
電源濾波器一般都設(shè)計(jì)為只由電阻、電容及電感組成的被動(dòng)濾波器，沒(méi)有像晶體管之類(lèi)的主動(dòng)元件，電源濾波器的上方接電源，電源端有一個(gè)共模電感，也就是電源的二條線依同一個(gè)方向繞在鐵...
電源濾波器有必要買(mǎi)嗎_電源濾波器使用方法
電源濾波器是電路系統(tǒng)中不可缺少的一部分，它可以有效地抑制電源線路中的電磁干擾，保證電路系統(tǒng)的正常工作。...
電源濾波器接線_電源濾波器壞了有什么現(xiàn)象
電源濾波器是由電容、電感和電阻組成的濾波電路，又名“電源EMI濾波器”，或是“EMI電源濾波器”，一種無(wú)源雙向網(wǎng)絡(luò)，它的一端是電源，另一端是負(fù)載。...
交流濾波器接法_交流濾波器可以用于直流電路嗎
交流濾波器是利用LC串聯(lián)諧振原理，對(duì)某一特定頻率表現(xiàn)為低阻抗，過(guò)濾掉這部分頻率成分。應(yīng)該可以用在直流電路，沒(méi)有極性，直流耐壓會(huì)比交流耐壓稍高一些。...
電流放大器原理_電流放大器的作用
電流放大器是一種電子設(shè)備，用于通過(guò)預(yù)設(shè)信號(hào)增加輸入信號(hào)的電流幅度。簡(jiǎn)而言之就是使給定輸入電流更高的放大器。它的特點(diǎn)是低輸入阻抗和高輸出阻抗。...
淺談晶體管的下一個(gè)25年
晶體管本質(zhì)上是電流開(kāi)關(guān)。施加到其“柵極”的電壓會(huì)導(dǎo)致電流在其“源極”和“漏極”之間的通道中流動(dòng)。...
電流檢測(cè)放大器工作原理及作用
電流檢測(cè)放大器的工作原理是通過(guò)利用變壓器結(jié)構(gòu)將測(cè)量的信號(hào)放大，然后由電容、互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)電阻和識(shí)別放大器等組件將信號(hào)進(jìn)行有效的處理，從而使得微弱的電流變化變得更加明顯。因此，電...
2023-02-23 標(biāo)簽：放大器電流檢測(cè)放大器 3818
電壓放大器和電荷放大器的區(qū)別
在使用壓電晶體傳感器的測(cè)試系統(tǒng)中，電荷放大器能夠?qū)鞲衅鬏敵龅奈⑷蹼姾尚盘?hào)轉(zhuǎn)化為放大的電壓信號(hào)，同時(shí)又能夠?qū)鞲衅鞯母咦杩馆敵鲛D(zhuǎn)換成低阻抗輸出。電壓放大器能將壓電傳感器的...
三相濾波器的主要功能和作用
三相濾波器原理是指當(dāng)三相電流通過(guò)濾波器時(shí)，濾波器會(huì)吸收一部分電流，而另一部分電流會(huì)被另外兩個(gè)濾波器吸收，從而形成一個(gè)三相濾波器耦合。...
功率放大器主要作用_功率放大器的三種類(lèi)型
功率放大器的主要作用是將輸入信號(hào)的電壓或電流放大，從而提高信號(hào)的功率。它可以用來(lái)放大低功率的信號(hào)，使其能夠推動(dòng)更大的負(fù)載，從而提高信號(hào)的質(zhì)量。...
功率二極管的作用
功率二極管，也叫做肖特基勢(shì)壘二極管，是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件。它的主要作用是在電路中起到電流的整流、穩(wěn)壓和開(kāi)關(guān)控制等功能。...
2023-02-22 標(biāo)簽：功率二極管開(kāi)關(guān)控制半導(dǎo)體器件 2261
電源管理 IC有哪些？
電源管理 IC，簡(jiǎn)稱(chēng)PMIC，是一種專(zhuān)門(mén)用于控制和管理電源的集成電路。它可以為電子設(shè)備提供各種功能，如電池充電、電源轉(zhuǎn)換、電源監(jiān)測(cè)、電源保護(hù)等。...
電力二極管的主要類(lèi)型包括哪些
電力二極管的主要類(lèi)型包括標(biāo)準(zhǔn)或慢速恢復(fù)二極管、快速恢復(fù)二極管、肖特基二極管。...
2023-02-22 標(biāo)簽：肖特基二極管快速恢復(fù)二極管恢復(fù)二極管肖特基二極管 4113
電力二極管與普通二極管的區(qū)別
電力二極管的特點(diǎn)是具有較大的電流和功率，而普通二極管的特點(diǎn)是具有較小的電流和功率。此外，電力二極管的極性可以反轉(zhuǎn)，而普通二極管的極性不能反轉(zhuǎn)。...
IGBT的等效電路
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)...
2023-02-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 8670
IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)
簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，IGBT沒(méi)有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。...
mos管如何工作
MOS管，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見(jiàn)mos管工作原理圖。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱(chēng)為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。由圖可看出，對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)...
2023-02-22 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2802
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)
為了更好了解IGBT，下面我們?cè)賮?lái)看看它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：一般，IGBT 有三個(gè)端子：集電極、發(fā)射極和柵極，他們都是附有金屬層。但是，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。IGBT結(jié)構(gòu)其實(shí)就相當(dāng)...
IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）...
關(guān)于IGBT與MOSFET的不同
MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。主要優(yōu)點(diǎn)是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大，缺點(diǎn)是擊穿電壓低，工作電流小。...
IGBT功率模塊的發(fā)展趨勢(shì)
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體器件種類(lèi)眾多，按集成度可...
2023-02-22 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體電路控制 1007
貼片mos管怎么測(cè)試好壞
貼片MOS管的引腳可以通過(guò)查看其封裝形狀來(lái)判斷。一般來(lái)說(shuō)，貼片MOS管的引腳分別為源極（S）、漏極（D）和控制極（G）。源極和漏極的位置可以通過(guò)查看封裝形狀來(lái)確定，而控制極的位置則可...
IGBT功率模塊的特點(diǎn)及應(yīng)用
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率M...
ST 600-650V MDmesh DM9 超結(jié)快速恢復(fù)功率MOSFET提高效率和穩(wěn)健性
新型硅基快速恢復(fù)體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓?fù)涮峁├硐氲男屎涂煽啃?? ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qrr)和超快快恢復(fù)時(shí)間(trr)，以及出色的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on)x...
2023-02-22 標(biāo)簽：MOSFET意法半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管 1230
IGBT功率模塊的優(yōu)勢(shì)
IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。...
IGBT功率模塊是什么？
IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng)，利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類(lèi)別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊...
碳化硅與氮化鎵相比如何？碳化硅的使用場(chǎng)景在哪里？
碳化硅（SiC）由硅（原子序數(shù)14）和碳（原子序數(shù)6），形成類(lèi)似于金剛石的強(qiáng)共價(jià)鍵，是一種堅(jiān)固的六方結(jié)構(gòu)化合物，具有寬禁帶半導(dǎo)體特性。...
IGBT功率半導(dǎo)體的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
IGBT模塊可以分為低壓（600V以下），中壓（600V-1200V）和壓（1200V-6700V），IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極，陽(yáng)極，和控制極。關(guān)斷的時(shí)候...
2023-02-22 標(biāo)簽：變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 2014
如何證明IGBT模塊是功率半導(dǎo)體
在功率器件中，IGBT模塊備受各行業(yè)青睞，甚至還入選了我國(guó)重大科技專(zhuān)項(xiàng)重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。它兼具M(jìn)OSFET（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）及BJT（雙極型三極管）兩類(lèi)器件優(yōu)勢(shì)，開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、控...
2023-02-22 標(biāo)簽：模塊IGBT功率半導(dǎo)體 636
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