IGBT/功率器件

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全部新品資訊技術(shù) 資料企業(yè) 論壇運算放大器選型

Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品S5系列IGBT率先登陸Mouser

貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品在175°C的溫度下，能夠提供業(yè)界領(lǐng)先的1.60 VCE（s...

2015-12-14 標(biāo)簽：IGBT Mouser Infineon 2073

ADI推出零漂移精密運算放大器簡化電路板設(shè)計

中國，北京—Analog Devices， Inc.最近發(fā)布全新系列高電壓、低噪聲、零漂移精密運算放大器的首款器件ADA4522-2，該系列產(chǎn)品片上集成電磁干擾（EMI）濾波能力，無需校準(zhǔn)電路，從而降低系統(tǒng)噪聲...

2015-08-21 標(biāo)簽：ADI 運算放大器 ADA4522-2 ADI 運算放大器 2900

ADI推出2-50 GHz分布式功率放大器

Analog Devices， Inc.，全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，近日推出HMC1127和HMC1126 MMIC（單芯片微波集成電路）分布式功率放大器。...

2015-07-15 標(biāo)簽：ADI 功率放大器 ADI HMC1126 HMC1127 功率放大器 2604

英飛凌收購在韓合資企業(yè)全部已發(fā)行股份，加強在家電市場地位

2014年5月13日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）今天宣布收購LS Power Semitech Co.， Ltd.所有已發(fā)行股份，這是一家英飛凌和韓國LS工業(yè)系統(tǒng)公司于2009年成立的合資公司...

2015-05-13 標(biāo)簽：英飛凌功率模塊 1520

英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，推出常閉型600V GaN功率器件

2015年3月20日，德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和松下電器公司（TSE代碼：6752）宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式...

2015-03-20 標(biāo)簽：英飛凌功率器件松下電器 1958

英飛凌推出新型 IGBT，將總功耗降至最低水平

德國慕尼黑 – 2015年2月6日 – 英飛凌科技股份公司（FSE：IFX/ OTCQX：IFNNY）近日推出新型低飽和壓降VCE（sat） IGBT。此類IGBT 專門針對 50Hz 至20kHz 的低開關(guān)頻率范圍進(jìn)行了優(yōu)化。...

2015-02-09 標(biāo)簽：英飛凌 IGBT IGBT L5 英飛凌 2513

Diodes可編程運算放大器使功率及性能更靈活

Diodes公司（Diodes Incorporated）推出自身的TLC271可編程運算放大器系列。新產(chǎn)品提供偏置選擇模式，在功耗和交流電性能之間取得更好的平衡，從而滿足以電池供電的消費性和工業(yè)產(chǎn)品的特定要求...

2014-12-29 標(biāo)簽：運算放大器 Diodes Diodes TLC271 運算放大器 2065

英飛凌推出高功率模塊平臺，為業(yè)界提供免授權(quán)費封裝設(shè)計許可

2014年12月17日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）今日宣布推出兩款全新功率模塊平臺，用以提升 1200V 至 6.5 kV 電壓級別的高壓 IGBT的性能。...

2014-12-18 標(biāo)簽：英飛凌 IGBT 功率模塊 1334

IR為混合動力汽車和電動車推出600V車用IGBT

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日發(fā)布600V車用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0，針對混合動力汽車和電動車中的小型輔助電機驅(qū)動應(yīng)用而...

2014-12-11 標(biāo)簽：IR IGBT 2527

IR電池保護(hù)MOSFET系列為移動應(yīng)用提供靈活解決方案

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日針對鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET M...

2014-12-03 標(biāo)簽：MOSFET IR IR IRL6297SD MOSFET 2260

英飛凌推出額定電流高達(dá)120A的新型TO-247PLUS封裝

2014年12月2日，慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司針對大功率應(yīng)用擴大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達(dá) 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額...

2014-12-02 標(biāo)簽：英飛凌 TO-247PLUS 英飛凌 8098

IR為高功率工業(yè)應(yīng)用推出新IGBT模塊系列

2014年11月10日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出完善的IGBT模塊系列，適合電機驅(qū)動逆變器、開關(guān)模式電源、不間斷電源、太...

2014-11-11 標(biāo)簽：IR IGBT 太陽能逆變器 2447

4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用

制造商已經(jīng)為高壓直流（HVDC）應(yīng)用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）/ 二極管芯片組并對其性能進(jìn)行了優(yōu)化。...

2014-10-28 標(biāo)簽：IGBT 英飛凌科技 FZ1200R45HL3 IGBT 英飛凌科技 4377

IR推出650V器件以擴充超高速溝道IGBT系列

2014年10月21日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管（IGBT）系列。...

2014-10-21 標(biāo)簽：IGBT IR公司 IGBT IRGP47xx IR公司 2274

Vishay新款12V芯片級MOSFET可有效降低超便攜產(chǎn)品功耗

賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布有助于在智能手機、平板電腦、可穿戴設(shè)備和高端筆記本電腦中減少功耗并延長電池使...

2014-10-21 標(biāo)簽：便攜設(shè)備 Si8457DB 便攜設(shè)備 1312

東芝新型TFET晶體管，使MCU功耗降至1/10

東芝開發(fā)出了用于超低功耗MCU的新型晶體管技術(shù)，可將MCU的耗電量降至1/10以下，而且能夠利用與現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)晶體管（MOSFET）相同的CMOS工藝制造。##下面來介紹實現(xiàn)這三種TFET的具體技術(shù)。...

2014-09-12 標(biāo)簽：mcu 東芝晶體管 7891

IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管（IGBT） IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的...

2014-08-19 標(biāo)簽：IGBT IR公司 IGBT IR66xx IR公司 2902

Vishay推出用于導(dǎo)電膠合的采用金端接的新款精密薄膜片式電阻

2014年8月7日—日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用金端接，用導(dǎo)電膠合的新系列精密薄膜片式電阻。 ...

2014-08-07 標(biāo)簽：片式電阻 1452

第84屆中國電子展王牌專業(yè)：電阻電容

2014年10月28日-30日，第84屆中國電子展，在上海新國際博覽中心隆重舉辦。作為中國電子展的王牌專業(yè)“電阻電容”有近400家展商攜新品驚艷亮相。中國電子展為廣大電阻電容廠商提供了一個高...

2014-07-30 標(biāo)簽：功率器件電子展 CEF 1625

Littelfuse宣布推出新型瞬態(tài)抑制二極管陣列，相比同類技術(shù)可將箝位電壓降低6

2014年7月22日- Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，日前宣布推出SPHV（單向）和SPHV-C（雙向）系列200W分立瞬態(tài)抑制二極管陣列（SPA?二極管）。...

2014-07-23 標(biāo)簽：SPA SPHV SPHV-C 二極管陣列 1285

IR擴充堅固可靠的600V節(jié)能溝道IGBT系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）宣布擴充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）系列，并提供多種封裝選擇。...

2014-05-14 標(biāo)簽：IR IGBT 1639

Microchip推出三相無刷直流配套器件實現(xiàn)強大的完整電機系統(tǒng)解決方案

全球領(lǐng)先的整合單片機、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布推出一款新型帶電源模塊的三相BLDC電機柵極驅(qū)動器MCP8024。該器件能...

2013-12-05 標(biāo)簽：microchip MCP8024 2675

熱電耦:模擬設(shè)計人員都應(yīng)該熟知的組件

熱電耦是由兩種不同金屬制成的溫度測量傳感器。它們有可能是銅制的或鐵制的，也可能是由特殊的金屬混合物制成的。...

2013-03-07 標(biāo)簽：模擬技術(shù)熱電耦 1430

eGaN FET與硅功率器件比拼之隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器

本章對采用eGaN FET原型設(shè)計的全穩(wěn)壓半磚式供電設(shè)備轉(zhuǎn)換器與類似的MOSFET轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了比較。與可比的先進(jìn)商用轉(zhuǎn)換器相比，eGaN FET原型工作在約高出兩倍的開關(guān)頻率時，性能可以得以充分發(fā)揮...

2013-01-22 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器功率器件 eGaN FET 功率器件轉(zhuǎn)換器 2919

魯棒、低功耗的電池監(jiān)控電路前端

該電路使用ADG5408 4通道CMOS多路復(fù)用器，后接AD8226 儀表放大器，以低功耗和低成本精確監(jiān)控各電池的電壓，且無需額外的外部瞬變保護(hù)電路。...

2013-01-11 標(biāo)簽：多路復(fù)用器電池監(jiān)控 AD8226 ADG5408 多路復(fù)用器電池監(jiān)控 3003

ADI實驗室電路:雙向隔離式高端電流檢測模塊

風(fēng)頭強勁的蘋果iPhone把MEMS麥克風(fēng)市場推到了新的高度，幫助其出貨量在短短三年內(nèi)就劇增了將近四倍。...

2013-01-07 標(biāo)簽：ADI 電流檢測 5243

ADI實驗室電路:穩(wěn)定閉環(huán)自動功率控制電路

本文所述電路利用一個VGA （ADL5330）和一個對數(shù)檢波器（AD8318）提供閉環(huán)自動功率控制。...

2012-12-17 標(biāo)簽：ADI 閉環(huán)實驗室電路 ADI 功率控制實驗室電路閉環(huán) 5587

ADI實驗室電路:實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器

本文將詳細(xì)闡述實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器設(shè)計理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。...

2012-12-17 標(biāo)簽：ADI 柵極驅(qū)動器實驗室電路 3573

模擬電子疑難問題解惑系列(二):模擬電路設(shè)計問題須知

接下來為大家?guī)砹四M電子疑難問題解惑系列（二）：電壓跟隨器、振蕩器、功放。本內(nèi)容總結(jié)了電壓跟隨器、功率放大電路、正弦波振蕩器、頻率特性等方面的常見問題及解答，供...

2012-11-27 標(biāo)簽：振蕩器功放模擬電子電壓跟隨器 6702

IGBT在大功率斬波中問題的應(yīng)用

　　斬波是電力電子控制中的一項變流技術(shù)，其實質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)...

2012-05-14 標(biāo)簽：IGBT 斬波電路 IGBT 斬波器件斬波電路 13744

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