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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導體器件，功率開關器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動，大功率igbt等IGBT/功率器件設計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術熱點方案及介紹。
關于MOS應用設計，這些要點不可忽視
這是網(wǎng)上評價非常高的一篇關于MOS管電路工作原理的講解，從管腳的識別，到極性的分辨，再到常用...
2017-12-15 標簽：MOSMOS高功率因數(shù) 12480
選擇IGBT還是MOSFET 讀了就知道了！
IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十M...
辯證分析MOSFET與IGBT的內(nèi)部結構與應用區(qū)別
這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應，使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應也導致了在ZVS情況下，在負載電流從組合封裝的反向并聯(lián)二極管轉換到 IGBT的集電極的瞬...
igbt模塊實物接線圖分析
IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；IGBT模...
2017-11-23 標簽：IGBT 88554
IGBT模塊不同的內(nèi)部結構和電路圖分析
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低...
2017-11-23 標簽：IGBT 88460
igbt驅(qū)動電壓和功率分別是多少
在此根據(jù)長期使用IGBT的經(jīng)驗并參考有關文獻對 IGBT驅(qū)動的電壓和功率做了一些總結，希望對廣大網(wǎng)友能夠提供幫助。...
2017-11-23 標簽：電壓功率IGBT驅(qū)動 64852
來個簡單小測試，讓你真正了解晶體管
半導體行業(yè)大致按照摩爾定律發(fā)展了半個多世紀，對二十世紀后半葉的世界經(jīng)濟增長做出了貢獻，并驅(qū)動了一系列科技創(chuàng)新、生產(chǎn)效率的提高和經(jīng)濟增長。...
深入理解MOSFET規(guī)格書及應用設計
MOS的導通電阻隨溫度上升而上升，下圖顯示該MOS的導通電阻在結溫為140度的時候，為20度時候的2倍。...
MOSFET及IGBT在電力電子應用設計
多數(shù)情況下，功率變換器的傳導干擾以共模干擾為主。本文介紹了一種基于補償原理的無源共模干擾抑制技術，并成功地應用于多種功率變換器拓撲中。理論和實驗結果都證明了，它能有效地減...
MOSFET知識點全集，初級工程師學習利器
MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。...
利用現(xiàn)有設計專知，強化功率模塊在汽車領域應用
整合不僅有助于節(jié)省空間，而且還可以幫助降低成本，提高可靠性，加快新產(chǎn)品的上市進程。有利的是，在家電行業(yè)中獲得的現(xiàn)有的電機驅(qū)動設計經(jīng)驗，可以幫助滿足這些要求。...
功率半導體封測廠主攻MOSFET，有望新突破
捷敏2017年第2季獲利已經(jīng)創(chuàng)下歷史次高，上半年EPS為2.39元，7月營收也下營收新高水準，市場看好8月將會再創(chuàng)單月營收歷史新高，后續(xù)捷敏持續(xù)布局車用領域，包括自駕車、充電樁等，都是捷敏...
IGBT的結構與各種保護設計方法詳解
GTR和MOSFET復合，結合二者的優(yōu)點，具有好的特性。80年代中期問世以來，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場，中小功率電力電子設備的主導器件。...
2017-06-05 標簽：IGBT 3857
IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法
IGBT就是一個開關，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時IGBT導通，柵源極不加電壓或者是加負壓時，IGBT關斷，加負壓就是...
2017-06-05 標簽：IGBT 16369
IGBT驅(qū)動電路原理與設計技巧詳解
本文著重介紹三個IGBT驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大，以驅(qū)動IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動電路起著至關重要的作用...
IGBT驅(qū)動電路的應用設計詳解
隔離驅(qū)動產(chǎn)品大部分是使用光電耦合器來隔離輸入的驅(qū)動信號和被驅(qū)動的絕緣柵，采用厚膜或PCB工藝支撐，部分阻容元件由引腳接入。這種產(chǎn)品主要用于IGBT的驅(qū)動，因IGBT具有電流拖尾效應，所...
2017-06-05 標簽：驅(qū)動電路 12057
Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列，可支持1700 V IGBT
美國加利福尼亞州圣何塞，2017年5月16日 – 中高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術的領導者（納斯達克股票代號：POWI）今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道門極驅(qū)動IC的擴展產(chǎn)品。...
安森美半導體的全系列IGBT滿足汽車、太陽能逆變器、不間斷電源、白家電等各
安森美半導體是領先的功率器件半導體供應商，提供全面的功率器件，包括MOSFET、IGBT、二極管、寬帶隙（WBG）等分立器件及智能功率模塊（IPM）等功率模塊，尤其在收購Fairchild半導體后，是全...
IGBT的工作特性與IGBT的檢測
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導...
IGBT淺析，IGBT的結構與工作原理
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導...
什么是IGBT？如何使用此模塊實現(xiàn)“雙面水冷”，IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何？
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導...
【實用指南】教你使用FFT和示波器
本文討論了一些重要的FFT特性，解釋了如何利用這些特性設置FFT以實現(xiàn)高效的分析。等下次你要在示波器中使用FFT時希望能助你一臂之力。 本文討論了一些重要的FFT特性，解釋了如何利用這些...
全新英飛凌Advantage系列模塊，助力中國變頻器行業(yè)轉型升級
2016年9月23日，眾所周知，變頻器在工業(yè)領域應用非常廣泛，而目前，在節(jié)能環(huán)保理念逐漸成為一種趨勢的情況下，對變頻器提出了更高的要求。...
2016-09-23 標簽：英飛凌變頻器Advantage系列模塊變頻器英飛凌 1631
IGBT驅(qū)動電路的作用、工作特性與使用要求
IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動電路起到至關重要的作用。...
幾種IGBT驅(qū)動電路的保護電路原理圖
本文為您介紹幾種常見的IGBT驅(qū)動電路原理及其保護電路，EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動電路、2SD315A集成驅(qū)動模塊，并附上電路原理圖。...
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