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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開(kāi)關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動(dòng)，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級(jí)80V P溝道MOSFET，以提高系統(tǒng)能效和功率密度
汽車級(jí)MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競(jìng)品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時(shí)增加功率密度提高輸出。...
GaN功率級(jí)設(shè)計(jì)的散熱注意事項(xiàng)
GaN FET 實(shí)現(xiàn)了高頻電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。憑借出色的開(kāi)關(guān)特性和零反向恢復(fù)損耗，這種輕量級(jí)設(shè)計(jì)具有更高的功率密度和更小的尺寸。...
2020-12-10 標(biāo)簽：pcb電路板電源轉(zhuǎn)換器散熱GaN 1902
UAES與羅姆成立“SiC技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”并舉行啟動(dòng)儀式
UAES和羅姆自2015年開(kāi)始技術(shù)交流以來(lái)，雙方在采用SiC功率元器件的車載應(yīng)用產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面建立了合作伙伴關(guān)系。...
Transphorm推出基于GaN的新型汽車/EV功率轉(zhuǎn)換解決方案
Transphorm驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達(dá)10千瓦，這進(jìn)一步印證了GaN用于電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器和變頻器的令人興奮的前景。...
2020-12-07 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換DC-DC轉(zhuǎn)換器氮化鎵碳化硅 1099
國(guó)內(nèi)首家打通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈，三安集成完成MOSFET量產(chǎn)平臺(tái)打造
隨著中國(guó)“十四五”規(guī)劃浮出水面，第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目投資升溫加劇。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，2020年有8家企業(yè)計(jì)劃投資總計(jì)超過(guò)430億元，碳化硅、氮化鎵材料半導(dǎo)體建設(shè)項(xiàng)目出現(xiàn)“井噴”...
Excelitas Technologies推出增強(qiáng)型Gen2 905nm大批量生產(chǎn)的脈沖半導(dǎo)體激光二極管
激光芯片采用經(jīng)TS 16949認(rèn)證的大批量生產(chǎn)的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）制成。...
揚(yáng)杰科技發(fā)布N40-150V SGT功率MOSFET新品，全面提升開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通特性
產(chǎn)品特點(diǎn) 1、優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性； 2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性，顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性； 3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，SGT MOSFET器件有助于提升系統(tǒng)效率和功率密...
2020-11-26 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻揚(yáng)杰科技 2708
電動(dòng)車用大功率 IGBT模塊測(cè)試解決方案
功率半導(dǎo)體器件種類眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大，是最主要的品類。...
2020-11-25 標(biāo)簽：電動(dòng)車IGBT功率半導(dǎo)體ITECH 2846
MOS在模擬電路上的應(yīng)用 MOSFET組成的H橋驅(qū)動(dòng)電路
最開(kāi)始學(xué)習(xí)三極管的時(shí)候，很注重它的工作原理，后來(lái)到了實(shí)際應(yīng)用，就直接把三極管或MOSFET直接當(dāng)作一個(gè)開(kāi)關(guān)器件使用。直到前這幾天，接觸到MOSFET組成的H橋驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，發(fā)現(xiàn)把它純當(dāng)作一...
2020-10-15 標(biāo)簽：三極管MOSFET步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路H橋驅(qū)動(dòng) 9526
IGBT模塊驅(qū)動(dòng)的安裝布局詳解
明確機(jī)械分布和寄生影響，逆變器中每個(gè)IGBT/驅(qū)動(dòng)連接完全一樣，這樣器件的開(kāi)關(guān)特性也相同。...
2020-05-02 標(biāo)簽：IGBT模塊IGBT模塊IGBT模塊驅(qū)動(dòng) 6071
IGBT器件在激光電源中的應(yīng)用
絕緣柵雙極管（簡(jiǎn)稱IGBT）集MOSFET和GTR一身，既具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的特點(diǎn)，又具有通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn)。...
IGBT開(kāi)關(guān)特性的實(shí)例分享
IGBT器件T1通過(guò)雙脈沖信號(hào)兩次開(kāi)通和關(guān)斷。換流的變化率di/dt導(dǎo)通過(guò)電阻RGon來(lái)調(diào)節(jié)的，VCC是直流母線電壓。...
2020-05-02 標(biāo)簽：IGBTIGBT開(kāi)關(guān) 4521
IGBT的結(jié)構(gòu)_功率MOSFET的垂直結(jié)構(gòu)
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上，它的密度是每平方毫米250.000個(gè)單元（50V功率MOS-FET）或者50.000單元（1200VIGBT）。...
IGBT模塊的封裝技術(shù)介紹
當(dāng)焊接面很大時(shí)，因?yàn)楹附用娴臏囟茸冃蜗禂?shù)不同，所以在溫度變化時(shí)，會(huì)產(chǎn)生焊接疲勞，直到脫焊。例如，不能使用這種焊接方法在銅底板上焊接大面積的陶瓷。...
IGBT關(guān)斷振蕩的參數(shù)_IGBT關(guān)斷振蕩的應(yīng)對(duì)措施
在電壓UCE緩慢上升時(shí)，柵極電壓處于密勒平臺(tái)，這個(gè)位移電流最初保持穩(wěn)定并有助于維持平臺(tái)電壓恒定。...
IGBT短路振蕩的影響因素有哪些
在形成恒定短路電流后的很短時(shí)間內(nèi)發(fā)生振蕩且可以在柵極電壓中觀測(cè)到明顯的電壓振蕩。...
一文詳解IGBT模塊并聯(lián)動(dòng)態(tài)均流方法
動(dòng)態(tài)工作指電力電子器件的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程。IGBT的開(kāi)關(guān)頻率越高，動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的影響就越大。...
PT-IGBT與NPT-IGBT的區(qū)別
IGBT的結(jié)構(gòu)多種多樣，但從縱向結(jié)構(gòu)來(lái)看可歸為穿通型，非穿通型。這兩類IGBT的劃分依據(jù)為：臨界擊穿電壓下Pbase-Ndrift結(jié)耗盡層的擴(kuò)展是否穿透了N-基區(qū)。...
電磁爐IGBT管代換遵循原則
IGBT是電磁爐常常容易損壞的元器件之一，經(jīng)驗(yàn)老到的維修人員對(duì)于電磁爐不工作，有時(shí)候很容易聯(lián)想到IGBT是否有問(wèn)題，也正因?yàn)檫@樣，設(shè)計(jì)時(shí)候?qū)GBT進(jìn)行溫度檢測(cè)，當(dāng)溫度達(dá)到一定值時(shí)候斷開(kāi)...
電磁爐核心元器件解析
電磁爐在我們?nèi)粘Ｉ町?dāng)中經(jīng)常用到，其中它的工作原理是利用電磁感應(yīng)原理，利用不斷變化的電流通過(guò)線圈的時(shí)候產(chǎn)生不斷改變的交變磁場(chǎng)，當(dāng)處在交變磁場(chǎng)中的導(dǎo)體（也就是我們的鍋）的底...
三柵極的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)及對(duì)高性能FPGA性能的影響以及
2013年2月，Altera公司與Intel公司共同宣布了Altera下一代最高性能FPGA產(chǎn)品的生產(chǎn)將獨(dú)家采用Intel的14nm 3D Tri-Gate（三柵極）晶體管技術(shù)。這使得Altera成為當(dāng)前采用最先進(jìn)、最高性能半導(dǎo)體技術(shù)的獨(dú)家...
特斯拉引爆IGBT市場(chǎng)商機(jī) 三大廠商旗艦產(chǎn)品逐個(gè)看
特斯拉Model3標(biāo)準(zhǔn)版售價(jià)跌破30萬(wàn)元在中國(guó)引發(fā)新能源車搶購(gòu)潮。受益于全球電動(dòng)汽車市場(chǎng)、充電樁對(duì)IGBT的巨大需求，IGBT的相關(guān)企業(yè)也迎來(lái)了發(fā)展的利好。電子發(fā)燒友匯總了英飛凌、士蘭微和比...
打破國(guó)際大廠的壟斷，士蘭微如何在IPM和IGBT領(lǐng)域找準(zhǔn)賽道？
行業(yè)資深從業(yè)者表示，在中國(guó)本土功率器件市場(chǎng)，士蘭微是國(guó)內(nèi)當(dāng)之無(wú)愧的龍頭之一。士蘭微日前發(fā)布了2019年上半年業(yè)績(jī)報(bào)告，小編籍此為大家解讀該公司在功率半導(dǎo)體的IPM和IGBT領(lǐng)域最新產(chǎn)品...
SiC需求增長(zhǎng)快于供應(yīng)（內(nèi)附SiC器件主要供應(yīng)商）
寬禁帶半導(dǎo)體材料越來(lái)越受行業(yè)歡迎。在碳化硅（SiC）正處于大力擴(kuò)張之時(shí)，供應(yīng)商都在努力滿足SiC功率器件和硅片市場(chǎng)的潛在需求。 譬如，Cree計(jì)劃投資高達(dá)10億美元來(lái)擴(kuò)張其SiC晶圓產(chǎn)能。根...
MC33GD3100高檔單路IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
nxp公司的MC33GD3100是高檔單路IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,集成了電流隔離和低開(kāi)態(tài)電阻驅(qū)動(dòng)晶體管,提供高充電和放電電流,低動(dòng)態(tài)飽和電壓,軌到軌電壓控制,通過(guò)INTB引腳和SPI接口能管理嚴(yán)重故障并報(bào)告故障與...
2019-05-01 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器IGBT 4713
出讓安世半導(dǎo)體股權(quán)，銀鴿投資將獲巨額收益
2018年10月25日，河南銀鴿實(shí)業(yè)投資股份有限公司（下稱銀鴿投資）披露《關(guān)于出讓JW Capital 基金份額的提示性公告》。由于銀鴿投資通過(guò)JW Capital 基金間接持有安世半導(dǎo)體部分股權(quán)份額，此次出讓...
2018-10-29 標(biāo)簽：安世半導(dǎo)體 2700
CMOS運(yùn)算放大器擺動(dòng),為何可小于1到2毫伏
軌至軌放大器可產(chǎn)生極為接近接地的輸出電壓但到底接近到什么程度呢？我們談的是CMOS運(yùn)算放大器。當(dāng)你正努力最大化輸出電壓擺動(dòng)時(shí)，它常用于低壓設(shè)計(jì)。這些器件的規(guī)格通常如下： 這讓它...
SiC性能在實(shí)際應(yīng)用中已經(jīng)超過(guò)GaN
作者：United Silicon Carbide公司新產(chǎn)品導(dǎo)入經(jīng)理Zhongda Li 寬帶隙器件的承諾 諸如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙（WBG）器件是當(dāng)前的熱門話題，這些器件承諾可以把從通用無(wú)線充電到功率轉(zhuǎn)...
2018-02-28 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管SiCGaN 11222
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