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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導體器件，功率開關器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅動，大功率igbt等IGBT/功率器件設計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術熱點方案及介紹。
如何讓運算放大器輸出振蕩
這種現(xiàn)象是由于環(huán)路不穩(wěn)定，相位裕度不足導致的；我們可以按照TI文檔中的方法進行相位裕度的仿真。TI的文檔如下，我們先仿真一下不并聯(lián)電容情況下的相位裕度。...
2024-03-11 標簽：放大器運算放大器方波并聯(lián)電容負載電容 2352
晶體管極性識別：實用技巧與方法
晶體管的極性區(qū)別可通過圖形、黑點等標記來進行。該種識別技巧要牢記掌握，常見晶極管電極引腳有橢圓形和直線形排列。...
碳化硅（SiC）功率器件核心優(yōu)勢及技術挑戰(zhàn)
SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導率是硅的3倍以上，有利于高功率應用中...
n溝道p溝道怎么區(qū)分增強型
P溝道的源極S接輸入，漏極D導通輸出，N溝道相反；簡單來說給箭頭方向相反的電流就是導通，方向相同就是截止。...
場效應管怎么區(qū)分n溝道p溝道（MOS管導通條件）
按材料分可分為結型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強型，一般主板上大多是絕緣柵型管簡稱MOS管，并且大多采用增強型的N溝道，其次是增強型的P溝道，結型管和耗盡型管幾乎不...
功率半導體2035年市值將達77,757億日元，SiC等占45%
此次調(diào)查針對功率半導體18項、零部件材料20項、制造設備19項。調(diào)查期間為2023年10月至2024年2月。...
BUCK電路為何電感成為難點，而非簡單的MOS管與三元件組合？
什么是BUCK電路？BUCK電路就是降壓斬波電路,是基本的DC-DC電路，用于直流到直流的降壓變換；與之相對的是BOOST電路（BOOST電路...
如何從不同角度分析電容去耦原理
從儲能角度理解電容容易造成一種錯覺，認為電容越大越好。而且容易誤導大家認為儲能作用發(fā)生在低頻段，不容易向高頻擴展。實際上，從儲能角度理解，可以解釋任何電容的功能。...
2024-03-04 標簽：電容電源系統(tǒng)寄生電感寄生電感電容電容去耦電源系統(tǒng) 711
五種主流的電平轉換方案盤點
使用專用的電平轉換芯片，只需給芯片兩側提供不同的電壓，電平轉換由芯片內(nèi)部完成，如74xHC系列和74xHCT系列芯片，可實現(xiàn)七路3.3V與5V電平相互轉換。...
2024-03-04 標簽：三極管二極管單片機嵌入式系統(tǒng)電平轉換 4063
淺談SiC晶體材料的主流生長技術
在SiC晶體的擴徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上，需要花費的周期特別長。...
碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽車中的深入應用解析
采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會產(chǎn)生較嚴重的電磁干擾和額外損耗，無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術發(fā)展滯后。...
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應用領域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更高的溫度和電壓下工作，實現(xiàn)更高的功率密度和效率。...
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