IGBT/功率器件

電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導體器件，功率開關器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動，大功率igbt等IGBT/功率器件設計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術熱點方案及介紹。

全部新品資訊技術資料企業(yè) 論壇運算放大器選型

基于JEDEC柵電荷測試方法測量MOSFET的柵電荷

在柵極電荷方法中，將固定測試電流（Ig）引入MOS晶體管的柵極，并且測量的柵極源電壓（Vgs）與流入柵極的電荷相對應。對漏極端子施加一個固定的電壓偏置。...

2024-04-10 標簽：MOSFET 電源管理晶體管 MOS MOS MOSFET 晶體管柵極電荷電源管理 2564

深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的...

2024-04-10 標簽：MOSFET 場效應晶體管 SiC 碳化硅 Qorvo 1754

碳化硅器件在車載充電機（OBC）中的性能優(yōu)勢

碳化硅作為第三代半導體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優(yōu)異性能采用碳化硅功率器件可使電動汽車或混合動力汽車功率轉(zhuǎn)化能耗損失降低20%，在OBC產(chǎn)品上使用碳化硅功率器件對于提升...

2024-04-10 標簽：電動汽車功率器件碳化硅 OBC 車載充電器 952

深入探索芯片內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)

SDA和SCL都是雙向線路，都通過一個電流源或上拉電阻連接到正的電源電壓。當總線空閑時，這兩條線路都是高電平，連接到總線的器件輸出級必須是漏極開路或集電極開路才能執(zhí)行線與的功能。...

2024-04-10 標簽：芯片振蕩器場效應管電源電壓 MOS 598

PIN二極管的結(jié)構(gòu)圖和工作原理分析

PIN二極管的結(jié)構(gòu)由P型半導體、Intrinsic半導體和N型半導體三層組成。Intrinsic半導體層是一層輕摻雜的半導體，因此可忽略自由載流子。...

2024-04-09 標簽：功率二極管 PIN二極管光電二極管 PIN 微波開關 7504

碳化硅功率器件的應用優(yōu)勢

碳化硅具有比硅更高的熱導率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應用中表現(xiàn)優(yōu)異。...

2024-04-09 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 582

一文詳解IGBT 模塊的熱設計和熱管理

其中模塊的鋁鍵合引線與芯片的鍵合點較小，芯片工作中產(chǎn)生的熱量主要通過熱傳導的方式由芯片向基板單向傳遞，在此過程中會遇到一定的阻力，稱為導熱熱阻。...

2024-04-07 標簽：芯片 IGBT 熱管理半導體器件熱設計 7127

如何快速設計過壓保護電路

TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態(tài)電壓抑制器，也被稱為雪崩擊穿二極管，是一種二極管形式的高效能保護器件。...

2024-04-06 標簽：二極管 TVS 過壓保護 RS485 瞬態(tài)電壓抑制器 1046

放大器中關于ESD的實現(xiàn)方案

前端放大器的內(nèi)部ESD二極管有時會用來箝位過壓狀況，但為了確保這種箝位能夠提供充分可靠的保護，需要考慮許多因素。...

2024-04-03 標簽：放大器串聯(lián)電阻電阻 ESD二極管 530

深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢

SiC市場格局仍由海外巨頭主導，市占率排名依次是：意法半導體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機等。...

2024-04-01 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 4007

二極管反向恢復電流測試方法解析

調(diào)節(jié)電壓旋鈕選擇器件反向耐壓，將電壓設置到300V。在測試時，紅色夾子和黑色夾子同輸入交流電市電無隔離，請勿冒險將示波器探頭和夾子連接。...

2024-03-29 標簽：二極管電流示波器交流電 888

東芝發(fā)布全新SmartMCD?系列柵極驅(qū)動IC

電動汽車（xEV）市場的擴大帶來了電氣化、零部件集成化、電子控制單元（ECU）小型化和低噪音電機等市場需求。...

2024-03-29 標簽：微控制器東芝嵌入式電機驅(qū)動驅(qū)動IC 824

二維材料異質(zhì)外延GaN及其應用探索

傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過程中，如藍寶石就特別困難，會產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術也有待進一步提高。...

2024-03-28 標簽：功率器件石墨烯 GaN 熱管理 1418

電路中令人頭大的各種電容元器件

電容是由兩塊平行的導電極板所構(gòu)成，充電時以電場形式進行能量儲存。并可以在放電電路中把儲存的能量釋放。...

2024-03-28 標簽：旁路電容元器件電容電源電路耦合電容 690

如何生成脈沖寬度調(diào)制PWM信號？

PWM信號具有許多優(yōu)點，例如精準性高，可以快速實現(xiàn)控制的響應和控制精度，并快速響應任何運動誤差。...

2024-03-27 標簽：PWM 比較器模擬信號脈沖寬度調(diào)制 PWM發(fā)生器 1980

晶體管入門基礎知識全面解析

基極電壓升高時，BJT的基極電流開始流動，集電極電流與基極電流成正比。大約從0.7V開始發(fā)生電流流動。這個電壓被稱為基極-發(fā)射極閾值電壓（VBE）。...

2024-03-27 標簽：二極管 MOSFET 電阻器晶體管漏極電流 4784

探索天氣影響下的三極管異常現(xiàn)象

當單板啟動時，SLP_S3會輸出3V3電平，此時Q14的ib=（3.3-0.7）/2K=1.3mA；按三極管處于放大區(qū)時hFE=100計算，ic=100*1.3mA=130mA，已經(jīng)超過了ic的飽和電流1.2mA（12V/10K）。...

2024-03-27 標簽：三極管上拉電阻 MOS管漏電流 MOS管三極管上拉電阻單板電源漏電流 765

IGBT模塊封裝過程中的技術詳解

IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的 IGBT 模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。...

2024-03-27 標簽：場效應管 IGBT 晶體管直流電壓驅(qū)動電流 2300

阻容降壓電路的原理和實際電路

阻容降壓電路中，所限制的是這個電路工作的最大電流，電流大小由電容的值決定，而最終的輸出電壓由穩(wěn)壓二極管決定。...

2024-03-26 標簽：二極管電路圖電容濾波全波整流阻容降壓 3161

深度解析MOS場效應管應用實例

MOSFET的輸入電阻很高，高達109Ω以上，從導電溝道來分，可以分為N溝道和P溝道兩種，無論是N溝道還是P溝道，又可以分為增強型和耗盡型。...

2024-03-26 標簽：三極管電容器 MOSFET 場效應管 MOS 814

電阻元件典型應用電路細探討及分析

有些DCDC的輸出端接的負載的等效電阻很高，這樣對下電時，會有很長的放電時間，這有可能導致電源時序有問題，所以一般會在輸出端加個電阻。...

2024-03-26 標簽：串聯(lián)電阻電阻下拉電阻 RC電路電阻元件 1211

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩(wěn)定的半導體特性。...

2024-03-26 標簽：功率器件 SiC 碳化硅太陽能逆變器 787

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?，鍵能大小為 447 kJ/mol。...

2024-03-26 標簽：SiC 晶片光刻機碳化硅 1688

MOS管散熱片設計如何影響EMC表現(xiàn)

騷擾通過MOS管與散熱片寄生電容、LISN、以及L、N線返回到源。如果MOS管接地的話，在騷擾電壓一定的情況下，阻抗很低，騷擾電流很大，導致CE測試失效。...

2024-03-25 標簽：MOS管散熱片 emc 集電極開關管 1768

常見的電平電路轉(zhuǎn)換方法

當 SDA2 輸出低電平時：MOS 管不導通，但是它有體二極管，MOS 管里的體二極管把 SDA1 拉低到低電平，此時 Vgs 約等于 3.3V，MOS 管導通，進一步拉低了 SDA1 的電壓。...

2024-03-25 標簽：二極管上拉電阻 MOS 電平轉(zhuǎn)換 8503

硅NPN型三極管的制造流程三極管電流控制原理圖

三極管不是兩個PN結(jié)的間單拼湊，兩個二極管是組成不了一個三極管的！...

2024-03-25 標簽：三極管電子元件集電極晶體三極管 2726

一個簡單的MOS驅(qū)動電路設計

看了一眼這個電路，我感覺有問題，MOS管應該不會導通，就跟同事講了，同事說這個電路是之前用過的，認為沒有問題，于是就上電了。...

2024-03-22 標簽：單片機 NMOS 發(fā)光二極管 MOS 驅(qū)動電路 958

功率半導體市場將邁向550億美元新高度

半導體利用 SiC 來減少能量損失并延長太陽能和風能電力轉(zhuǎn)換器的使用壽命。SiC（碳化硅）由于其寬帶隙而用于高功率應用。...

2024-03-22 標簽：功率器件 SiC 功率半導體半導體器件碳化硅 368

如何全方面了解三極管

三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。...

2024-03-20 標簽：三極管晶體管晶體三極管半導體器件 2201

TVS管到底是什么？TVS管的工作原理

VS管通常采用硅或其他半導體材料制成，具有非線性的電壓-電流特性。在正常工作狀態(tài)下，TVS管處于高阻態(tài)，對電路的影響很小。...

2024-03-19 標簽：散熱器瞬態(tài)電壓半導體材料 TVS管 5312

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