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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 存儲(chǔ)技術(shù) > 新品快訊

存儲(chǔ)技術(shù)

富士通電子推出最新4Mbit FRAM 運(yùn)作溫度最高可達(dá)12...

FRAM的讀/寫(xiě)耐久性、寫(xiě)入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存,并已量產(chǎn)20多年,近年來(lái)廣泛用于可穿戴設(shè)備、工業(yè)機(jī)器人和無(wú)人機(jī)。

2020-07-24 標(biāo)簽:工業(yè)機(jī)器人fram非易失性?xún)?nèi)存可穿戴設(shè)備富士通 1328

KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測(cè)系統(tǒng)

eSL10電子束檢測(cè)系統(tǒng)具有多項(xiàng)革命性技術(shù),能夠彌補(bǔ)對(duì)關(guān)鍵缺陷檢測(cè)能力的差距。

2020-07-21 標(biāo)簽:DRAM電子束3d nandKLA 2515

DDR5時(shí)代即將來(lái)臨,泰克推出TekExpress DDR5...

快速存取數(shù)量龐大的存儲(chǔ)數(shù)據(jù),意味著復(fù)雜的設(shè)計(jì)正在挑戰(zhàn)信號(hào)完整性極限,要求性能更高的測(cè)量技術(shù)來(lái)完成一致性測(cè)試、調(diào)試和驗(yàn)證。

2020-07-21 標(biāo)簽:泰克發(fā)射機(jī)信號(hào)完整性存儲(chǔ)數(shù)據(jù)DDR5 1119

FORESEE SPI NAND Flash,加速電子產(chǎn)品小...

目前市面上NAND Flash的常規(guī)制程為2X~3Xnm,而江波龍采用的是16nm,更加先進(jìn)。同時(shí)內(nèi)置ECC(4bit/512Bytes)單元,省去了MCU做硬件或軟件ECC的功能,對(duì)Host端硬件糾錯(cuò)能力要求降低。

2020-07-20 標(biāo)簽:NANDSPINand flash江波龍 1900

西部數(shù)據(jù)推出18TB和20TB Ultrastar HDD,...

“西部數(shù)據(jù)廣泛的數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)解決方案系列,滿(mǎn)足了客戶(hù)的多樣化需求,這使其擁有獨(dú)特的早期優(yōu)勢(shì),能夠利用云計(jì)算和OEM客戶(hù)向18TB甚至20TB過(guò)渡的機(jī)遇而增強(qiáng)SMR的優(yōu)勢(shì)。

2020-07-13 標(biāo)簽:云計(jì)算數(shù)據(jù)存儲(chǔ)西部數(shù)據(jù)HDD 2318

兆易創(chuàng)新推出國(guó)內(nèi)首款2Gb大容量高性能SPI NOR Fla...

GD25/GD55 B/T/X產(chǎn)品系列容量高達(dá)2Gb,為大容量高性能應(yīng)用提供最佳解決方案。

2020-07-03 標(biāo)簽:SPIAINOR flash兆易創(chuàng)新 4147

FORESEE G500發(fā)布,江波龍國(guó)產(chǎn)固態(tài)硬盤(pán)再發(fā)聲

江波龍旗下嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出國(guó)產(chǎn)固態(tài)硬盤(pán)G500系列,從閃存顆粒、主控芯片、Firmware研發(fā)到生產(chǎn)制造皆由中國(guó)本土企業(yè)完成。

2020-06-05 標(biāo)簽:固態(tài)硬盤(pán)嵌入式存儲(chǔ)器江波龍 2501

富士通電子推出可在高溫下穩(wěn)定運(yùn)行的新款2Mbit FRAM

FRAM的讀/寫(xiě)耐久性、寫(xiě)入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存,已有對(duì)傳統(tǒng)非易失性?xún)?nèi)存性能不滿(mǎn)意的客戶(hù)采用我們的FRAM。

2020-05-11 標(biāo)簽:fram非易失性?xún)?nèi)存富士通 1481

江波龍電子聯(lián)合長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布全球最小存儲(chǔ)卡

作為江波龍電子的高端消費(fèi)類(lèi)存儲(chǔ)品牌Lexar雷克沙,借助江波龍積累的產(chǎn)品及技術(shù)優(yōu)勢(shì),大力投入研發(fā)和創(chuàng)新。

2020-04-21 標(biāo)簽:存儲(chǔ)卡江波龍長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2807

騰訊云率先測(cè)試希捷銀河(Exos)X18企業(yè)級(jí)硬盤(pán)

作為全球領(lǐng)先的云計(jì)算提供商,騰訊云對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案的性能、穩(wěn)定性、可靠性一直有著嚴(yán)苛的要求。

2020-04-20 標(biāo)簽:硬盤(pán)云計(jì)算騰訊云 1657

“鎧俠”品牌的消費(fèi)產(chǎn)品在推新 包括microSD/SD存儲(chǔ)卡...

憑借其microSD/SD存儲(chǔ)卡、USB閃存盤(pán)和SSD的全面組合,鎧俠提供經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的消費(fèi)產(chǎn)品,旨在讓終端用戶(hù)可以隨時(shí)隨地存儲(chǔ)其數(shù)字生活。

2020-04-16 標(biāo)簽:microSDsd存儲(chǔ)卡鎧俠 1450

新華三推出“煥新”存儲(chǔ)升級(jí)計(jì)劃 構(gòu)筑更智能的數(shù)據(jù)平臺(tái)

對(duì)于有意向從3PAR升級(jí)到Primera的用戶(hù),新華三集團(tuán)所提供的方案則可以在容量相同、價(jià)格相當(dāng)或更低的情況下,提供更優(yōu)的硬件配置和更智能化的使用體驗(yàn)。

2020-04-13 標(biāo)簽:紫光智能存儲(chǔ)系統(tǒng)新華三 1807

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC3DNAND閃存研發(fā)成功

作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

2020-04-13 標(biāo)簽:NANDSSD長(zhǎng)江存儲(chǔ)3DNAND 1966

Greenliant發(fā)布工業(yè)級(jí) ArmourDrive M....

ArmourDrive 88PX 系列 NVMe M.2-2280 / PCIe 3.0 x4 SSD和 ArmourDrive 87PX 系列 SATA M.2-2280 SSD 可在 -40°C 至 +85°C 的溫度范圍內(nèi)長(zhǎng)時(shí)間工作。

2020-03-28 標(biāo)簽:NANDSSDdriver固態(tài)硬盤(pán) 1497

Buffalo推出迷你固態(tài)移動(dòng)硬盤(pán),支持USB-C接口

近日,Buffalo 推出了一款堅(jiān)固耐用的迷你型移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán),外形僅比普通閃存驅(qū)動(dòng)器略大一些。

2020-03-07 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器移動(dòng)硬盤(pán) 1847

三星成功開(kāi)發(fā)新型硅通孔(TSV)8 層技術(shù)的DDR5芯片

隨著現(xiàn)代計(jì)算機(jī)能力的不斷發(fā)展,推動(dòng)著存儲(chǔ)器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者,能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日,三星電子宣布成功開(kāi)發(fā)DDR5芯片,可提供更強(qiáng)大、更可靠的性能,支持現(xiàn)代服務(wù)器不斷增長(zhǎng)的需求。 三星DDR5芯片采用新型的硅通孔(TSV) 8 層技術(shù),與DDR4相比,該技術(shù)使得DDR5的單個(gè)芯片能夠包含兩倍的堆棧數(shù)量。每個(gè)雙列直插式存儲(chǔ)模塊(DIMM)還提供高達(dá)512GB的存儲(chǔ)空間。其數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)4800 MT/s,專(zhuān)門(mén)用于

2020-02-16 標(biāo)簽:三星電子DDR5 2090

憑借BiCS5 3D NAND技術(shù)西部數(shù)據(jù)進(jìn)一步增強(qiáng)其存儲(chǔ)領(lǐng)...

BiCS5采用了廣泛的新技術(shù)和創(chuàng)新的制造工藝,是西部數(shù)據(jù)迄今為止最高密度、最先進(jìn)的3D NAND。

2020-02-10 標(biāo)簽:NAND西部數(shù)據(jù) 1326

美光宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗 DDR5 DRAM 芯片

人工智能在越來(lái)越多的應(yīng)用中被廣泛部署,這需要先進(jìn)的內(nèi)存解決方案,以確保更快速、更有效的數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)。美光 LPDDR5 能夠?yàn)橹苯訕?gòu)建在移動(dòng)設(shè)備處理器中的人工智能引擎提供所需的速度和容量。

2020-02-07 標(biāo)簽:美光DRAM芯片DDR5 1560

三星電子推出業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存——Flashb...

三星電子宣布推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存。它是第二代Aquabolt的后繼產(chǎn)品,具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩(wěn)定傳輸速度。

2020-02-05 標(biāo)簽:DRAM三星電子內(nèi)存 1725

英韌科技Rainier固態(tài)硬盤(pán)控制芯片帶來(lái)超7GB/s吞吐量

英韌科技Rainier固態(tài)硬盤(pán)控制芯片帶來(lái)超7GB/s吞吐量...

2020-01-26 標(biāo)簽:固態(tài)硬盤(pán) 2571

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