模擬技術(shù)
淺談氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理
氮化鎵（GaN）是極具潛力的第三代半導(dǎo)體，廣泛應(yīng)用于功率器件、射頻器件及光電器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發(fā)展的關(guān)鍵限制，特別是在器件穩(wěn)定性和可靠性方面。
國內(nèi)砷化鎵2023年將迎來黃金機(jī)遇
占據(jù)強(qiáng)勢地位的IDM公司，比如Qorvo和Skyworks，持續(xù)丟失中國國內(nèi)和三星的射頻前端份額，必然會導(dǎo)致這類美系IDM公司縮小砷化鎵晶圓廠產(chǎn)出規(guī)模。
熔斷器對變頻器有哪些作用
斷路器具有較為完善的保護(hù)功能，已廣泛應(yīng)用于配電設(shè)備中，并有取代傳統(tǒng)熔斷器的趨勢。
Microchip投資8.8億美元擴(kuò)大碳化硅(SiC)和硅(...
憑借對碳化硅超過二十年的投資，Microchip 的產(chǎn)品組合旨在為我們的客戶提供創(chuàng)新的電源解決方案。
SiC器件的大功率充電樁將迎來巨大市場機(jī)會
公開資料顯示，充電模塊是充電樁的核心零部件，約占充電樁總成本的50%；其中，半導(dǎo)體功率器件又占到充電模塊成本的30%，即半導(dǎo)體功率模塊約占充電樁成本15%，將成為充電樁市場發(fā)展過程中的主要受益鏈條。
功率半導(dǎo)體市場的狀況 增長勢頭過于強(qiáng)勁
氮化鎵 (GaN) 的情況略有不同。這種材料的賣點(diǎn)之一是它可以在硅晶圓上作為外延生長，因此不需要 GaN 晶圓。該行業(yè)的許多公司目前都是無晶圓廠，這在一定程度上依賴代工廠，但進(jìn)入門檻相對較低。
2023-02-21 標(biāo)簽：晶圓SiC氮化鎵功率半導(dǎo)體 538
低噪聲功率放大器PA441、PA443特性分析
作為第四次產(chǎn)品迭代，PA44X系列基于PA34X產(chǎn)品系列（不再支持）提供下一代性能。這些新的IC設(shè)計利用了特殊高壓工藝的改進(jìn)，使信號噪聲降低了驚人的96%，偏移電壓也提高了2倍。
GaN價格及市場規(guī)模的發(fā)展趨勢
根據(jù)行家說 Research 數(shù)據(jù)顯示，2021年，全球GaN 功率器件營收規(guī)模約為 1.66 億美元，其中消費(fèi)類電子市場為0.95億美元，通信與數(shù)據(jù)中心市場為 0.32 億美元，工業(yè)市場為 0.09 億美元，汽車市場約為 500 萬美元。
淺談碳化硅器件對充電樁的的作用分析
電動汽車發(fā)展正步入高速增長階段。2023年開年，行業(yè)研究機(jī)構(gòu)伊維經(jīng)濟(jì)研究院發(fā)布數(shù)據(jù)稱，2022年，全球新能源汽車銷量達(dá)到1082.4萬輛，同比增長61.6%。其中，全球汽車銷量的主要貢獻(xiàn)來自中國。
SiC（碳化硅）元件推動電動車新走向
第一代半導(dǎo)體材料大部分為目前廣泛使用的高純度硅；第二代化合物半導(dǎo)體材料包括砷化鎵、磷化銦；第三代化合物半導(dǎo)體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表。
2027年SiC器件市場將在達(dá)到63億美元
面對這個巨大機(jī)遇，SiC 市場參與者正在努力在這個價值數(shù)十億美元的業(yè)務(wù)中創(chuàng)造更多收入。
淺談功率半導(dǎo)體市場的狀況，增長勢頭過于強(qiáng)勁
Hanebeck曾提到英飛凌準(zhǔn)備斥資數(shù)十億歐元進(jìn)行收購。整合是我們在過去幾年中觀察到的市場增長趨勢。特別是在寬帶隙半導(dǎo)體材料供應(yīng)方面，特別是碳化硅 (SiC)。
2023-02-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 838
英飛凌與Resonac簽署多年期碳化硅材料供應(yīng)協(xié)議
英飛凌科技持續(xù)擴(kuò)大與碳化硅（SiC）供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導(dǎo)體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。
Diodes推出首款碳化硅 (SiC) 蕭特基勢壘二極管 (...
產(chǎn)品組合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一項 650V 額定電壓 (4A、6A、8A 和 10A) 的產(chǎn)品，以及 DIODES DSCxx120 系列，共有八款 1200V 額定電壓 (2A、5A 和 10A) 產(chǎn)品。
賽晶打造精品國產(chǎn)IGBT模塊，國產(chǎn)代替進(jìn)口的進(jìn)程加速
1700V是IGBT的主流電壓等級之一，廣泛應(yīng)用于風(fēng)力發(fā)電、無功補(bǔ)償（SVG）、智能電網(wǎng)，以及中高壓變頻器等領(lǐng)域。
如何加快碳化硅功率器件“上車”
據(jù)柏松介紹，中國電子科技集團(tuán)2021年已經(jīng)量產(chǎn)車載充電器用的碳化硅功率器件，2022年第二代產(chǎn)品的裝車量超過100萬臺。
氮化鎵是什么半導(dǎo)體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。
2023-02-14 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 10122
淺談氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)企業(yè)
氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價值的半導(dǎo)體。
2023-02-14 標(biāo)簽：氮化鎵發(fā)光器件功率晶體管寬禁帶半導(dǎo)體 1145
車規(guī)功率器件量價齊升市場規(guī)模已超過1000億元
按技術(shù)特點(diǎn)與功能的不同，功率半導(dǎo)體器件可以分為二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。其中，晶體管包含BJT、MOSFET、IGBT等熱門品線，總體占比超過70%，是功率半導(dǎo)體市場份額中最大的品類。
2023-02-14 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 1155
碳化硅芯片正成為車企爭相綁定的“寵兒
縱觀整個SiC芯片市場，主要的碳化硅芯片制造商包括英飛凌、安森美、羅姆、意法半導(dǎo)體（STM）和Wolfspeed，無疑，這些SiC芯片供應(yīng)商正成為車企爭相綁定的“寵兒”。
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