什么是氮化鎵半導(dǎo)體？GaN如何改造5G網(wǎng)絡(luò)？

氮化鎵 (GaN) 是一種半導(dǎo)體材料，因其卓越的性能而越來(lái)越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。

2023-03-03 標(biāo)簽：氮化鎵5G網(wǎng)絡(luò) 1633

8英寸Sic的研究進(jìn)程 GaN 2-4-6英寸的研究進(jìn)程

硅晶圓正在從8英寸過(guò)渡到12英寸，更大的晶圓尺寸，意味著單片晶圓所能夠制造的芯片數(shù)量更多，晶圓邊緣的浪費(fèi)減少，單芯片成本降低。第三代半導(dǎo)體也不例外，都在向大尺寸晶圓大跨步。

2023-02-28 標(biāo)簽：硅晶圓SiC第三代半導(dǎo)體 1767

2023年全球IGBT供需缺口將收窄至-2.5%

近年全球IGBT業(yè)者產(chǎn)能增長(zhǎng)情況，依中國(guó)與國(guó)際業(yè)者分為兩個(gè)階段，2021~2023年由中國(guó)業(yè)者主導(dǎo)，在IGBT芯片自給率低，急需國(guó)產(chǎn)替代的趨勢(shì)下。

2023-02-28 標(biāo)簽：IGBT雙極晶體管 1507

國(guó)內(nèi)碳化硅市場(chǎng)或增規(guī)模！

繼晶圓代工大廠中芯國(guó)際披露業(yè)績(jī)后，另一晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體財(cái)報(bào)出爐。

2023-02-28 標(biāo)簽：動(dòng)力電池功率器件碳化硅 589

2023年第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展前景

速增長(zhǎng)的新能源市場(chǎng)對(duì)第三代半導(dǎo)體提出了更多需求，貴司在該領(lǐng)域采取了哪些策略？在市場(chǎng)應(yīng)用方面有哪些進(jìn)展？

2023-02-28 標(biāo)簽：SiC第三代半導(dǎo)體 2180

華虹半導(dǎo)體業(yè)務(wù)以功率器件全年收入創(chuàng)新高

產(chǎn)能利用率方面，2022年第四季度總產(chǎn)能利用率為103.2%，其中8英寸產(chǎn)能利用率達(dá)105.9%，12英寸產(chǎn)能利用率為99.9%。

2023-02-28 標(biāo)簽：嵌入式功率器件華虹半導(dǎo)體非易失性存儲(chǔ)器 1142

關(guān)于氮化鎵功率器件的產(chǎn)品預(yù)覽

在PD快充領(lǐng)域推出了DFN系列產(chǎn)品，在電源適配器領(lǐng)域推出了TO系列產(chǎn)品，在工業(yè)領(lǐng)域則針對(duì)高頻與高可靠性的需求，推出了PIIP系列產(chǎn)品。

2023-02-28 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片 1180

專(zhuān)為純電動(dòng)汽車(chē)平臺(tái)設(shè)計(jì)的800V碳化硅高壓逆變器

新型逆變器具有兩種模塊，且都可用于乘用BEV：一種250kW模塊，適用于乘用車(chē)和全輪驅(qū)動(dòng)跨界多功能車(chē)。

2023-02-27 標(biāo)簽：逆變器碳化硅高壓逆變器 1301

為什么碳化硅和氮化鎵擁有著巨大的市場(chǎng)潛力？

與傳統(tǒng)硅相比，這些因素轉(zhuǎn)化為許多好處，包括更小的體積、更快的速度、更高效和更可靠的運(yùn)行能力。

2023-02-27 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 668

金剛石有望成為終極半導(dǎo)體材料

該功率半導(dǎo)體在已有的金剛石半導(dǎo)體中，輸出功率值為全球最高，在所有半導(dǎo)體中也僅次于氮化鎵產(chǎn)品的約2090兆瓦。

2023-02-27 標(biāo)簽：氮化鎵金剛石功率半導(dǎo)體碳化硅 1178

2023年更多車(chē)企將SiC技術(shù)引入主逆變器

德州儀器、英飛凌、Microchip、Wolfspeed、安森美等廠商擴(kuò)產(chǎn)的另一大重點(diǎn)，則是模擬芯片。

2023-02-27 標(biāo)簽：逆變器功率器件GaN功率元件模擬芯片 636

晶盛機(jī)電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC碳化硅外延設(shè)備

晶盛機(jī)電戰(zhàn)略定位先進(jìn)材料、先進(jìn)裝備市場(chǎng)，圍繞硅、藍(lán)寶石、碳化硅三大主要半導(dǎo)體材料開(kāi)發(fā)一系列關(guān)鍵設(shè)備，業(yè)務(wù)同時(shí)延伸至化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。

2023-02-27 標(biāo)簽：SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體 2093

建多條產(chǎn)線意為國(guó)產(chǎn)SiC補(bǔ)缺口

2022年我們主要聚焦于碳化硅長(zhǎng)晶熱場(chǎng)材料和多孔石墨材料的開(kāi)發(fā)。在針對(duì)不同類(lèi)型長(zhǎng)晶爐的保溫需求方面做了各自適配的固化氈產(chǎn)品。

2023-02-27 標(biāo)簽：SiC碳化硅 487

淺析固態(tài)熱晶體管開(kāi)啟熱管理技術(shù)新時(shí)代

現(xiàn)代電子設(shè)備在使用過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量被廢棄的熱量——這也是為什么筆記本電腦和手機(jī)等設(shè)備在使用時(shí)會(huì)變熱，所以它們都需要冷卻解決方案。

2023-02-25 標(biāo)簽：晶體管高電阻 805

一種具有創(chuàng)紀(jì)錄靈敏度的光電二極管

近日，來(lái)自荷蘭埃因霍溫理工大學(xué)（“TU／e”）和TNO旗下的霍爾斯特中心（Holst Center）的一組研究人員利用綠光和雙層電池的設(shè)計(jì)，開(kāi)出了一種具有創(chuàng)紀(jì)錄靈敏度的光電二極管，其光電子產(chǎn)出率超過(guò)200％。

2023-02-25 標(biāo)簽：傳感器二極管光電二極管光電探測(cè)器 775

微功率低壓差穩(wěn)壓器LT1121的概述

LT1121 / LT1121-3.3 / LT1121-5 是具停機(jī)功能的微功率低壓差穩(wěn)壓器。這些器件能夠在壓差電壓為 0.4V 的條件下提供 150mA 的輸出電流。

2023-02-24 標(biāo)簽：電容器穩(wěn)壓器低壓差穩(wěn)壓器pnp 858

2023年第三代半導(dǎo)體GaN與SiC MOSFET的發(fā)展前景

2023-02-24 標(biāo)簽：MOSFETSiCGaN 1785

LT1763 500mA、低噪聲、LDO微功率穩(wěn)壓器

LT1763 穩(wěn)壓器的一個(gè)重要特點(diǎn)是具有低輸出噪聲。在增設(shè)一個(gè)外部 0.01μF 旁路電容器的情況下，輸出噪聲將降至 20μVRMS (在一個(gè) 10Hz 至 100kHz 的帶寬之內(nèi))。

2023-02-24 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器低壓差穩(wěn)壓器旁路電容器 1005

如何選擇大功率變頻器型號(hào)

電機(jī)額定功率的尺寸與變頻器的挑選沒(méi)有直接關(guān)聯(lián)。變頻器的型號(hào)選擇一般是根據(jù)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的負(fù)荷種類(lèi)，如起重機(jī)、起吊機(jī)、金屬拉絲設(shè)備、礦山開(kāi)采粉碎等高負(fù)荷設(shè)備務(wù)必比電機(jī)大兩個(gè)規(guī)格型號(hào)。

2023-02-24 標(biāo)簽：變頻器額定功率 1457

二極管進(jìn)入紅海，國(guó)產(chǎn)MOS走向量產(chǎn)

于二極管是國(guó)內(nèi)碳化硅廠商的出貨主力，價(jià)格也越來(lái)越低，目前國(guó)內(nèi)碳化硅廠商都是貼錢(qián)賣(mài)，二極管已經(jīng)成為紅海市場(chǎng)。

2023-02-24 標(biāo)簽：二極管功率器件碳化硅 1386