模擬技術(shù)
有機(jī)電化學(xué)晶體管OECT陣列實(shí)現(xiàn)體表面心電圖測繪
心電信號(hào)（ECG）在日常監(jiān)護(hù)以及心血管疾病的診斷及治療等領(lǐng)域具有重要的輔助作用。
氮化鎵在電力電子領(lǐng)域的意義
許多由氮化鎵（也稱為GaN）制成的的東西正在電力電子領(lǐng)域發(fā)生變化。今天，您可以購買帶有足夠電量的小型USB-C充電器，它可以同時(shí)為您的筆記本電腦、手機(jī)和平板電腦供電，即使它們并不比我們的小工具多年來隨附的功率低得多的版本大很多。
氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體應(yīng)用場景及行業(yè)市場規(guī)模分析
GaN功率器件包括SBD、常關(guān)型FET、級(jí)聯(lián)FET等產(chǎn)品，主要應(yīng)用于無線充電件、電源開關(guān)、逆變器、交流器等領(lǐng)域。隨著技術(shù)水平的進(jìn)步與成本控制，GaN材料將在中低功率取代硅基功率器件，在300V~600V電壓間發(fā)揮優(yōu)勢(shì)作用。
2023年SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)市場需求將劇增？
這家美國制造商稱，這兩款設(shè)備的功率分別為200kW和400kW，得益于SiC MOSFET的開關(guān)頻率是硅IGBT的20倍，SiC組件為 400 kW 逆變器提供了 4 kW/kg 的功率密度。
碳化硅功率半導(dǎo)體廠商瞻芯電子入選投中2022年度銳公司榜單
2月2日，知名投資界媒體投中網(wǎng)發(fā)布了2022年度“投中·銳公司100”榜單，瞻芯電子入榜。 ? 該榜單由投中研究院提供，從企業(yè)外部關(guān)注度、產(chǎn)業(yè)協(xié)同性以及產(chǎn)業(yè)影響力三大維度，綜合進(jìn)行報(bào)名征集、問卷調(diào)研、行業(yè)專家走訪及數(shù)據(jù)分析等流程，綜合評(píng)選出100家年度最具創(chuàng)新力和成長力的創(chuàng)新科技企業(yè)。 本次入選榜單，再次表明了資本市場對(duì)瞻芯電子的關(guān)注與認(rèn)可。 關(guān)于榜單 投中信息連續(xù)三年發(fā)布“銳公司100榜單”，重點(diǎn)關(guān)注包括云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)
淺談氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體，其具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，因此能夠降低損耗、減少發(fā)熱，提供高效節(jié)能，使得元器件的體積能夠更加精簡，正因如此，氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用也越來越多，本文就帶大家了解一下氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面。 氮化鎵器件現(xiàn)在普遍應(yīng)用在了構(gòu)建放大器電路的
碳化硅供需失衡將成為長期現(xiàn)象
可以看出在SiC襯底方面，ON Semiconductor有GTAT，ST有Norstel，Rohm有SiCrystal，Wolfspeed自己生產(chǎn)SiC襯底。為什么SiC領(lǐng)域會(huì)出現(xiàn)這樣的發(fā)展趨勢(shì)？
2023-02-03 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車英飛凌碳化硅 2772
IGBT、SiC國產(chǎn)化率加速攀升 碳化硅行業(yè)迎來快速發(fā)展機(jī)遇...
分 8 寸和 12 寸廠看，2022 年第四季度 8 寸晶圓廠的主力臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)、力積 電和中芯國際的產(chǎn)能利用率預(yù)計(jì)分別下降到 97%/90%/73%/86%/90%，相較于第二季度下滑 3%/10%/25%/12%/6%。
新能源汽車對(duì)功率半導(dǎo)體需求帶動(dòng)有多大？
導(dǎo)語：功率半導(dǎo)體的三大主角，IGBT、SiC和GaN，其中在光伏和風(fēng)電兩大新能源行業(yè)中，IGBT的需求量最大。 ? 1月17日，工信部、能源局等六部門聯(lián)合發(fā)布《關(guān)于推動(dòng)能源電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的指導(dǎo)意見》。 《意見》中提到，要求面向光伏、風(fēng)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)、半導(dǎo)體照明等，發(fā)展新能源用耐高溫、耐高壓、低損耗、高可靠IGBT器件及模塊，SiC、GaN等先進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體材料與先進(jìn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和封裝技術(shù)，新型電力電子器件及關(guān)鍵技術(shù)。 國聯(lián)證券表示，能源革命催生功率
2023-02-03 標(biāo)簽：新能源汽車功率半導(dǎo)體 2297
全球模擬芯片市場規(guī)模芯片占比
在模擬混合信號(hào)IC領(lǐng)域，主要以TI、ADI、英飛凌、ST、Sky、NXP、瑞薩、微芯、安森美半導(dǎo)體等公司占據(jù)龍頭地位。
軌對(duì)軌輸入和輸出放大器的LM7321MF運(yùn)算放大器介紹
LM732xx器件是具有寬工作電壓和高輸出電流的軌對(duì)軌輸入和輸出放大器。LM732xx系列高效，可實(shí)現(xiàn)18-V/μs轉(zhuǎn)換速率和20MHz單位增益帶寬，同時(shí)每個(gè)運(yùn)算放大器僅需1mA的電源電流。
2023-01-12 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器輸出放大器共模抑制 1546
超低功耗，通用雙通道運(yùn)算放大器——AXOP38802
AXOP38802是深圳能芯半導(dǎo)體推出的一款超低功耗，通用雙通道運(yùn)算放大器，具有軌到軌的輸入和輸出擺幅，工作電壓1.5V至5.5V，靜態(tài)電流400nA (每通道)，單位增益帶寬為100kHz，其容性負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力可達(dá)500pF。
2023-01-06 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器遠(yuǎn)程傳感器 1483
超寬帶數(shù)字可變?cè)鲆娣糯笃鳌狶MH6401
LMH6401 是一款面向直流到射頻 (RF)、中頻 (IF) 和高速時(shí)域應(yīng)用的寬帶、數(shù)控可變?cè)鲆娣糯笃?(DVGA)。對(duì)于需要自動(dòng)增益控制 (AGC) 的直流或交流耦合應(yīng)用而言，該器件是一款理想的 ADC 驅(qū)動(dòng)器。
2023-01-05 標(biāo)簽：射頻SPI增益放大器可變?cè)鲆娣糯笃?/a> 1981
高速、高性能、可編程的差分放大器——LMH6882
LMH6882 是一款高速、高性能、可編程的差分放大器。該器件具有 2.4GHz 的帶寬和 42dBm OIP3 的高線性度，適合各類信號(hào)調(diào)節(jié)應(yīng)用。
學(xué)習(xí)模擬電路的四個(gè)知識(shí)部分
要從事模擬電路設(shè)計(jì)，必須扎實(shí)掌握晶體管電路的基本知識(shí)，推薦一邊學(xué)習(xí)一邊實(shí)驗(yàn)、仿真，PSPICE之類的都可以，能理解一個(gè)就行，同時(shí)要注意多想多動(dòng)手。
2.5V至6.0V微功耗CMOS運(yùn)算放大器——MCP608
MCP608運(yùn)算放大器（運(yùn)算放大器）的增益帶寬積為155 kHz，典型工作電流為18.7 uA，偏置電壓小于250μV。
2022-12-22 標(biāo)簽：CMOS運(yùn)算放大器 904
通用型CMOS四路軌到軌放大器——AD8544
AD8541/AD8542/AD8544具有極低的輸入偏置電流，因此可用于積分器、光電二極管放大器、壓電傳感器以及其它具有較高源阻抗的應(yīng)用。每個(gè)放大器的電源電流僅為45 μA，非常適合電池供電應(yīng)用。
2022-12-22 標(biāo)簽：有源濾波器光電二極管壓電傳感器軌對(duì)軌放大器 1049
基于Microchip CMOS技術(shù)的MCP6L1運(yùn)算放大器
MCP6L1運(yùn)算放大器（運(yùn)算放大器）具有2.8MHz的增益帶寬乘積，典型工作電流為200uA，偏置電壓為1mV（典型值）。
2022-12-08 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器microchip 965
兆億微波即日備貨TI BUF802高速緩沖運(yùn)算放大器
兆億微波商城分銷的TI BUF802是一款具有JFET輸入級(jí)的高輸入阻抗 (Hi-Z)、開環(huán)、單位增益緩沖放大器，支持高達(dá)3.1GHz的帶寬。
2022-12-01 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器緩沖放大器 1049
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