模擬技術(shù)
納芯微發(fā)布首款車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET
為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，在碳化硅芯片生產(chǎn)過程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制，所有碳化硅產(chǎn)品做到 100% 靜態(tài)電參數(shù)測試，100%抗雪崩能力測試。
2024-04-18 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅納芯微熱管理系統(tǒng) 1093
碳化硅器件的類型及應(yīng)用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導(dǎo)體器件的材料，具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導(dǎo)率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，同時(shí)保持穩(wěn)定性和效率。
2024-04-16 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 1450
探討氮化鎵在汽車動(dòng)力系統(tǒng)和激光雷達(dá)的應(yīng)用
氮化鎵（GaN）作為一種新興的半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)異的電子特性和潛在的系統(tǒng)成本優(yōu)勢，在汽車和移動(dòng)手機(jī)市場中展現(xiàn)出巨大的商業(yè)潛力。
2024-04-12 標(biāo)簽：氮化鎵GaN激光雷達(dá)汽車動(dòng)力系統(tǒng) 1687
三安光電碳化硅業(yè)務(wù)迎來高成長契機(jī)
碳化硅功率器件及模塊正加速從高端產(chǎn)品向下滲透?！艾F(xiàn)在售價(jià)為20萬元以上的800V電動(dòng)汽車，碳化硅功率器件滲透率約為一半，可以全驅(qū)配置，或只配置主驅(qū)。
2024-04-11 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器光伏發(fā)電系統(tǒng)碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1193
全國最大8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)基地落地山東？
作為技術(shù)應(yīng)用最成熟的襯底材料，碳化硅襯底在市場上“一片難求”。碳化硅功率器件在新能源汽車中的滲透率正在快速擴(kuò)大，能顯著提升續(xù)航能力與充電效率，并降低整車成本。
功率半導(dǎo)體市場將邁向550億美元新高度
半導(dǎo)體利用 SiC 來減少能量損失并延長太陽能和風(fēng)能電力轉(zhuǎn)換器的使用壽命。SiC（碳化硅）由于其寬帶隙而用于高功率應(yīng)用。
2024-03-22 標(biāo)簽：功率器件SiC功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件碳化硅 565
功率半導(dǎo)體2035年市值將達(dá)77,757億日元，SiC等占4...
此次調(diào)查針對(duì)功率半導(dǎo)體18項(xiàng)、零部件材料20項(xiàng)、制造設(shè)備19項(xiàng)。調(diào)查期間為2023年10月至2024年2月。
2024-03-06 標(biāo)簽：功率器件SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1215
碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽車中的深入應(yīng)用解析
采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗，無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。
Qorvo推出創(chuàng)新緊湊型E1B封裝1200V SiC模塊
Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個(gè)分立式 SiC FET，從而簡化熱機(jī)械設(shè)計(jì)和裝配。
碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)全景：國內(nèi)外主要廠商分布圖
中國在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對(duì)半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)鏈建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝?、高耐用性電子器件需求的增加，碳化硅襯底由于其在高溫、高電壓和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)異性能而變得越來越重要。
2024-02-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅 3104
國內(nèi)上市的碳化硅企業(yè)的表現(xiàn)情況
碳化硅之所以受到投資青睞，歸功于其獨(dú)特的半導(dǎo)體屬性，能夠在極端的高溫、高壓、高功率、和高頻環(huán)境中發(fā)揮出色，預(yù)示著其在多種應(yīng)用場景中的巨大潛力。
2024-02-25 標(biāo)簽：碳化硅 2970
碳化硅襯底價(jià)格戰(zhàn)風(fēng)起云涌？聽產(chǎn)業(yè)鏈上市公司怎么說
對(duì)于一線SiC廠商掀起“價(jià)格戰(zhàn)”、SiC襯底降價(jià)近三成等說法，業(yè)內(nèi)持有不同觀點(diǎn)。
天岳先進(jìn)占據(jù)全球?qū)щ娦吞蓟枰r底市場第二
在電動(dòng)汽車、電力設(shè)備以及能源領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)下，SiC功率器件市場需求整體堅(jiān)挺， 2030年SiC功率器件市場規(guī)模將達(dá)到近150億美元，占到整體功率器件市場約24%，2035年則有望超過200億美元，屆時(shí)SiC器件市場規(guī)模將占到整體功率器件的40%以上。
Qorvo借助SiC FET獨(dú)特優(yōu)勢，穩(wěn)固行業(yè)領(lǐng)先地位
在產(chǎn)品研發(fā)方面，2023年，Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封裝750V FET，這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均無法超越的。
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