模擬技術(shù)
SiC規(guī)模將超560億？
結(jié)合全球功率半導(dǎo)體市場數(shù)據(jù)推算，2022年SiC功率半導(dǎo)體的滲透率為4.85%，2023年滲透率為6.53%，2028年預(yù)計(jì)將達(dá)到18.58%左右。
2024-01-25 標(biāo)簽：SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1090
科友提前布局：SiC行業(yè)下半場是8吋時(shí)代
2023年業(yè)內(nèi)有多家企業(yè)陸續(xù)推出8英寸碳化硅襯底，成為市場熱點(diǎn)，呈現(xiàn)出加速替代6英寸襯底的勢頭。我們認(rèn)為，碳化硅行業(yè)的下半場就是8英寸的時(shí)代，誰的8英寸襯底先出貨，誰就能更好地把握住時(shí)代機(jī)遇。
國產(chǎn)GaN迎來1700V突破！
該文獻(xiàn)進(jìn)一步透露，實(shí)現(xiàn)這一器件所采用的氮化鎵外延材料結(jié)構(gòu)包括：1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。
英飛凌與Wolfspeed延長SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議
為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求，我們正在落實(shí)一項(xiàng)多供應(yīng)商戰(zhàn)略，從而在全球范圍內(nèi)保障對(duì)于 150mm 和 200mm 碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源
國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)比對(duì)分析
碳化硅具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場高、介電常數(shù)低及化學(xué)穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點(diǎn)，是具有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ牡谌滦桶雽?dǎo)體材料。
2024-01-24 標(biāo)簽：SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3867
半導(dǎo)體硅片行業(yè)報(bào)告，國產(chǎn)替代進(jìn)程加速
第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC氮化鎵半導(dǎo)體制造碳化硅 2584
瑞薩宣布收購Transphorm，雙方已達(dá)成最終協(xié)議
此次交易對(duì)Transphorm的估值約為3.39億美元（約合人民幣24.27億元）。此次收購將為瑞薩提供GaN（功率半導(dǎo)體的下一代關(guān)鍵材料）的內(nèi)部技術(shù)。
2024-01-19 標(biāo)簽：瑞薩GaNTransphorm 787
GaN巨頭NexGen Power Systems破產(chǎn)：垂直...
NexGen認(rèn)為，將垂直氮化鎵逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)引入電動(dòng)汽車市場可以幫助汽車制造商提高續(xù)航里程、減輕重量并提高系統(tǒng)可靠性。
2024-01-17 標(biāo)簽：逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)氮化鎵GaN 1516
國內(nèi)主要碳化硅襯底廠商產(chǎn)能現(xiàn)狀
國內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線，覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研單晶爐設(shè)備及外延片等產(chǎn)品。
2024-01-12 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 5113
三安與朗明納斯達(dá)成美洲獨(dú)家銷售協(xié)議，加速寬禁帶半導(dǎo)體市場拓展
據(jù)了解，三安半導(dǎo)體與朗明納斯均為三安光電集團(tuán)的子公司，2013年，三安光電收購了朗明納斯100%股權(quán)。
2024-01-12 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體三安寬禁帶半導(dǎo)體 1460
揭秘DFN3820A二極管封裝技術(shù)的創(chuàng)新
早期，二極管封裝重點(diǎn)是為了滿足基本的功能性和穩(wěn)定性。SMB(DO-214AA ) 和 SMC(DO-214AB) 封裝形式，作為行業(yè)的早期標(biāo)準(zhǔn)，為電子產(chǎn)品提供了可靠和經(jīng)濟(jì)的解決方案。
愛仕特1700V碳化硅功率模塊已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
基于SiC功率器件的整機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)解決方案，各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到國際水平，提供各類規(guī)格參數(shù)的SiC MOS定制化服務(wù)。
寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的前沿發(fā)展有哪些
逆變器是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電源電路。在應(yīng)用設(shè)備中，為了實(shí)現(xiàn)節(jié)能，對(duì)小型、輕量、高效的逆變器的需求不斷增加。為了實(shí)現(xiàn)逆變器的高速運(yùn)行，已經(jīng)提出使用寬帶隙半導(dǎo)體和結(jié)合n溝道和p溝道晶體管的互補(bǔ)功率逆變器。
2024-01-03 標(biāo)簽：MOSFET逆變器SiC功率半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 1618
日本團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種“常關(guān)”鉆石 MOSFET
MOSFET是一種MOS結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管(FET)，具有高速、低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓的特點(diǎn)，特別適合作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)的開關(guān)元件，高速開關(guān)大電流等已經(jīng)完成。
2023-12-29 標(biāo)簽：MOSFET晶體管場效應(yīng)晶體管金剛石 1094
碳化硅器件領(lǐng)域，中外的現(xiàn)況如何？
導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）等，主要用于電動(dòng)汽車、光伏、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。
2023-12-27 標(biāo)簽：IGBT場效應(yīng)晶體管功率器件SiC碳化硅 970
半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展趨勢分析
近年來，全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場規(guī)模呈現(xiàn)波動(dòng)變化。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場規(guī)模為303.37億美元，同比增長27.4%，2022年進(jìn)一步同比增長12.1%，為339.93億美元。
2023-12-25 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件工業(yè)控制半導(dǎo)體分立器件 1965
碳化硅是新能源汽車800V高壓快充標(biāo)配？
根 據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2021 年 SiC 市場份額前五廠家均為歐美日企業(yè)，合計(jì)占 據(jù) 93%的市場份額，其中意法半導(dǎo)體依靠與特斯拉的合作占據(jù)全球 40% 的市場份額。
2023-12-22 標(biāo)簽：新能源汽車IGBTSiC碳化硅800V平臺(tái) 3951
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