全球大廠帶節(jié)奏，日本功率半導(dǎo)體市場承受壓力

近日，日本電子元器件領(lǐng)域的兩家重要企業(yè)羅姆半導(dǎo)體和東芝，聯(lián)合發(fā)布聲明，計(jì)劃進(jìn)行一項(xiàng)巨額投資。

2023-12-21 標(biāo)簽：SiCGaN存儲芯片功率半導(dǎo)體功率芯片 818

數(shù)字IC與模擬IC的架構(gòu)差異

如今的芯片大多數(shù)都同時具有數(shù)字模塊和模擬模塊，因此芯片到底歸屬為哪類產(chǎn)品是沒有絕對標(biāo)準(zhǔn)的，通常會根據(jù)芯片的核心功能來區(qū)分。在數(shù)?；旌闲酒膶?shí)際工作中，數(shù)字IC與模擬IC工程師也是遵照各自的流程分別開展工作。

2023-12-20 標(biāo)簽：模擬ICcpu微處理器模擬芯片數(shù)字芯片 2009

特斯拉為何對碳化硅忽冷忽熱？

第一代半導(dǎo)體材料是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料，鍺做的晶體管曾經(jīng)也是流行的老大，但由于速度較慢、不耐熱等缺點(diǎn)，在八十年代初就被硅基管給取代了，一直到現(xiàn)今，90％以上的芯片都是以硅為基底，晶圓也基本都是硅片（就是沙子）。

2023-12-20 標(biāo)簽：晶體管特斯拉半導(dǎo)體器件碳化硅 556

納微半導(dǎo)體GeneSiC起源與SiC的未來

GeneSiC 在滿足汽車行業(yè)需求的經(jīng)驗(yàn)還包括開發(fā)快速充電站解決方案，這對 EV 的快速普及至關(guān)重要。以 SK Signet 最近設(shè)計(jì)的額定 350kW 快速充電樁為例，它可以將 277VAC 的市電變換為200~950VDC 精準(zhǔn)控制的電壓，適用于 400V 和 800V 電壓平臺的 EV。

2023-12-13 標(biāo)簽：二極管晶體管SiC電機(jī)繞組納微半導(dǎo)體 2548

碳化硅晶片制備技術(shù)與國際產(chǎn)業(yè)布局

碳化硅晶片薄化技術(shù)，碳化硅斷裂韌性較低，在薄化過程中易開裂，導(dǎo)致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實(shí)現(xiàn)。

2023-12-12 標(biāo)簽：單晶片碳化硅 1373

一種具有新信號處理行為的光控二極管研究發(fā)布

據(jù)麥姆斯咨詢報道，近日，中國科學(xué)院金屬研究所科研團(tuán)隊(duì)發(fā)明了一種具有新信號處理行為的光控二極管，相關(guān)研究成果在線發(fā)表于《國家科學(xué)評論》（National Science Review）。

2023-12-12 標(biāo)簽：集成電路二極管光電探測器光學(xué)成像光電芯片 635

關(guān)于碳化硅，這些數(shù)據(jù)你了解嗎

在新能源汽車方面的應(yīng)用主要有主驅(qū)逆變器、車載充電器OBC、DC/DC等；在充電基礎(chǔ)設(shè)施方面的應(yīng)用主要有快速直流充電、無線充電、工業(yè)充電器等；在IT基礎(chǔ)設(shè)施方面的應(yīng)用主要有PFC、DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。

2023-12-12 標(biāo)簽：晶圓逆變器斷路器SiC碳化硅 649

如何將碳化硅成本將下降30%

國內(nèi)企業(yè)率先在半絕緣襯底方面取得了非?？斓倪M(jìn)展。而在導(dǎo)電型襯底方面，2021-2022年國內(nèi)各個襯底廠商的外部的應(yīng)用需求迅速增長，同時在各項(xiàng)指標(biāo)上已經(jīng)得到了下游端客戶的驗(yàn)證。

2023-12-07 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 908

安世半導(dǎo)體推出首款SiC MOSFET，聚焦電動汽車充電樁等...

，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。

2023-12-05 標(biāo)簽：電動汽車充電樁SiC MOSFET安世半導(dǎo)體 3320

國產(chǎn)碳化硅生產(chǎn)企業(yè)排行榜

憑借其卓越性能而被不斷應(yīng)用于光伏發(fā)電、電動汽車、軌道交通和風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域，引領(lǐng)著電力電子領(lǐng)域的一次技術(shù)革命。全球碳化硅功率器件市場規(guī)模預(yù)計(jì)將從2021年10.9億美元增長至2027年62.97億美元，年均復(fù)合增長率達(dá)34%。

2023-12-05 標(biāo)簽：電動汽車光伏發(fā)電功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 10228

汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變，碳化硅是否隨著更改？

汽車一直是碳化硅（SiC）的主要應(yīng)用市場。在整個汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變的情況下，碳化硅是否還會延續(xù)此前供不應(yīng)求的市場行情？

2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC碳化硅汽車半導(dǎo)體 682

下一代的CMOS邏輯將邁入1nm時代？

下一代 CMOS 邏輯晶體管的另一個有希望的候選者是通道是過渡金屬二硫?qū)倩?(TMD) 化合物的二維材料（單層和極薄材料）的晶體管。

2023-11-24 標(biāo)簽：CMOS邏輯電路圖像傳感器晶體管半導(dǎo)體器件 940

國產(chǎn)氮化鎵實(shí)現(xiàn)新突破，1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢？

眾所周知，GaN 功率晶體管的關(guān)鍵問題之一是它們在開關(guān)操作期間的動態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 增加，這會影響 GaN 功率晶體管和整個系統(tǒng)的可靠性。

2023-11-22 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻氮化鎵開關(guān)器件柵極驅(qū)動器 2827

2030年，中國仍將是最大的碳化硅市場

在電動汽車領(lǐng)域，純電動汽車BEV、混合動力HEV、插電式混合動力電動汽車PHEV、400伏/800伏的系統(tǒng)將直接影響碳化硅（SiC）相對采用率，800伏的純電動汽車動力系統(tǒng)最有可能采用SiC器件。

2023-11-21 標(biāo)簽：電動汽車晶圓碳化硅動力汽車 1077

中國電動汽車崛起對功率半導(dǎo)體行業(yè)意味著什么？

中國電動汽車的崛起。在拆解比亞迪最新一代平價電動汽車海豹后，瑞銀汽車團(tuán)隊(duì)認(rèn)為到2030年，中國電動汽車廠商的全球市場份額將從2022年的17%增至33%，這將對全球供應(yīng)商格局生重大影響。

2023-11-21 標(biāo)簽：電動汽車IGBTSiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1033

功率器件各項(xiàng)參數(shù)及其應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ρ?/a>

2023-11-21 標(biāo)簽：IGBT晶體管MOS功率器件碳化硅 1667

國內(nèi)碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢

主驅(qū)采用碳化硅，綜合損耗比硅器件降低70%，行程里程提升約5%。在OBC上采用碳化硅，器件數(shù)量減半，意味著被動器件直接減半，且配套的驅(qū)動電路也減少了，體積下降的同時成本也在下沉。這也是為什么OBC應(yīng)用碳化硅比驅(qū)動應(yīng)用早的原因。

2023-11-20 標(biāo)簽：新能源汽車驅(qū)動電路功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 2197

功率半導(dǎo)體技術(shù)挑戰(zhàn)和解決方案

功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護(hù)、逆變（直流轉(zhuǎn)交流）和整流（交流轉(zhuǎn)直流）等作用。

2023-11-20 標(biāo)簽：MOSFETIGBT分立器件功率半導(dǎo)體碳化硅 4275

碳化硅和igbt器件未來應(yīng)用前景分析

功率器件分為泛材類器件與IGBT器件兩類，IGBT器件是開關(guān)器件，優(yōu)勢在于體積小、壽命長、可靠性高，現(xiàn)在市場上使用程度最大的是第4代器件，全球龍頭企業(yè)為英飛凌，其現(xiàn)在的IGBT器件為商業(yè)化的第七代，主要應(yīng)用于乘用車、光伏和風(fēng)電能源領(lǐng)域。

2023-11-08 標(biāo)簽：英飛凌芯片IGBT開關(guān)器件碳化硅 1425

砷化鎵器件在微波領(lǐng)域的應(yīng)用

GaAs器件在微波領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，器件分類齊全，包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數(shù)字單芯片集成電路等。

2023-11-08 標(biāo)簽：集成電路功率器件砷化鎵gaas器件 2683