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• FLM1011-4F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 20:36

  

  產(chǎn)品型號：FLM1011-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1011-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

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• FLM1011-6F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 20:20

  

  產(chǎn)品型號：FLM1011-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： FLM1011-6F 名稱： High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

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• FLM1011-8F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 19:48

  

  產(chǎn)品型號：FLM1011-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1011-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB

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• FLM1213-12F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 19:40

  

  產(chǎn)品型號：FLM1213-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1213-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB

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• FLM1213-4F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:42

  

  產(chǎn)品型號：FLM1213-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1213-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

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• FLM1314-6F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:35

  

  產(chǎn)品型號：FLM1314-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1314-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

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• FLM1213-6F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:27

  

  產(chǎn)品型號：FLM1213-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1213-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

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• FLM1213-8F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:21

  

  產(chǎn)品型號：FLM1213-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1213-8F 名稱： High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

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• FLM5972-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:12

  

  產(chǎn)品型號：FLM5972-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5972-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

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• FLM6472-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:04

  

  產(chǎn)品型號：FLM6472-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM6472-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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