產(chǎn)品
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FLM6472-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 15:56
產(chǎn)品型號(hào)：FLM6472-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM6472-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM6472-25F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 15:49
產(chǎn)品型號(hào)：FLM6472-25F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM6472-25F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM6472-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 15:40
產(chǎn)品型號(hào)：FLM6472-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM6472-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB -
FLM7179-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 15:29
產(chǎn)品型號(hào)：FLM7179-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM7179-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM7179-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 14:49
產(chǎn)品型號(hào)：FLM7179-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM7179-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB -
FLM7185-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 14:42
產(chǎn)品型號(hào)：FLM7185-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM7185-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM7179-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 14:36
產(chǎn)品型號(hào)：FLM7179-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM7179-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM7185-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 14:28
產(chǎn)品型號(hào)：FLM7185-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM7185-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB -
FLM7785-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 14:05
產(chǎn)品型號(hào)：FLM7785-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM7785-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM7785-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 13:58
產(chǎn)品型號(hào)：FLM7785-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM7785-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB