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功率半導體

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功率半導體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導體技術(shù)

驅(qū)動電路設(shè)計（九）——柵極鉗位

驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導體應(yīng)用的難點，涉及到功率半導體的動態(tài)過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計，英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重...

2025-04-07 標簽：驅(qū)動電路功率半導體 1.4k 0

深度解讀功率半導體整體框架

二極管是最簡單的功率器件，只允許電流在一個斱向上流動。二極管的作用相當于電流的開關(guān)，常用作整流器，將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換，無...

2023-03-07 標簽：二極管整流器 MOS管 1.4k 0

1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導體的開發(fā)和市場導入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。

2023-06-15 標簽：功率器件 GaN 功率半導體 1.4k 0

驅(qū)動電路設(shè)計（二）——驅(qū)動器的輸入側(cè)探究

2025-02-17 標簽：驅(qū)動器功率半導體驅(qū)動電路設(shè)計 1.3k 0

SiC功率器件的封裝技術(shù)

傳統(tǒng)的功率半導體封裝技術(shù)是采用鉛或無鉛焊接合金把器件的一個端面貼合在熱沉襯底上，另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高...

2023-10-09 標簽：封裝技術(shù)焊接功率半導體 1.3k 0

智能化與電動化雙輪驅(qū)動，汽車MOSFET大有可為

MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀60年代，首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。功率MOSFET在上世紀80年代開始興起，在如今電力電子功率器件中，無疑成為了最重要...

2022-11-30 標簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管功率半導體 1.3k 0

汽車功率半導體國產(chǎn)化的號角吹響國產(chǎn)功率半導體未來可期

在新能源汽車的供應(yīng)鏈上電池、電機、電控、功率半導體、視頻傳感器、激光雷達、控制器、執(zhí)行器件等硬件正在成為新的重要組成部分。

2022-09-05 標簽：新能源汽車功率器件功率半導體 1.3k 0

功率半導體讓生活更美好

2024-09-20 標簽：電機驅(qū)動電力電子功率半導體 1.2k 0

TPS7H5020 SEP 能夠驅(qū)動 MOSFET 或 GaN FET 的耐輻射 1MHz PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊

TPS7H502x 是一款抗輻射性保證、電流模式、單端 PWM 控制器，具有集成柵極驅(qū)動器，可用于基于硅和氮化鎵（GaN）功率半導體的轉(zhuǎn)換器設(shè)計。T...

2025-03-19 標簽：PWM控制器 GaN 功率半導體 1.2k 0

概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件

SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。

2023-06-16 標簽：MOSFET SiC 功率半導體 1.2k 0

6AB0460T12-NR01六通道IGBT驅(qū)動器深度技術(shù)與應(yīng)用解讀

面向儲能系統(tǒng)的高可靠性驅(qū)動革新——6AB0460T12-NR01六通道IGBT驅(qū)動器深度技術(shù)與應(yīng)用解讀傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于...

2025-09-14 標簽：新能源汽車連接器功率半導體 1.2k 0

開關(guān)電源PCB板的電磁兼容性研究

　隨著功率半導體器件性能的提高和開關(guān)變換技術(shù)的革新，電力電子技術(shù)已經(jīng)廣泛地應(yīng)用到了各式各樣的電源設(shè)備中。目前，開關(guān)電源的產(chǎn)品越來越趨向于小型、高速和高密...

2023-11-09 標簽：電磁兼容功率半導體電源設(shè)備 1.2k 0

門極驅(qū)動正壓對功率半導體性能的影響

對于半導體功率器件來說，門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負壓對器件開關(guān)特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會...

2024-05-11 標簽：MOSFET IGBT 功率半導體 1.2k 0

電力電子控制從線性控制到模型預(yù)測控制在SiC功率系統(tǒng)中的融合與應(yīng)用

全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點賦能者-BASiC Semiconductor基本半導體之一級代理商傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新...

2026-02-12 標簽：SiC 電子控制功率半導體 1.2k 0

簡單說一下功率半導體的特色

『集成電路IC』，指采用半導體制備工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊晶片上，然后封裝好，成為具有一定功能...

2023-02-03 標簽：集成電路 IGBT 功率半導體 1.1k 0

氮化鎵半導體器件驅(qū)動設(shè)計

氮化鎵(GaN)功率半導體技術(shù)和模塊式設(shè)計的進步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。

2023-02-08 標簽：氮化鎵功率半導體脈沖放大器 1.1k 0

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導體，日本和海外正在進行研究和開發(fā)。

2023-04-14 標簽：肖特基二極管 SiC GaN 1.1k 0

車規(guī)級SiC MOSFET制造技術(shù)進展

隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應(yīng)用對系統(tǒng)效率的不斷追求，SiC 功率半導體市場將迎來前所未有的增速。

2023-11-07 標簽：新能源汽車 SiC 功率半導體 1.1k 0

高效率功率變換成為開關(guān)電源的主要選擇

開關(guān)損耗一直困惑著開關(guān)電源設(shè)計者，由于功率半導體器件在開關(guān)過程中，器件上同時存在電流、電壓，因而不可避免地存在開關(guān)損耗，如果開關(guān)電源中開關(guān)管和輸出整流二...

2023-06-24 標簽：開關(guān)電源整流二極管功率半導體 1.1k 0

一文詳解功率半導體的封裝

不同包裝方法：電流范圍從幾安培到卡，電壓范圍從100 V到幾千伏。

2023-02-14 標簽：功率半導體 1.1k 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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