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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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基于IGBT7 140A大電流單管的150kW高性價比功率解決方案
功率半導(dǎo)體器件不斷走向成熟的標(biāo)志之一,就是芯片的代次更迭和系列化。英飛凌IGBT單管產(chǎn)品線通過持續(xù)優(yōu)化結(jié)構(gòu)、工藝與性能,為不同應(yīng)用領(lǐng)域提供有針對性的參數(shù)...
2026-05-12 標(biāo)簽:英飛凌IGBT功率半導(dǎo)體 1.4k 0
解析 onsemi UF3C170400K3S 碳化硅共源共柵 JFET
解析 onsemi UF3C170400K3S碳化硅共源共柵JFET 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)器件憑借其優(yōu)異的性能逐漸成為研究和應(yīng)用的熱點。今...
2026-05-09 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅JFETUF3C170400K3S 53 0
安森美1200V碳化硅全橋模塊UFB25SC12E1BC3N:性能亮點與應(yīng)用解析
安森美1200V碳化硅全橋模塊UFB25SC12E1BC3N:性能亮點與應(yīng)用解析 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)器件憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用...
2026-05-09 標(biāo)簽:安森美功率半導(dǎo)體碳化硅模塊 53 0
onsemi UF4SC120030K4S碳化硅共源共柵JFET器件解析
onsemi UF4SC120030K4S碳化硅共源共柵JFET器件解析 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)器件憑借其卓越的性能逐漸成為研究和應(yīng)用的熱點...
2026-05-09 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅器件UF4SC120030K4S 62 0
onsemi UJ4C075033K3S SiC Cascode JFET深度解析
onsemi UJ4C075033K3S SiC Cascode JFET深度解析 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐漸成為主流,其卓越的性能為...
2026-05-08 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體SiC Cascode JFETUJ4C075033K3S 800 0
深入解析 onsemi NTH4L028N170M1 SiC MOSFET
深入解析 onsemi NTH4L028N170M1 SiC MOSFET 引言 在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對整個系統(tǒng)的效率、可靠性和性能起著...
2026-05-08 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體SiC MOSFETNTH4L028N170M1 109 0
onsemi碳化硅MOSFET:NTH4L070N120M3S技術(shù)解析
onsemi碳化硅MOSFET:NTH4L070N120M3S技術(shù)解析 在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對眾多應(yīng)用的效率和可靠性起著關(guān)鍵作用。今天,...
2026-05-08 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅MOSFETNTH4L070N120M3S 125 0
安森美SiC MOSFET:引領(lǐng)功率半導(dǎo)體新時代
安森美SiC MOSFET:引領(lǐng)功率半導(dǎo)體新時代 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正憑借其卓越性能逐漸嶄露頭角。安森美(onsemi)推出的NTH...
2026-05-08 標(biāo)簽:安森美功率半導(dǎo)體SiC MOSFET 127 0
安森美1200V碳化硅MOSFET NTHL030N120M3S技術(shù)剖析
安森美1200V碳化硅MOSFET NTHL030N120M3S技術(shù)剖析 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其優(yōu)越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用...
2026-05-07 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅MOSFETNTHL030N120M3S 708 0
Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N090SC1:高性能與可靠性的完美結(jié)合
Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N090SC1:高性能與可靠性的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著...
2026-05-07 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅MOSFETNTHL060N090SC1 614 0
安森美NVBG022N120M3S碳化硅MOSFET深度解析
安森美NVBG022N120M3S碳化硅MOSFET深度解析 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。...
2026-05-07 標(biāo)簽:安森美功率半導(dǎo)體碳化硅MOSFET 91 0
onsemi碳化硅MOSFET NVBG160N120SC1深度解析
onsemi碳化硅MOSFET NVBG160N120SC1深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計工作中,功率半導(dǎo)體器件的選擇至關(guān)重要,直接影響著電路的性能和...
2026-05-07 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅MOSFETNVBG160N120SC1 85 0
onsemi碳化硅MOSFET NVH4L032N065M3S:高性能解決方案
onsemi碳化硅MOSFET NVH4L032N065M3S:高性能解決方案 在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對整個系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要...
2026-05-07 標(biāo)簽:汽車應(yīng)用功率半導(dǎo)體碳化硅MOSFET 145 0
onsemi FFSB0665B碳化硅肖特基二極管:高性能功率半導(dǎo)體的新選擇
onsemi FFSB0665B碳化硅肖特基二極管:高性能功率半導(dǎo)體的新選擇 在電子工程師的日常設(shè)計中,功率半導(dǎo)體器件的性能直接關(guān)系到整個系統(tǒng)的效率、穩(wěn)...
2026-05-07 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管FFSB0665B 151 0
安森美FFSB0865B碳化硅肖特基二極管:開啟功率半導(dǎo)體新時代
安森美FFSB0865B碳化硅肖特基二極管:開啟功率半導(dǎo)體新時代 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正憑借其卓越性能嶄露頭角。安森美的FFSB086...
2026-05-07 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管FFSB0865B 122 0
onsemi FFSB0665B - F085碳化硅肖特基二極管:新一代功率半導(dǎo)體的卓越選擇
onsemi FFSB0665B - F085碳化硅肖特基二極管:新一代功率半導(dǎo)體的卓越選擇 在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對整個系統(tǒng)的效率、可靠...
2026-05-07 標(biāo)簽:汽車應(yīng)用功率半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管 130 0
安森美FFSB0665A碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導(dǎo)體的卓越之選
安森美FFSB0665A碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導(dǎo)體的卓越之選 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐漸嶄露頭角,成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量...
2026-05-07 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管安森美FFSB0665A 88 0
安森美FFSB10120A碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導(dǎo)體的卓越之選
安森美FFSB10120A碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導(dǎo)體的卓越之選 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐漸嶄露頭角,為電子工程師們帶來了全新...
2026-05-07 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管FFSB10120A 93 0
安森美FFSB1065B碳化硅肖特基二極管:性能卓越的功率半導(dǎo)體新選擇
安森美FFSB1065B碳化硅肖特基二極管:性能卓越的功率半導(dǎo)體新選擇 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐漸嶄露頭角,為電子設(shè)備帶來了更高的性能...
2026-05-07 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管FFSB1065B 97 0
Onsemi FFSB20120A-F085碳化硅肖特基二極管:新一代功率半導(dǎo)體的卓越之選
Onsemi FFSB20120A-F085碳化硅肖特基二極管:新一代功率半導(dǎo)體的卓越之選 在當(dāng)今的電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對系統(tǒng)的效率、尺寸...
2026-05-06 標(biāo)簽:汽車應(yīng)用功率半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管 992 0
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