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標簽 > 功率半導體
功率半導體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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超結(jié)MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導體領(lǐng)域中突破傳統(tǒng)性能限制的關(guān)鍵器件。它通過在器件結(jié)構(gòu)...
9月15日，華中科技大學材料成形與模具技術(shù)全國重點實驗室的翟天佑教授團隊宣布，其研發(fā)團隊在二維高性能浮柵晶體管存儲器方面取得重要進展。
半導體中電子和空穴運動方式有很多種，比如熱運動引起的布朗運動、電場作用下的漂移運動和由濃度梯度引起的擴散運動等等。它們都對半導體的導電性造成不同的影響，...
當finFET被提出時，相對于互連層而言，晶體管及相關(guān)邏輯單元制作工藝復雜度成比例增加。隨著更多晶體管技術(shù)被提出，這一差別有望延續(xù)至5nm，3nm和更低。
在功率器件中，IGBT模塊備受各行業(yè)青睞，甚至還入選了我國重大科技專項重點扶持項目。它兼具MOSFET（絕緣柵型場效應管）及BJT（雙極型三極管）兩類器...
功率半導體是半導體行業(yè)的細分領(lǐng)域，雖不像集成電路一樣被大眾熟知，但其重要性不可忽視。IGBT是功率半導體的一種，作為電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”，高...
隨著科技的飛速發(fā)展，半導體技術(shù)已成為當今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導體器件中，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）以其高效、可靠的特性廣泛應用于...
超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢
在我們進入超結(jié)MOSFET的細節(jié)之前，我們先了解一些背景知識。
2024-10-15 標簽：MOSFET開關(guān)電源MOS管 2.9k 0
功率半導體是對功率進行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導體器件，不但實施電能的存儲、傳輸、處理和控制，保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟的運行，而且將能...
功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計方案
為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗方法，結(jié)合BP（Back Propaga‐tion）神經(jīng)網(wǎng)絡與遺傳算法，提出了一種銅線鍵合工藝參...
在功率半導體制程里，電鍍扮演著舉足輕重的角色，從芯片前端制程到后端封裝，均離不開這一關(guān)鍵工序。目前，我國中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板，...
高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計CoolMOS CFD7A在硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲中，尤其是輕負荷條件下具有較大改進，令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比，其...
功率半導體元件在新能源汽車中扮演關(guān)鍵角色，占據(jù)電機控制器價值量的30%-50%。因此，功率半導體元件的成本、性能和供貨能力對于車企在市場競爭中取得成功至關(guān)重要。
半導體IGBT采用銀燒結(jié)工藝（LTJT）的優(yōu)勢探討
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率半導體器件在電力轉(zhuǎn)換與能源管理領(lǐng)域的應用越來越廣泛。其中，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以其顯著優(yōu)點在功率半導體器件中...
IGBT行業(yè)需求增長： IGBT廣泛應用于工業(yè)、汽車、通信及消費電子領(lǐng)域，主要電壓應用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟的飛速發(fā)展，我國能源需求大...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）——功率半導體的熱阻
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...
使用GaN（氮化鎵）的功率半導體作為節(jié)能/低碳社會的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項新技術(shù)，解決了導致其全面推廣的問題。
深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細分領(lǐng)域機遇與挑戰(zhàn)
在車載鏡頭領(lǐng)域，舜宇光學（02382.HK）龍頭地位穩(wěn)固，其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一，2020年市占率32%，與第二名份額拉開較大差距。
浮思特 | IGBT 和 MOSFET 有啥區(qū)別?一文說清!
在做電力電子設(shè)計的朋友，經(jīng)常會遇到一個選擇題：IGBT和MOSFET，到底該用哪個?這兩個器件都是“功率半導體”的代表選手，常出現(xiàn)在變頻器、充電樁、電動...
功率半導體是能夠支持高電壓、大電流的半導體。具有不同于一般半導體的結(jié)構(gòu)，在使用高電壓、大電流時也不會損壞。另外，由于使用大功率容易發(fā)熱產(chǎn)生高溫，因而成為...
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