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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)
作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化鎵（GaN）功率器件已投入生產(chǎn)10多年，除了性能和成本方...
碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望
碳化硅作為一種寬禁帶材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件。該文對(duì)碳化硅功率...
2023-01-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 4k 0
怎么解決功率器件塑封過(guò)程中引腳壓傷的問(wèn)題？
引線框架的引腳壓傷是嚴(yán)重的質(zhì)量問(wèn)題。引腳壓傷不僅會(huì)影響產(chǎn)品的外觀質(zhì)量，嚴(yán)重時(shí)會(huì) 導(dǎo)致產(chǎn)品的電性能異常，甚至導(dǎo)致終端使用時(shí)發(fā)生短路、尖端放電等問(wèn)題。
2023-09-14 標(biāo)簽：功率器件 4k 0
碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。
關(guān)于固態(tài)射頻烹飪系統(tǒng)的方案介紹
固態(tài)RF功率器件可以實(shí)現(xiàn)烹飪產(chǎn)品的功率調(diào)節(jié)和高能效。這需要設(shè)計(jì)師對(duì)尺寸、成本和性能作綜合考慮。本次會(huì)議將介紹恩智浦推出的一款可擴(kuò)展功率模塊，它可快速的集...
我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來(lái)我們來(lái)看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些...
伴隨著功率器件 (包括 LED、LD、IGBT、CPV 等) 不斷發(fā)展，散熱成為影響器件性能與可靠性的關(guān)鍵技術(shù)。對(duì)于電子器件而言，通常溫度每升高 10°...
與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢(shì)明顯，比如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解...
DTS技術(shù)提高功率模塊可靠性方面發(fā)揮的關(guān)鍵作用
派恩杰半導(dǎo)體，中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌，主營(yíng)碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產(chǎn)品。在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、白色家電、...
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱，由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng)，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...
2023-02-12 標(biāo)簽：pcbIGBTPCB設(shè)計(jì) 3.8k 0
功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件，是專門用來(lái)進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過(guò)大電流的能力，處理電壓...
從不同類型IGBT封裝對(duì)焊料要求差異看結(jié)構(gòu)和場(chǎng)景的適配邏輯
不同 IGBT 封裝對(duì)焊料的要求差異，本質(zhì)是場(chǎng)景決定性能優(yōu)先級(jí)。中低功率、低成本場(chǎng)景（TO 封裝）：焊料需“夠用就行”，優(yōu)先控制成本；中高功率、工業(yè)場(chǎng)景...
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
倍思氮化鎵充電器是一款優(yōu)秀的充電器，具有高效、快速、安全、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。下面我們將詳細(xì)介紹倍思氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)、使用體驗(yàn)和與其他產(chǎn)品的比較，幫助您更好...
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問(wèn)題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等，使用可靠性問(wèn)題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。
功率二極管是一種半導(dǎo)體器件，它與普通二極管類似，但其能夠承受更大的功率和電流，因此被廣泛應(yīng)用于各種功率電子電路中。功率二極管通常用于轉(zhuǎn)換或控制高電壓、大...
SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)
SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device)，是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝，由IXYS（現(xiàn)在是Littelfuse公...
隨著功率器件的發(fā)展，正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用，SPWM 控制是在逆變器輸出交流電能的一個(gè)周期內(nèi)，將直流電能斬成幅值相等而寬度根據(jù)正...
2024-12-27 標(biāo)簽：正弦波脈寬調(diào)制功率器件 3.7k 0
功率器件模塊封裝結(jié)構(gòu)演進(jìn)趨勢(shì)
IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊，誕生于20世紀(jì)80年代，并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級(jí)，通過(guò)新技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通...
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