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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容,這些電容會影響IGBT的...
從發(fā)展歷程來看,20世紀50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng);20世紀60至70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...
功率IC是指一類專門用于控制和管理電能的集成電路,它可以在單個芯片中集成多種功率控制和管理功能。功率IC的主要特點包括高度集成、高效率、高精度、小體積和...
功率二極管是一種用于大電流、大功率、高頻率應(yīng)用的半導(dǎo)體器件,其結(jié)構(gòu)類似于普通二極管,但其材料和工藝設(shè)計均不同于普通二極管,使其具有更高的承受電壓和電流能...
雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
氮化鎵功率器件可以分為三類:MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(晶閘管)和JFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。
要普及LED燈具,不但需要大幅度降低成本,更需要解決技術(shù)性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題,PowerIntegrations市場營銷副總裁Doug...
功率半導(dǎo)體是一類能夠控制和調(diào)節(jié)大電流和高電壓的半導(dǎo)體器件。它可以將小信號控制電流或電壓轉(zhuǎn)換成大信號輸出,廣泛應(yīng)用于電力電子、工業(yè)自動化、交通運輸、新能源...
2023-02-18 標簽:半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 3.3k 0
中山大學(xué)王鋼教授團隊在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進展
該綜述總結(jié)了NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀,為之后設(shè)計高性能的NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)器件提供了參考,對β-Ga2O3雙極型器...
2023-06-30 標簽:功率器件半導(dǎo)體材料氧化鎵 3.3k 0
封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...
2023-08-24 標簽:IGBT功率器件半導(dǎo)體器件 3.3k 0
功率半導(dǎo)體是指用于高電壓、高電流應(yīng)用的半導(dǎo)體器件,其功能包括但不限于以下幾個方面: 開關(guān)控制:功率半導(dǎo)體器件常常用于開關(guān)控制電路中,通過控制其導(dǎo)通和截止...
2023-02-18 標簽:半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 3.3k 0
東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn),多款應(yīng)用案例剖析
在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中,電源技術(shù)水平也在不斷提升,起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動+氮化鎵功率器件組合設(shè)計,不僅電路布局較為復(fù)雜,...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率開關(guān)器件,也是現(xiàn)代電子設(shè)備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。
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