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標簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

igbt功率管寄生電容怎么測量大小

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容,這些電容會影響IGBT的...

2024-08-07 標簽:IGBT功率器件功率管 3.5k 0

下一代高頻高功率電子器件——金剛石半導(dǎo)體

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金剛石是一種“終極材料”,在硬度、聲速、熱導(dǎo)率、楊氏模量等方面具有所有材料中最好的物理性能;其他性能包括從紫外線到紅外線的寬波長光譜的透射率、熱穩(wěn)定性和...

2023-05-23 標簽:功率器件金剛石 3.5k 0

DBA直接覆鋁陶瓷基板:功率器件封裝材料來勢洶洶!

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DBA直接覆鋁陶瓷基板(Direct Bonding Aluminum Ceramic Substrate,簡稱DBA)是一種新型的電子材料,將會成為未...

2023-05-22 標簽:功率器件DBA超級充電站 3.4k 0

半導(dǎo)體功率器件技術(shù)的整體演進情況

從發(fā)展歷程來看,20世紀50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng);20世紀60至70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展

2023-03-16 標簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 3.4k 0

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...

2024-04-29 標簽:功率器件SiCGaN 3.4k 0

功率ic和分立器件的區(qū)別有哪些

功率IC是指一類專門用于控制和管理電能的集成電路,它可以在單個芯片中集成多種功率控制和管理功能。功率IC的主要特點包括高度集成、高效率、高精度、小體積和...

2023-02-18 標簽:IC功率器件功率IC 3.4k 0

功率二極管和普通二極管的區(qū)別有哪些

功率二極管是一種用于大電流、大功率、高頻率應(yīng)用的半導(dǎo)體器件,其結(jié)構(gòu)類似于普通二極管,但其材料和工藝設(shè)計均不同于普通二極管,使其具有更高的承受電壓和電流能...

2023-02-18 標簽:二極管功率二極管功率器件 3.4k 0

氧化鎵功率器件動態(tài)可靠性測試方案

氧化鎵功率器件動態(tài)可靠性測試方案

在氮化鎵和碳化硅之后,氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力,推動超寬禁帶功率器件進入大規(guī)模落地階段。

2025-07-11 標簽:電源模塊功率器件氧化鎵 3.4k 0

雙脈沖測試平臺架構(gòu)可解決客戶在功率器件常見的問題

雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。

2022-10-12 標簽:功率器件電流探頭脈沖測試 3.4k 0

氮化鎵功率器件分類 氮化鎵充電器為什么充電快

 氮化鎵功率器件可以分為三類:MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(晶閘管)和JFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。

2023-02-19 標簽:晶閘管IGBT功率器件 3.4k 0

專家分享:高效高可靠LED驅(qū)動設(shè)計的心得

要普及LED燈具,不但需要大幅度降低成本,更需要解決技術(shù)性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題,PowerIntegrations市場營銷副總裁Doug...

2014-05-12 標簽:MOSFETLED驅(qū)動功率器件 3.4k 0

功率半導(dǎo)體的工作原理是什么

功率半導(dǎo)體是一類能夠控制和調(diào)節(jié)大電流和高電壓的半導(dǎo)體器件。它可以將小信號控制電流或電壓轉(zhuǎn)換成大信號輸出,廣泛應(yīng)用于電力電子、工業(yè)自動化、交通運輸、新能源...

2023-02-18 標簽:半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 3.3k 0

中山大學(xué)王鋼教授團隊在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進展

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該綜述總結(jié)了NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀,為之后設(shè)計高性能的NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)器件提供了參考,對β-Ga2O3雙極型器...

2023-06-30 標簽:功率器件半導(dǎo)體材料氧化鎵 3.3k 0

SiC外延片制備技術(shù)解析

SiC外延片制備技術(shù)解析

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。

2023-08-15 標簽:晶圓功率器件SiC 3.3k 0

功率電子器件封裝工藝有哪些

功率電子器件封裝工藝有哪些

封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...

2023-08-24 標簽:IGBT功率器件半導(dǎo)體器件 3.3k 0

功率半導(dǎo)體的功能有哪些

功率半導(dǎo)體是指用于高電壓、高電流應(yīng)用的半導(dǎo)體器件,其功能包括但不限于以下幾個方面: 開關(guān)控制:功率半導(dǎo)體器件常常用于開關(guān)控制電路中,通過控制其導(dǎo)通和截止...

2023-02-18 標簽:半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 3.3k 0

東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn),多款應(yīng)用案例剖析

在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中,電源技術(shù)水平也在不斷提升,起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動+氮化鎵功率器件組合設(shè)計,不僅電路布局較為復(fù)雜,...

2023-02-07 標簽:功率器件氮化鎵快充芯片 3.3k 0

IGBT可靠性與壽命評估研究

IGBT可靠性與壽命評估研究

IGBT 作為新能源汽車電機控制器的核心部件,直接決定了電動汽車的安全性和可靠性。本文主要介 紹采用熱敏感電參數(shù)法提取 IGBT 結(jié)溫,并結(jié)合 CLTC...

2023-05-05 標簽:控制器cpuIGBT 3.3k 0

MOSFET的概念、應(yīng)用及選型

MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率開關(guān)器件,也是現(xiàn)代電子設(shè)備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。

2024-01-17 標簽:放大器MOSFET晶體管 3.3k 0

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù),人們對降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度,使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...

2022-07-29 標簽:MOSFETJFET功率器件 3.3k 0

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時鐘 時鐘振蕩器 時鐘發(fā)生器 時鐘緩沖器 定時器 寄存器 實時時鐘 PWM 調(diào)制器
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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機驅(qū)動器 步進驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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